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高通针对大众市场智能手机推出首批单芯片45nm多模解决方案

的无线技术和数据解决方案的开发及创新厂商美国高通公司(Nasdaq:QCOM)今天宣布推出三款全新的45纳米单芯片解决方案,旨在让面向大众市场的智能手机具备卓越的功能组合。其中,QSC7230解决方案用于HSPA+终端,QSC7830解决方案用

分类:名企新闻 时间:2007/11/16 阅读:965

FARADAY选择Cadence VoltageStorm用于65nm低功耗签收

全球电子设计创新企业Cadence设计系统公司(NASDAQ:CDNS),与的ASIC和硅智产(SIP)无晶圆IC设计公司智原科技(TAIEX:3035),今天宣布智原已经采用CadenceVoltageStorm功率分析技术进行低功耗签收

分类:名企新闻 时间:2007/11/15 阅读:573

赛灵思65nm产品摘取中国电子业界创新大

全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司(Xilinx,Inc.(NASDAQ:XLNX))日前宣布其创新的65nm技术获得了中国电子行业权威专家及电子设计社群的一致认可,其业界投入量产的65nmFPGA产品系列中的Virtex-5LXT荣膺I

分类:名企新闻 时间:2007/11/12 阅读:700

富士通自主开发出CMP模拟器 应用于300mm晶圆的65nm及90nm工艺

据日经BP社报道,富士通研究所和富士通自主开发出了模拟LSI布线平坦化工序的CMP(chemicalmechanicalplanarization)模拟器。该模拟器2007年4月开始在富士通LSI制造现场用于检查和改进300mm晶圆的90nm和65

分类:名企新闻 时间:2007/11/10 阅读:233 关键词:富士通

尔必达明年将量产65nm工艺1Gb DDR2内存

日本目前的DRAM厂商尔必达(ELPIDA)今天宣布,它已经成功开发出基于65nm工艺的1GbDDR2内存的生产技术。这一技术将使尔必达可以提供全球尺寸最小的内存芯片。“新的65nm工艺与我们自有的设计技术,使我们生产全球最小的1GbDDR2芯

分类:行业趋势 时间:2007/11/10 阅读:834 关键词:DDR2

赛灵思65nm产品摘取中国电子业界创新大奖

全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司(Xilinx,Inc.(NASDAQ:XLNX))日前宣布其创新的65nm技术获得了中国电子行业权威专家及电子设计社群的一致认可,其业界投入量产的65nmFPGA产品系列中的Virtex-5LXT荣膺I

分类:名企新闻 时间:2007/11/10 阅读:185

Spansion与中芯国际签署晶圆代工协议,生产300mm、65nm MirrorBit产品

纯闪存解决方案供应商SpansionInc.宣布,为加强对中国市场的关注力度,Spansion已与晶圆代工领域的企业中芯国际集成电路制造有限公司展开合作。Spansion将向中芯国际转让65纳米MirrorBit技术,用于其在中国的300毫米晶

分类:名企新闻 时间:2007/11/7 阅读:127

赛灵思90nm和65nm产品线销售创新纪录

全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司(Xilinx,Inc.(NASDAQ:XLNX))今天宣布,其90nm和65nm器件的销售在亚太地区创纪录营收的大力推动下,创造了一个新的纪录。赛灵思90nm和65nm器件在消费和通信领域的广泛应用,是促使

分类:名企新闻 时间:2007/11/6 阅读:451

Spansion与中芯国际签代工协议,生产300mm、65nm MirrorBit产品

全球的纯闪存解决方案供应商SpansionInc.(NASDAQ:SPSN)今天宣布,为加强对中国市场的关注力度,Spansion已与晶圆代工领域的企业中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证交所股票代码:SMI,香港联合交易所股

分类:名企新闻 时间:2007/10/25 阅读:766

IBM技术联盟选择TEL高K介质设备开发45nm技术

IBM技术联盟日前表示将采用东京电子(TEL)的高K电介质设备用于45nm技术研发。IBM技术联盟成员包括:AMD、特许、英飞凌及三星。TEL与IBM在高K技术上的合作已有一段时间,目前,IBM正在使用TEL的CVD设备开发45nm及以下节点栅叠工

分类:名企新闻 时间:2007/10/25 阅读:666 关键词:IBM

晶圆设备商爆料 AMD45nm2009年上马

虽然说AMD已经按部就班推进自己的45nm制程事业,但是眼看11月11日,Intel投资的三个45nm制造厂的批产品已经准备就绪要上市了,加上财报发布的巨大落差,AMD的好消息似乎没几个呢。不过今天ASML公司的季度电话会议上一些有趣的信息看来

分类:行业趋势 时间:2007/10/23 阅读:503

联电65nm RFCMOS制程准备就绪 针对无线SoC应用

联电公司((UMC))日前对外宣布,其65nmRFCMOS(射频互补金属氧化半导体)制程已可接受客户的设计导入。这项制程是针对下一代的无线系统级芯片(SoC)应用产品,包括WiFi,WiMax,无线USB以及手机,目前已有多家客户投入。这项射频制程

分类:名企新闻 时间:2007/10/16 阅读:229 关键词:SoC

松下45nm工艺“UniPhier”集成2.5亿个晶体管

松下电器产业日前在东京一家宾馆内,就“CEATECJAPAN2007”上发布的蓝光光盘录像机和DVD录像机配备的45nm工艺SoC(系统级芯片)“UniPhier”做了说明。与2000年发布的180nm产品相比,晶体管个数增至原来10倍左右,约2亿

分类:业界要闻 时间:2007/10/10 阅读:2322

65nm技术开发的FeRAM材料存储能力高达256Mb

东京理工大学和富士通微电子已经联合开发出用于新一代非易失性铁电随机存储器(FerroelectricRandomAccessMemory,FeRAM)的材料和工艺技术。这种改进的铋、铁、氧元素的合成材料(BiFeO3或BFO)能使FeRAM设备的数

分类:业界要闻 时间:2007/9/26 阅读:394

LSI提供新一代65nm多接口物理层IP样片

LSI公司日前宣布已开始提供新一代65纳米多接口物理层(PHY)IP——TrueStore®PHY8800,该产品将用于笔记本、台式机及企业存储系统的硬盘驱动器(HDD)。LSITrueStore®PHY8800的数据传输速率高达每

分类:新品快报 时间:2007/9/26 阅读:593