台积电全力为海思助攻第四代移动通信（4G）商机，成功产出全球首颗16纳米制程网通处理器，甚至可能还包括应用手机的移动通信芯片，让今年跻身海思一线后段测试厂的京元电，明年订单大补，有机会窜升成为京元电第二大客户。据了解，京元电...
分类：新品快报 时间：2014/10/9 阅读：160 关键词：处理器
晶圆代工龙头台积电（2330）全力冲刺16奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程，昨（25）日宣布与海思半导体（HiSilicon）合作，成功率先产出业界首颗以FinFET制程及ARM架构为基础且功能完备的网通处理器。业者分析，台积电16奈米Fin
中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布38纳米NAND闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为一家可为客户生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂客户对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求...
分类：新品快报 时间：2014/9/11 阅读：561
台积电16奈米FinFET制程量产时间点若提前1季、至明年第二季，除了拿下极具指标意义的苹果A9订单机率大增外，预估明年将带来15亿美元营收，且占第三季与第四季营收比重将快...
分类：业界动态 时间：2014/8/27 阅读：859 关键词：16nm
台积电冲刺20/16纳米先进制程，同时建置先进封测并提升多种特殊制程产能，昨(12)日董事会大手笔核准910.3亿元资本支出预算，加速抢食智能行动装置以及物网联商机。台积电表示，今年资本支出预估约95亿到100亿美元(约新台币2,850亿至3,00
分类：名企新闻 时间：2014/8/18 阅读：105
台积电16nm3DFinFET制程布局计划为了拉开与英特尔及三星之间的技术差距，台积电加快16nm鳍式场效电晶体（FinFET）制程进入量产速度，并提前一季度在第3季开始进行试产，而且首颗产品是大陆IC设计龙头海思（Hisilicon）的64位元手
分类：业界动态 时间：2014/8/14 阅读：722 关键词：FinFET
8月12日，英特尔公布了微架构的细节，该微架构使用英特尔业界的14纳米制程工艺进行了优化。新的微架构和14纳米制程技术相结合，将以高性能、低功耗的特性支持一系列计算需求和产品，涵盖了从云计算和物联网基础设施，到个人及移动计算。...
分类：名企新闻 时间：2014/8/13 阅读：704 关键词：英特尔
不论是采用玻璃或是塑料薄膜作为传感器基板，两者均往更轻、更薄与更好的光学透光度方向上改进。在NPDDisplaySearch出版的“触控传感器市场和演变报告”（TouchSensorMarke...
分类：业界动态 时间：2014/6/27 阅读：913 关键词：触控传感器
虽然高通（Qualcomm）近期宣布将采用台积电20纳米制程，在2014年底、2015年初量产旗舰级的骁龙（Snapdragon）800系列芯片解决方案，有意塑造公司芯片技术仍然其他竞争对手...
分类：名企新闻 时间：2014/5/29 阅读：674
“今年年底，中芯国际28纳米工艺制程将有望量产，20纳米工艺将在2015年准备好。”在83届中国电子展上，中芯国际公共事务资源副管理师马硕接受证券时报记者采访时表示。作为...
分类：业界要闻 时间：2014/4/14 阅读：682
全球半导体产业链在上个世纪80年代初开始分化，首先是IC设计业从IDM(整合元件制造商)中分离。导致IC设计业分离有两个原因：一个是计算机辅助设计(CAD)逐渐成熟，另一个是IC设计的附加值已经大于芯片制造所创造的价值。从1981年起，专门提...
分类：业界动态 时间：2013/10/12 阅读：1115
导读：随着台积电、联电和英特尔（Intel）等半导体制造大厂积极投入16/14奈米FinFET制程研发，EDA业者正大举在FinFET市场攻城掠地。16/14奈米（nm）先进制程电子设计自动化（EDA）市场战火正式点燃。EDA业者正大举在FinFE
台积电正多管齐下打造兼顾效能与功耗的新世代处理器。为优化处理器性能并改善晶体管漏电流问题，台积电除携手硅智财业者，推进鳍式晶体管(FinFET)制程商用脚步外，亦计划从晶圆导线(Interconnect)和封装技术着手，加速实现三维芯片(3DIC)
分类：名企新闻 时间：2013/7/8 阅读：592
在Synopsys的协助下，台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm制程FinFET产品的制造，而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现这一目标又迈进了
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，但各大DRAM制造商仍将持续朝2x纳米甚至1x纳米节点前进。T
