TDK开发出NAND闪存控制器芯片GBDriverRS2系列
TDK公司日前宣布开发出兼容串行ATA(SATA)II的NAND闪存控制器芯片GBDriverRS2系列，并计划于五月份开始销售。TDK新型GBDriverRS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率达95MB/S的高速访问。该产品支持2KB/
TDK公司日前宣布开发出兼容串行ATA(SATA)II的NAND闪存控制器芯片GBDriverRS2系列，并计划于五月份开始销售。TDK新型GBDriverRS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率达95MB/S的高速访问。该产品支持2KB/
NANDFlash价格逐步回稳，配合结合卡类加密等新产品应用日新月异，也让未来发展性更受市场瞩目。过去微软每推出一代新操作系统，市场就关注于对标准型DRAM需求的提升。但即将发布的Windows7却打破这项传统，除可刺激DRAM需求，也兼顾到NAN
时间：2009/4/9 阅读：568 关键词：NAND
美光公司因其DRAM和NAND闪存技术创新获半导体Insight奖
美光科技股份有限公司宣布，SemiconductorInsights选择美光公司两项业内的DRAM和NAND创新作为其第八届Insight年度大奖的获胜者。美光公司的32Gb、34纳米的NAND闪存获得“创新性工艺技术”奖，其1Gb、50纳
FSI将ViPR全湿法无灰化清洗技术扩展到NAND闪存生产中
半导体制造晶圆加工、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司宣布：一家主要的存储器制造商将FSI带有独特ViPR全湿法无灰化清洗技术的ZETA清洗系统扩展到NAND闪存生产中。许多器件制造商对采用FSI的ZETAViPR技术在自对准多晶硅化物形成
分类：名企新闻 时间：2009/4/2 阅读：743 关键词：NAND
美光公司的NAND闪存和DRAM技术创新获Semiconductor Insights认可
美光科技有限公司（MicronTechnology,Inc.，纽约证券交易所：MU）近日宣布，美光的32Gb、34纳米NAND闪存和1Gb、50纳米DRAM创新技术获得SemiconductorInsights公司（简称SI公司）认可，进入SI第八
分类：名企新闻 时间：2009/3/27 阅读：856 关键词：NANDSemiconductor
FSI国际有限公司近日宣布：一家主要的存储器制造商将FSI带有独特ViPR全湿法无灰化清洗技术的ZETA清洗系统扩展到NAND闪存生产中。许多器件制造商对采用FSI的ZETAViPR技术在自对准多晶硅化物形成过程所带来的益处非常了解。该IC制造商就
分类：名企新闻 时间：2009/3/27 阅读：160
美光科技有限公司日前宣布，美光的32Gb、34纳米NAND闪存和1Gb、50纳米DRAM创新技术获得SemiconductorInsights公司（简称SI公司）认可，进入SI第八届Insight年度大奖的最终评选。美光的32Gb、34纳米NAND
日前，Micron(美光)科技股份有限公司公布其高密度系列的块抽象化(BA)NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BANAND是个单封装解决方案，使用美光业内的34纳米工艺技术-将MLCNAND与一个内存控制器相结合，无需对控制器/系
分类：名企新闻 时间：2009/3/17 阅读：217 关键词：NAND
日前，美光科技股份有限公司推出行业密度的块抽象化(BA)NAND闪存产品系列，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BANAND是个单封装解决方案，使用美光业内的34纳米工艺技术-将MLCNAND与一个内存控制器相结合，无需对控制器/系统进行费
分类：名企新闻 时间：2009/3/13 阅读：609 关键词：NAND
今日，美光科技股份有限公司公布其高密度系列的块抽象化(BA)NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BANAND是个单封装解决方案，使用美光业内的34纳米工艺技术-将MLCNAND与一个内存控制器相结合，无需对控制器/系统进行费力的重设
分类：名企新闻 时间：2009/3/12 阅读：593 关键词：NAND
SanDisk开发出32纳米NAND闪存技术是世界上体积最小的闪存芯片
全球闪存供货商SanDisk（NASDAQ:SNDK）和东芝公司日前宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB3bits/单元（3-bits-per-cell）(X3)存储芯片，共同开发出多层式芯片(MLC)NAND快闪存储器。该项
分类：名企新闻 时间：2009/2/16 阅读：232 关键词：NAND
从70年代开始，相变内存(PhaseChangeMemory，PCM)就开始成为一个热议话题，由于其高读取/写入速度、低易失性和高存储密度而成为可能取代磁性存储介质的选择。现在，相变内存被认为是继NAND闪存后的下一代技术，因为它可以弥补NAND技
分类：行业访谈 时间：2009/2/2 阅读：1205 关键词：NAND
在不断寻求NAND闪存领域的技术，SanDisk公司透露该公司将在2009年推出32纳米的产品。而SanDisk的合作伙伴，东芝(Toshiba)公司也据称将要在2009年下半年发布纳米的NANA芯片。其他公司或许也会推出的NAND产品，
分类：名企新闻 时间：2009/1/15 阅读：742 关键词：NAND
恒忆推出新系列NAND闪存定位于高密度eMMC和microSD解决方案
以提供完整的NOR、NAND、RAM和PCM（相变移位存储器）解决方案为己任，恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元(MLC)NAND闪存、3
分类：名企新闻 时间：2008/12/22 阅读：315 关键词：NAND
