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Spansion新推65nm FL-S NOR闪存系列

日前消息,据外媒报道,全球的专门从事闪存开发、生产和营销的高科技跨国企业Spansion宣布推出读取速度达66MB/s的65nmFL-SNOR闪存系列,存储密度为128Mb至1Gb。图SpansionFL-S系列与竞争产品在生产吞吐量方面的比较

分类:新品快报 时间:2011/9/29 阅读:872

TI发布65nm工艺Cortex-M4F MCU

近日消息,据外媒报道,美国德州仪器(TexasInstrumentsIncorporated,TI)发布了采用英国ARM处理器内核“Cortex-M4F”的MCU“StellarisLM4F×”。采用65nm节点的半导体工艺制造,主要用于FA装置、

分类:新品快报 时间:2011/9/29 阅读:461 关键词:MCU

清华大学与TSMC共创65nm里程碑

清华大学与TSMC16日共同发表65nm产学合作成果,藉由TSMC所提供的65nm制程晶圆共乘服务,清华大学微电子学研究所在半数字锁相环(PhaseLockLoop)以及模拟/数字转换器(AnalogD...

分类:业界要闻 时间:2010/12/17 阅读:461 关键词:TSMC清华大学

15nm CMOS技术的发展

在半导体制造技术相关国际会议“2010IEEEInternationalElectronDevicesMeeting(IEDM2010)”开幕前一天的2010年12月5日,举行了一场以“15nmCMOSTechnology”为题的短讲座...

分类:业界要闻 时间:2010/12/13 阅读:1333 关键词:CMOS

美光推出25nm MLC处理器

正当涉足NAND闪存业务整整一年之际,美光于12月2日新推出一种功能强大且封装紧密的25nmMLC处理器,这可使美光在当前的闪存市场处于更加有利的地位。这款命名为ClearNAND的芯片分为标准型和增强型两个版本,标准版的存储容量为8GB和32GB

分类:新品快报 时间:2010/12/7 阅读:199 关键词:MLC处理器

国产65nm大角度离子注入机进入晶圆生产线

由北京中科信电子装备有限公司自主研发的300mm/65nm大角度离子注入机进入中芯国际(北京)集成电路制造有限公司,开始接受国际主流生产线的技术测试与器件工艺检验,为这一国产集成电路制造装备实现重大技术跨越作的冲刺。据了解,这是国产...

分类:业界要闻 时间:2010/11/25 阅读:293 关键词:生产线

爱特公司发布全新65nm嵌入式快闪平台

美高森美公司(MicrosemiCorporation)宣布,旗下SoC产品部门(原为爱特公司ActelCorporation)发布全新65nm嵌入式快闪平台,以用于构建公司下一代基于快闪的可定制系统级芯片(system-on-chip,SoC)。

分类:新品快报 时间:2010/11/18 阅读:1650

美光新型25nm NAND闪存技术 性能提升50%

美光科技(MicronTechnologyInc.)宣布,美光获奖的25nmNAND已获日立LG数据储存公司(Hitachi-LGDataStorageInc.简称HLDS)采用作为其新型混合光驱(ODD)的闪存解决方案。此款采用美光25nmNAN

分类:业界要闻 时间:2010/10/29 阅读:375 关键词:NAND

下代龙芯将跳过45nm直接采用28nm工艺技术,可能吗?

据龙芯处理器的首席架构设计师,中科院计算技术研究所(ICT)的胡伟武教授透露,2011年龙芯将推出数款基于65nm制程的产品,同时下一代龙芯处理器则将采用28nm制程进行制作。胡伟武同时透露他们将推出一系列龙芯新产品,其型号包括一款服务...

分类:业界要闻 时间:2010/9/20 阅读:1181 关键词:28nm

Cadence刘国军:中国已逐步具备65nm芯片设计能力

几年前,65nm芯片设计项目已经在中国陆续开展起来。中国芯片设计企业已逐步具备65nm芯片的设计能力。同时,由于65nm与以往更大特征尺寸的设计项目确实有很大不同,因此,对一些重要环节需要产业上下游共同关注。关注一如何确保IP质量虽然...

分类:行业访谈 时间:2010/9/9 阅读:926

Cadence刘国军:65nm及以下芯片设计要破传统

几年前,65nm芯片设计项目已经在中国陆续开展起来。中国芯片设计企业已逐步具备65nm芯片的设计能力。同时,由于65nm与以往更大特征尺寸的设计项目确实有很大不同,因此,对一些重要环节需要产业上下游共同关注。关注一如何确保IP质量虽然...

分类:业界要闻 时间:2010/9/9 阅读:232

英特尔与镁光开始出样25nm TLC闪存

英特尔今天宣布和镁光一起发布25nmTLC闪存的款样品,TLC(Trinary-LevelCell;TLC),即3bit/cell,也就是1个内存储存单元可存放3位元。TLC速度慢,寿命短,但成本低,价格也较便宜,有2000-5000次擦写寿命

分类:新品快报 时间:2010/8/18 阅读:178 关键词:英特尔

中芯国际65nm项目进展如火如荼 已成功进入量产

中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证券交易所:SMI,香港联交所交易代码:0981.HK),作为的半导体代工厂,也是最中国内地的半导体制造商今天宣布,其自2009年第三季开始在中芯国际北京12寸厂生产的65纳米技术晶圆出

分类:名企新闻 时间:2010/8/4 阅读:385

65nm将成为大陆芯片制造主流

一度沉寂的大陆芯片制造行业最近忽然热闹起来,巧的是都与65nm技术息息相关。Intel早在2009年就宣布,正在建设中的大连工厂Fab68将采用65nm工艺技术。65nm工艺是目前美国政府批准的在海外可采用的别生产技术。这座12英寸晶圆厂预计

分类:业界要闻 时间:2010/6/12 阅读:1000

英特尔25nm闪存量产 演绎新固态硬盘时代

据国外媒体报道,英特尔证实它与美光闪存公司合作开发的25nm闪存已经开始量产,并开始向消费者供货。IMFT(Intel-MicronFlashTechnologies,英特尔美光闪存技术公司)于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片样本,二

分类:名企新闻 时间:2010/5/21 阅读:322 关键词:固态硬盘英特尔