来自市场调查公司inSpectrum的消息称，一股涨价浪潮同时出现在DDR2和NAND闪存现货市场中，起因是存在产品短缺的传闻。目前，1GbDDR2的现货价格上升了1%，为1.42美元。另一方面，随着圣诞节和新年的来临，DDR3闪存的现货市场需求仍
美光科技(MicronTechnologyInc.)近日宣布推出高容量闪存产品组合，其将在未来延长数年NAND产品的生命周期。通过在同一个NAND封装内整合错误管理技术，新的MicronClearNAND装置解决了NAND在传统上面临的由工艺微缩方
分类：新品快报 时间：2010/12/8 阅读：282
集邦科技发布近日报告称，明年全球闪存芯片销售额将达到215亿美元，同比上涨16%，但是其平均价格将同比下降35%。集邦科技称，新款智能机、平板机的发布以及春节期间的采购将缓解明年一季度闪存市场受到的季节性销售因素影响。到二季度时...
分类：维库行情 时间：2010/11/29 阅读：1089 关键词：NAND
美光科技(MicronTechnologyInc.)宣布，美光获奖的25nmNAND已获日立LG数据储存公司(Hitachi-LGDataStorageInc.简称HLDS)采用作为其新型混合光驱(ODD)的闪存解决方案。此款采用美光25nmNAN
分类：业界要闻 时间：2010/10/29 阅读：374 关键词：NAND
三星电子称正在采用20nm级的工艺生产64G每单元三位的NAND闪存。该存储芯片适合用于USB闪存和数码存储卡。三星称该芯片技术已于今年4月导入，但有意见质疑称三星此举是为了宣布27nm工艺已应对竞争对手宣布的26nm、25nm和24nm工艺。今年
分类：名企新闻 时间：2010/10/14 阅读：1087 关键词：NAND
三星电子称正在采用20nm级的工艺生产64G每单元三位的NAND闪存。该存储芯片适合用于USB闪存和数码存储卡。三星称该芯片技术已于今年4月导入，但有意见质疑称三星此举是为了宣布27nm工艺已应对竞争对手宣布的26nm、25nm和24nm工艺。今年
分类：名企新闻 时间：2010/10/14 阅读：899 关键词：NAND
美光科技公司(MicronTechnologyInc.)和英特尔公司(IntelCorporation)今天联合推出25纳米(nm)制程的3-bit-per-cell(3bpc)NAND闪存，该NAND设备拥有业界的容量和最小的尺寸。两家公司已
台湾媒体报道，来自存储芯片制造商的消息称，尽管苹果的iPhone和iPad销售火爆，但也难阻主流MLCNAND闪存芯片期货价格在9月份上半月的下滑。苹果为其iPhone和iPad放出了大量闪存芯片订单，但即便是这样也很难推动NAND闪存价格的上涨，
分类：维库行情 时间：2010/9/17 阅读：874 关键词：NAND
Elpida 和Spansion开始合作生产电荷俘获型NAND闪存
Elpida和Spansion发明一种电荷俘获型闪存，为1.8VSLC(单层单元)4GbNAND闪存存储器。它是基于Spansion的MirrorBit电荷俘获型技术在Elpida的广岛厂进行量产。按公司的说法，与通常的浮栅NAND闪存相比，电荷俘
9月3日消息，据台湾媒体报道，集邦科技(TRENDFORCE)下属研究部门DRAMeXchange表示，8月下旬NANDFlash闪存的合约均价部分持平，部分下跌1%到7%。报道称，目前存储卡及优盘客户的库存仍然充足，且零售渠道市场的需求疲软，因此
分类：维库行情 时间：2010/9/3 阅读：1850 关键词：NAND
东芝公司宣布，即日起开始使用24nm工艺批量生产NAND闪存芯片，这也是该领域内迄今为止最为先进的制造技术。东芝透露，24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度的2bpc(每单元两个比特)MLCNAND闪存芯片，单颗容量64Gb(8GB)
分类：名企新闻 时间：2010/9/1 阅读：1135 关键词：NAND
韩国海力士声称，在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的NAND生产，采用现有的32Gb产品进行叠层封装完成。海力士称它的芯片是26nm的一种，有人称20nm
分类：新品快报 时间：2010/8/12 阅读：913 关键词：NAND
南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64GbNAND闪存芯片，这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mmM11工厂生产的。Hynix公司表示，升级为2xnm制程节点后，芯片的生产率相比3xnm制程提升了60%，芯片的
分类：名企新闻 时间：2010/8/10 阅读：388 关键词：NAND
据Web-Feet刚公布的全球闪存的季度报告，NOR及NAND市场都非常火热。NOR市场由2009年的47亿美元，上升到2010年的57亿美元。而NAND市场与2009年相比增长33.4%，达215亿美元。而同时，Apple及其它OEM釆购大量的闪
分类：业界要闻 时间：2010/8/3 阅读：757 关键词：NAND
近期三星（Samsung）和东芝（Toshiba）共同宣布，两家公司将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDRNAND闪存，即toggleDDR2.0规范。最初的SDRNAND闪存架构接口速度仅为40Mbps，现行的DD
