在某些直流/直流转换器中，芯片上的逐周期限流措施在短路期间可能不足以防止故障发生。一个非同步升压转换器可通过电感器和箝位二极管来提供一条从输入端到短路处的直接通路。当负载存在短路时，不管集成电路中限流保护功能如何，流过负...
分类：业界要闻 时间：2007/2/8 阅读：1197 关键词：晶体管
美国英特尔公司和IBM公司近日分别宣布，他们使用铪金属作为电介质，开发出45纳米线宽的晶体管技术工艺，使芯片的集成度比目前65纳米线宽的技术工艺提高了1倍，运行速度提高了20％，器件功耗降低30％。这也是40年来晶体管技术获得的重大突...
AMD计划2008年推45纳米处理器 代号为上海--晶体管 芯片
2月6日消息，AMD的内部指南显示，AMD距离45纳米芯片并不遥远。据dailytech.com网站报道，AMD官员去年年底暗示称，AMD的45纳米处理器代号为“上海”，将采用“巴塞罗纳”内核。AMD高级副总裁MartySeyer称，“上海”将进一
整流器经过连续10个月的价格上涨，今年9月份、10月份，整流器的价格保持平稳。iSuppli公司认为，第四季度的价格可能走平，甚至有可能小幅下降。但后端产品的供应紧张的状况会推迟价格的下降。预计，2007年中期，由于需求的上升其价格又会...
IBM宣布在对晶体管的改进中取得重大突破，这正是科学家长期以来所苦苦追寻的。晶体管是一种微小的开关，是几乎当今所有芯片的基本组成模块。通过与AMD以及包括索尼和东芝在内的其它合作伙伴的协作创新，IBM发现了使用一种新材料制造晶体...
在国家自然科学基金委、科技部、中国科学院的大力支持下，化学所有机固体院重点实验室研究人员与中科院微电子所科技人员合作，在高性能、低成本有机场效应晶体管的研究方面取得新进展，有关研究成果申请了中国发明专利并发表在J.Am.Chem....
昨天，记者从IBM(中国)公司得到确认，1月26日，IBM和英特尔在美国宣布，已经开发出用金属材料来制造晶体管，从而解决长期困扰芯片技术发展的电子泄漏和发热问题。与当前材料相比，新材料可以降低晶体管电子泄漏10倍以上，提升晶体管性能2...
分类：名企新闻 时间：2007/1/31 阅读：1163 关键词：晶体管
瑞萨硅锗功率晶体管RQG2003可降低5GHz无线LAN终端功耗
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQ
分类：名企新闻 时间：2007/1/30 阅读：283 关键词：晶体管
Intel公司和IBM周五宣布在晶体管的研发上获得40年来最重大的进展之一，可确保微芯片尺寸更小，性能更强大。两家公司通过各自独立的开发达成了这一目标，并在周五就行了发布。该项成果是在晶体管中使用一种新材料层来控制流经晶体管的电流...
分类：业界要闻 时间：2007/1/30 阅读：764 关键词：晶体管
Intel公司和IBM周五宣布在晶体管的研发上获得40年来最重大的进展之一，可确保微芯片尺寸更小，性能更强大。两家公司通过各自独立的开发达成了这一目标，并在周五就行了发布。该项成果是在晶体管中使用一种新材料层来控制流经晶体管的电流...
分类：业界要闻 时间：2007/1/29 阅读：744 关键词：晶体管
全球的芯片制造商———英特尔和IBM26日宣布，在芯片技术上取得了40年以来的突破，用金属材料代替二氧化硅作为晶体管，使未来的芯片的体积变得更小，功能更强大。双方分别以各自的研究，通过使用一种新物质来制造晶体管而达成突破。体积...
瑞萨科技（RenesasTechnologyCorp.）发布了高性能的功率硅锗HBT（注1）——RQG2003。该产品实现了业界的性能水平，可应用于无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等设备。样品将于2007年3月在日本开始供
分类：名企新闻 时间：2007/1/29 阅读：277 关键词：晶体管
万用表粗测晶体管时，万用表应置于电阻档，其等效电路如图1中虚线框内所示，其中以R0为等效内阻，U0为表内电压源。当万用表置于R×1、R×100、R×1k档时，U0＝1.5V。1、测二极管万用表置R×lk档，两表笔分别接二极管的两极，若测得的电阻...
