SPW47N60C3描述：根据各大电子网站搜索排名，SPW47N60C3近期散装所报参考价区间为：6元/pcs~10元/pcs，原装所报参考价区间为：26元/pcs~35元/pcs。据各大商家反映，该型号近期价格有所上涨，涨幅略微有点大，市场反应比
分类：维库行情 时间：2011/10/18 阅读：822 关键词：晶体管
SPB17N80C3价格分析：根据各大电子网站搜索排名，SPB17N80C3近期所报参考价区间为：3元/pcs~3.5元/pcs。据各大商家反映，该型号近期价格有所下跌，跌幅不算太大。库存相对充足，无需订货。SPB17N80C3基本参数：所属类别：
分类：维库行情 时间：2011/10/12 阅读：1465 关键词：晶体管
IXGH60N60市场价格行情：IXGH60N60，近期是华强北各大IC电子市场的热门搜索之一。询问价和需求的人都比较多。IXYS品牌在市场上也占据了一定的地位，市场的销售量比较稳定。近期IXGH60N60的商户报价也比较积极。总体来说，目前该型号
晶体管2SJ360为MOSFETP通道，金属氧化物，采用2-5K18封装形式，该产品近期所报参考价为0.8元/pcs--1.3元/pcs。基本介绍型号：2SJ360类型：晶体管厂家：Toshiba(Toshiba)FET型：MOSFETP通道，金属
分类：维库行情 时间：2011/9/21 阅读：281 关键词：晶体管
MMBTH10，近期是各大IC电子市场的热门搜索之一。询问价的人比较多，商户的报价也比较积极。市面上MMBTH10的品牌众多，如Fairchild、MOT、ON、LRC、CJ等。但是主要的品牌还是Fairchild和CJ，它们的报价最多。Fairc
分类：维库行情 时间：2011/9/5 阅读：1151 关键词：晶体管
日前消息，宜普电源转换公司(EPC)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)系列的成员EPC2014。EPC2014采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装，以增强其高频开关性能，具有环保特性。EPC2014FET是
分类：新品快报 时间：2011/8/31 阅读：577 关键词：晶体管
随着电费占运营成本(OPEX)很大一部分，且运营成本则占总成本约70%，降低功耗对运营商来说已刻不容缓。以前，芯片提供商想办法通过晶体管和工艺技术来降低功耗。虽然晶体管是产生功耗的主要原因，但并非因素，而且通过晶体管来降低功耗作...
分类：业界动态 时间：2011/8/18 阅读：574 关键词：晶体管
NXP推出PBSM5240PF小信号晶体管和N沟道Trench MOSFET
作为全球前十大半导体公司，恩智浦半导体（NXP）昨日宣布推出采用DFN2020-6(SOT1118)无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道TrenchMOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6(SOT1118)无铅塑料封装占位面
晶体管的结构类似于三明治，在较低的直流电压下，发射极、基极和集电极执行类似的任务，而不需要“预热”。在数字电路中，集成电路芯片就是各个晶体管及金属丝的集合。型号：2SK2466所属类别：晶体管品牌：TOSHIBA封装：TO-220F基本参数...
分类：维库行情 时间：2011/8/12 阅读：274 关键词：晶体管
产品型号：SGB02N120厂家：INFINEON基本参数：类别：晶体管封装/箱体:TO-263集电极-发射极电压VCEO:1200V栅极/发射极电压:+/-20V集电极连续电流Ic:6.2A封装:Reel配置:Single工作温度
据《日本经济新闻》等多家媒体2011年7月21日报道，日本科学技术振兴机构(JST)日前与韩国三星电子公司签订协议，将东京工业大学细野秀雄等专家发明的新一代薄膜晶体管(TFT)专利技术转让给韩方。新一代薄膜晶体管研究课题是日本政府资助的...
分类：名企新闻 时间：2011/8/4 阅读：370 关键词：晶体管
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch...
分类：维库行情 时间：2011/7/1 阅读：245 关键词：晶体管
科锐公司日前宣布，截至2011年4月，公司的无线射频（RF）业务部门已出货的商用碳化硅衬底氮化镓(GaN-on-SiC)RF功率晶体管和MMIC产品的合计RF输出功率已突破10兆瓦。这一里程碑式成果充分说明了科锐的氮化镓HEMT和氮化镓MMIC技术
分类：新品快报 时间：2011/7/1 阅读：312 关键词：晶体管
近日消息，据外媒报道，据市场研究机构ICInsights预测，全球功率晶体管(powertransistors)市场2011年将达到131亿美元营收规模，较2010年成长9%；该市场在2010年的成长率为44%。在功率晶体管市场中，内建IGBT之模
分类：行业趋势 时间：2011/6/29 阅读：289 关键词：晶体管
日本京都大学的研发小组试制出室温时电流增幅率为257和335的SiCBJT（bipolarjunctiontransistor）。这是目前业内水平，大大超过本田技术研究所等的电流增幅率为130的BJT。BJT与其他的晶体管相比具有导通电阻小的优
分类：新品快报 时间：2011/6/21 阅读：1239 关键词：晶体管
