创新电子材料助臂力　3D芯片制程挑战迎刃解

三维(3D)晶片制造商面临许多新的制程挑战，包括通孔填充须达到高深宽比且无空隙、焊接凸块电镀制程须低成本/高可靠性，以及薄晶圆传送时容易脆裂等。所幸，电子材料开发商已针对上述问题研发出对应的新材料，可明显改善3D晶片制程品质与...

分类：新品快报 时间：2015/12/28 阅读：1068 关键词：电子

半导体代工厂该为物联网SoC微缩制程吗？

近几个月来，一些主要的半导体业者与IC代工厂陆续宣布微缩IC的电晶体尺寸至14纳米（nm），从而为物联网（IoT）系统单芯片（SoC）降低尺寸与成本的下一步铺路。然而，ObjectiveAnalysis半导体产业分析师TomStarnes表示，从发

分类：业界要闻 时间：2015/12/10 阅读：433 关键词：SoC半导体

中芯国际：10纳米制程的演进上争取赶超梯队

在10月27日下午召开的浦江创新论坛上，邱慈云透露，截至今年第三季度，中芯国际已经实现连续14个季度盈利，更重要的是，在把握先进制程的进展上，目前中芯国际不仅在28纳米制程上实现量产，在16/14纳米上已经进入规划，并争取在16/14纳米...

分类：名企新闻 时间：2015/10/31 阅读：1012

中芯国际低调宣布第3条12英寸线 追赶先进制程

为什么中芯国际如此匆匆忙忙地又宣布开工第三条line，而且甚为低调，是业界不可能回答的问题。周子学讲是为了追赶先进制程的脚步。因为昨天武汉也宣布要投资240亿美元上马存储器。国内如此密集的大动作反映中国半导体产业发展的意愿十分...

分类：名企新闻 时间：2015/10/31 阅读：860

英特尔调降资本支出 10nm制程或被台积电赶超

半导体龙头英特尔14日三度调降今年资本支出，恐冲击10纳米先进制程布局进度。台积电近期先进制程急起直追，10纳米可望超车英特尔。随着英特尔三降资本支出、银弹资源减弱，台积电有机会进一步拉大与英特尔的差距。目前三大半导体制造厂中...

分类：名企新闻 时间：2015/10/16 阅读：553 关键词：10nm英特尔

台积电先进制程技术用电需求大增 拟自建电厂

据了解，未来5至10年内，台积电将走向5-7纳米技术制程，惟新技术制程投资计划用电需求高达210万千瓦、成长幅度达85%，为求取用电稳定性，台积电正评估自设发电设备可行性，以因应缺电不确定风险。扩内需节能家电祭补助用电增李克强指数报...

分类：业界要闻 时间：2015/8/31 阅读：610

台积电订单频失 提前启动制程对抗英特尔

以晶圆代工起家的台积电稍早前发布消息称，公司将在2017年量产10nm芯片，公司联席CEO刘德音近日又在公司会议宣布7nm芯片的生产将在2018年启动。公司董事长顾问蒋尚义对此解释，台积电目标就是要超越英特尔，成为全球技术的芯片制造商。近...

分类：业界要闻 时间：2015/8/27 阅读：985 关键词：英特尔

中芯积极追赶台积电 28纳米制程望今年底贡献营收

中国晶圆代工业者中芯国际（SMIC）日前表示，该公司预期来自28纳米制程的笔营收将于今年底入袋；中芯执行长邱慈云在近日的第二季财报发表会上透露，该公司将在第三季开始的28纳米制程商业化量产，并预期该制程节点贡献的营收将在第四季产...

分类：业界要闻 时间：2015/8/14 阅读：249

华力微拉拢联发科抢攻FinFET制程 较劲中芯、高通

华力微业界传出大陆华力微电子高层近期来台拜会联发科，表达大陆半导体政策已不再满足于28纳米制程，希望先进逻辑制程技术全面拥抱FinFET制程世代。半导体业者指出，中芯国际与高通（Qualcomm）宣布共同研发14纳米FinFET制程后，华力微亦...

分类：业界要闻 时间：2015/8/11 阅读：256 关键词：FinFET

工艺制程跑太快，芯片电源设计拖后腿？

随着技术不断进步，市场对设备秏电量的要求也越来越严格。小至移动装置、大到资料中心，低秏电的要求已经对半导体生态系统产生庞大压力。不仅既有的设计及架构需重新考量，应用的技术及验证方法需改变，甚至对结果的预期也需重新调整。即...

分类：业界要闻 时间：2015/8/3 阅读：192 关键词：芯片

台积电目标：10nm制程技术超越英特尔

晶圆代工龙头厂台积电虽释出半导体业库存调整将延长到今年第四季，但10纳米先进制程量产时程可望首度半导体业巨擘英特尔（Intel），台积电董事长顾问蒋尚义不讳言，台积电目标就是要超越英特尔，言下之意，唯有台积电技术拼过英特尔，取...

分类：业界要闻 时间：2015/7/20 阅读：529 关键词：10nm英特尔