飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出两种全新的200mW数字晶体管系列，在目前市场上最小的封装中集成了一个外接电阻偏置网络。FJY30xx(NPN)和FJY40xx(PNP)系列专为开关、逆变器、接口及驱动电路而量身定
尽管SMPS（开关电源）本身能防止性短路，但在遇到瞬时过载时有时会出问题。瞬时过载并非短路，但却会使电源超出其标称负载值。这种情况会在开关电源连接典型负载，如打印机头和小型电机时发生。在面对这样的负载时，电源可能会很容易触发...
分类：业界要闻 时间：2007/4/11 阅读：1221 关键词：晶体管
单结晶体管又叫双基极二极管。判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表...
分类：业界要闻 时间：2007/4/5 阅读：374 关键词：晶体管
采用新日本无线生产的光学滤光片，获得与人类视觉感度近似的分光感度特性-新日本无线已经开发完成硅光电晶体管亮度传感NJL7502L，并开始样品供货。NJL7502L适用于室内照明、玩具、电视机等需根据周围环境亮度进行光电开关控制或自动调节...
恩智浦半导体(NXP)近日发布了一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品(如笔记本
恩智浦半导体(NXP)近日发布了一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品(如笔记本
恩智浦半导体(NXP)近日发布了一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品(如笔记本
恩智浦半导体发布了一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品（如笔记本电脑、...
恩智浦半导体（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前发布了一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并能减...
.二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的半波电流的平均值。反向击穿电压VB...
分类：业界要闻 时间：2007/4/2 阅读：502 关键词：二极管
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。放大状态：当加在三极管发射...
分类：业界要闻 时间：2007/4/2 阅读：861 关键词：三极管
晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的二极管。1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话...
时间：2007/4/2 阅读：422 关键词：二极管
由香港国际会展服务有限公司、广东智展展览有限公司联合举办，得到众多协会的支持及参与的“第二届深圳国际压电晶体及器件展览会”将于2007年6月13－15日在深圳会展中心举办。目前，报名参加该展会的企业非常踊跃，包括台湾德玮企业有限...
时间：2007/3/26 阅读：256 关键词：展览会
场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管分结型、绝缘栅型两大...
分类：业界要闻 时间：2007/3/24 阅读：237 关键词：晶体管
