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Intel开始出货25nm 8GB闪存芯片

英特尔今天开始出货25纳米NAND闪存,容量为8GB,新款芯片外型上比原有的34nm版本更小,但存储能力却增加了一倍,这种芯片主要面向智能手机和多媒体播放器。同时英特尔还暗示600GB的固态硬盘产品将在今年年末出现,使用的应该也就是这款闪...

分类:名企新闻 时间:2010/5/19 阅读:878 关键词:Intel

ST发布55nm嵌入式闪存制造工艺

意法半导体发布55纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器(MCU)芯片将采用这项先进技术。目前,意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作。55nm嵌入式闪存技

分类:业界要闻 时间:2010/4/1 阅读:1151

美光即将量产25nm工艺NAND

在半导体内存行业,美国美光科技(MicronTechnology)的地位在不断提高。该公司2010年2月宣布收购大NOR闪存厂商瑞士恒忆(NumonyxB.V.)。除DRAM、NAND闪存外,该公司今后还将涉足NOR闪存、MCP(Multi-c

分类:名企新闻 时间:2010/3/26 阅读:197 关键词:NAND

英特尔、美光25nm NAND闪存二季度开售

Intel、美光合资公司Intel-MicronFlashTechnologies(IMFT)宣布,25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售,预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。IMFT25nmNAND闪存于

分类:名企新闻 时间:2010/3/24 阅读:757 关键词:NAND英特尔

Intel、美光25nm NAND闪存二季度开售

Intel、美光合资公司Intel-MicronFlashTechnologies(IMFT)宣布,25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售,预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。IMFT25nmNAND闪存于

分类:业界要闻 时间:2010/3/23 阅读:758 关键词:IntelNAND

芯片业提前反弹厂商对65nm代工需求突增

关于全球经济的景气趋势,经济学家的预测有时是不准的。像2009年初期大家都比较悲观,现在看来,由于全球经济复苏的力道较预期强劲,预计2010年就可超越2008年表现,这要归功于中国的山寨产品。而台积电在库存管理方面做得不错,所以恢复...

分类:业界要闻 时间:2010/1/20 阅读:782

芯片业提前反弹 厂商对65nm代工需求突增

关于全球经济的景气趋势,经济学家的预测有时是不准的。像2009年初期大家都比较悲观,现在看来,由于全球经济复苏的力道较预期强劲,预计2010年就可超越2008年表现,这要归功于中国的山寨产品。而台积电在库存管理方面做得不错,所以恢复...

分类:业界要闻 时间:2010/1/19 阅读:648

尔必达开发出新款65nm XS制程1Gb DDR3内存芯片

尔必达公司近日宣布完成了基于其新65nmXS(extra-shink)制程1GbDDR3内存芯片产品的开发工作,并称使用这种新制程技术制作出的内存芯片在制作成本方面要比现有的50nm制程内存芯片更低。当应用在300mm尺寸晶圆上时,这种65nmXS

分类:新品快报 时间:2009/12/18 阅读:381 关键词:DDR3尔必达

中国龙芯3处理器首次采用65nm技术

龙芯3在新思科技(EDA集团美国新思科技公司)的帮助下,已经将设计移植到65纳米制程。龙芯科技有限公司是中国中科院投资组建,该公司的龙芯3多核心处理器是与新思科技合作设计,首次采用65纳米技术。新思科技提供了重要的设计工具帮助,...

分类:业界要闻 时间:2009/12/14 阅读:1130 关键词:处理器

中芯国际45nm制程今年12月试产

“中芯国际个45nm产品今年12月试产。”中芯国际总裁兼执行长张汝京在10月23日上海举办的第九届技术研讨会上透露,“中芯深圳的200mm生产厂今年年底将建设好,明年季度设备进场,安装调试,第二季度开始试产。”在随后的媒体见面会上,中...

分类:业界要闻 时间:2009/10/26 阅读:319

利用IBM技术 ARM45nm 测试芯片实现40%的功耗降低

ARM公司(伦敦证交所:ARM;纳斯达克:ARMH)近日在于加州福斯特市举行的IEEESOI大会上发布了一款绝缘硅(silicon-on-insulator,SOI)45纳米测试芯片的测试结果。结果表明,相较于采用传统的体硅工艺(bulkproce

分类:名企新闻 时间:2009/10/14 阅读:285 关键词:ARMIBM

SemiLED发布新型高功率365nm UV LED

的LED芯片开发商旭明科技(SemiLEDs)日前宣布推出型号为P5的UVLED,这是一款高功率5W365nmUVLED,这一产品被SemiLEDs认为是一次重大进展,因此该公司已经成为目前业内生产高功率365nmUVLED的芯片供应商。P

分类:新品快报 时间:2009/9/23 阅读:847 关键词:lead

ST-Ericsson发布业界首颗65nm TD-HSPA基带芯片

ST-Ericsson及其中国子公司天碁科技(T3G)近日共同发布业界首颗65nmTD-HSPA基带芯片。该芯片与现有产品相比,尺寸更小,功耗更低,因此非常适合移动设备。65nmTD-HSPA基带芯片支持高速宽带上传和下载。下载速度可达2.8M

分类:业界要闻 时间:2009/9/17 阅读:779

ST-Ericsson推出业界首颗65nmTD-HSPA基带芯片

ST-Ericsson及其中国子公司天碁科技(T3G)日前共同发布业界首颗65nmTD-HSPA基带芯片。该芯片与现有产品相比,尺寸更小,功耗更低,因此非常适合移动设备。ST-Ericsson中国区总经理、天碁科技首席执行官左翰博(JohanPro

分类:新品快报 时间:2009/9/15 阅读:850

台积电Q4增加40/45nm300mm晶圆产能

9月14日据国外媒体报道,台积电公司计划未来数月内对40/45nm制程300mm晶圆产品进行增产。尽管此前预计的四季度芯片销量有可能会下降3%左右,但台积电依然决定将40/45nm制程300mm晶圆产品的产能提升1/3。按他们的计划,在今年剩下的四

分类:业界要闻 时间:2009/9/14 阅读:933