《IEEETransactionsonMagnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授MarkKryder、博士生ChangSookim的一篇研究文章.师徒俩研究了13种非易失性存储技术,看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘,
分类：业界要闻 时间：2009/11/6 阅读：904 关键词：NAND
《IEEETransactionsonMagnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授MarkKryder、博士生ChangSookim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘，
分类：业界要闻 时间：2009/11/6 阅读：751 关键词：NAND
美国FormFactor已将该公司300mm晶圆检查用MEMS探针卡应用于NAND型闪存.由于存在装置成本和交货期等问题,迄今一直难以应用于闪存,而主要用于DRAM检查.此次,该公司新开发出了适用于32nm以后微细工艺多值产品的MEMS探针卡.NA
东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值（MLC）NAND闪存的SSD（固态硬盘）。存储容量分别为30GB和62GB。与原来的2.5英寸SSD相比，除了体积缩小至1/7左右、重量减少至1/8左右之外，耗电量也削减了约1/2。预定2009年10月开
市场研究机构ICInsights最近发布的McCleanReport年中更新数字指出，闪存产业将在接下来几年由原本的买方市场转变为卖方市场。ICInsights表示，闪存的单位出货量与位元需求都将有所成长，不过闪存制造商却在这几年缩减投资产能。该机
分类：业界要闻 时间：2009/9/10 阅读：747 关键词：NAND
直到目前，人们还普遍认为只有SLC具有可以满足企业需求的性能和可靠性，而MLCNAND闪存更适合消费设备。然而，Fusion-io计划推出一种被称为SMLC（singlemodelevelcell）的新型企业级NADN闪存，可以为用户提供可直接插入
美国从事半导体相关市场调查的ICInsights发布预测称，NAND闪存市场将迎来价格上升局面。ICInsights预测，由于在需求增加的情况下各大厂商减少设备投资，造成供需紧张，因此到2012年之前平均销售价格将继续保持上升趋势。ICInsigh
分类：行业趋势 时间：2009/9/1 阅读：955 关键词：NAND
根据ICInsights近期发布的McCleanReport年中更新版显示，闪存市场将发生变化，在未来几年将从买方市场转向卖方市场。闪存出货量和位需求量预计将增长，但闪存产能的投资这两年正在减小。ICInsights预计2009年闪存资本支出将下滑
分类：行业趋势 时间：2009/8/31 阅读：1338 关键词：NAND
在近日于美国举行的快闪记忆体高峰会(FlashMemorySummit)上，一位业界高层对NAND市场做出了大胆的预测。在专题演说中，SanDisk创办人暨总裁、执行长EliHarari警告，NAND产业正处于“十字路口”，主要是因为市场产能供应与
分类：业界要闻 时间：2009/8/25 阅读：181 关键词：NAND
英特尔SSD的NAND闪存向34nm工艺产品过渡“售价最多可降低60％”
美国英特尔发布了配备34nm工艺技术NAND闪存的SSD（固态硬盘）（英文发布资料）。该公司称配备34nm工艺NAND闪存的SSD为“业界首款”。过渡到34nm工艺，可缩小芯片面积等，产品厂商能以最多降低60％的价格购入SSD产品。可兼容2.5英寸
Intel宣布，公司已出货业界首款34nm制程NAND闪存SSD。Intel称34nm制程可使SSD价格下滑60%之多，PC和笔记本制造商以及消费电子制造商可获得更小尺寸的芯片，实现先进工程设计。SANFRANCISCO—IntelCorp.sai
美光科技有限公司(Micron)日前宣布使用其34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。随着消费者需要更高的容量以便在越来越小的便携式电子设备中存储更多的音乐、视频、照片及应用程序，制造商需要一种存储解决方案，以实现所需的容量、...
分类：新品快报 时间：2009/7/8 阅读：220 关键词：NAND
近日，MicronTechnology宣布NAND闪存芯片实现量产采用34nm工艺技术。还称其子公司LexarMedia将推出34nm闪存卡和USB闪盘。Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IMFlash推出34nm芯片。Micron
分类：名企新闻 时间：2009/7/2 阅读：839 关键词：NAND
Toshiba和Samsung延长了与NAND闪存相关交叉许可协议
SamsungElectronics和Toshiba延长了与NAND闪存相关的交叉许可协议。这两家公司是全球最的两家NAND闪存巨头，Samsung和Toshiba所占的市场份额分别为42%和29.3%。Hynix排名第三，占12.3%的市场份
美国硅谷一家公司１９日宣布开发出一种新技术，并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。这家名为“统一半导体”的公司发布新闻公报说，新型存储器的单位存储密度有望达到现有ＮＡＮＤ型闪存芯片的４倍，存储数据的...
