氮化镓

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氮化镓元件来袭,国内半导体企业却有心无力?

随着氮化镓(GaN)不断应用在二极管、场效电晶体(MOSFET)等元件上,不少业内专家直言,电力电子产业即将迎来技术的大革命。氮化镓虽然在成本上仍比传统硅元件高出一大截,但其开关速度、切换损失等性能指标,也是硅元件难以望其项背的。特...

分类:业界动态 时间:2017/7/17 阅读:304 关键词:半导体元件

碳化硅/氮化镓元件开始商用,电子产业迎来大革命

随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效电晶体(MOSFET)等元件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新元件虽然在成本上仍比传统硅元件高出一...

分类:业界动态 时间:2017/7/7 阅读:599 关键词:氮化镓电子产业

碳化硅/氮化镓组件进入商品化 电力电子产业迎来大革命

随着(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。 这些新组件虽然在成本上仍比传统硅组件高出一大截...

分类:行业趋势 时间:2017/7/3 阅读:305 关键词:电力电子产业

美国公司Soraa拟开设氮化镓基板LED制造工厂

据报道,美国公司Soraa计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作,共同新建一家先进的氮化镓基板(GaNonGaN)LED制造工厂。据悉,新工厂将雇用数百名工人。在与纽约州立大学纳米科学与工程学院的协同工作下,...

分类:业界动态 时间:2015/11/2 阅读:801 关键词:lead

氮化镓:开启半导体商业化革命

上海PCIMAsia展会现场,氮化镓系统公司(GaNSystems)联合创始人兼总裁GirvanPatterson手持一块用于服务器电源的集成电路板展示:“由于使用氮化镓晶体管器件,这块电路板的尺寸缩小到了原先的1/4。更为重要的是,它在性能、能源

分类:业界要闻 时间:2015/8/11 阅读:780 关键词:半导体商业化

日本松下将量产新一代半导体:氮化镓

据日经BP报道,松下研发出用于电源和马达控制的新一代半导体,将于2016年春季在日本国内企业中率先量产。新一代半导体采用氮化镓(GaN),能将耗电量控制在原来一半左右。据悉,松下目前已与日本国内外约10家企业就供货进入最终交涉,新...

分类:新品快报 时间:2015/5/19 阅读:9162 关键词:半导体

苏州能讯推出新型氮化镓微波功放晶体管产品

本周二,国内商用氮化镓(GaN)电子器件生产企业,苏州能讯高能半导体有限公司(DynaxSemiconductorInc.)发布了新型氮化镓微波功放晶体管产品。这款产品将助力通讯系统设备制...

分类:名企新闻 时间:2014/1/24 阅读:812 关键词:晶体管

TriQuint推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管

TriQuint半导体公司,推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供3

分类:新品快报 时间:2012/12/18 阅读:670 关键词:晶体管

富士通明年将量产氮化镓功率器件

近日,富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现节能减排意义重大。GaN材...

分类:名企新闻 时间:2012/11/23 阅读:259 关键词:富士通

安森美半导体加入imec的硅基氮化镓研究项目

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体加入了纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目,共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。氮化镓具有优异电子迁移率、更高击穿电压及良好导热性的特性,使...

时间:2012/10/22 阅读:741 关键词:半导体

未来5年氮化镓衬底将引领LED衬底潮流

在当今日美垄断LED芯片核心技术的格局下,中国LED企业如何打破格局,完成技术攻坚,促进LED发展显得尤为重要。目前,LED衬底类别包括蓝宝石、碳化硅、硅以及被称为第三代半导体材料的氮化镓。与传统衬底材料相比,氮化镓具有禁带宽度大、...

分类:行业趋势 时间:2012/5/14 阅读:2157 关键词:lead

EPC推出第二代氮化镓场效应晶体管

日前消息,宜普电源转换公司(EPC)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)系列的成员EPC2014。EPC2014采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装,以增强其高频开关性能,具有环保特性。EPC2014FET是

分类:新品快报 时间:2011/8/31 阅读:633 关键词:晶体管

硅基氮化镓成降低LED成本利器

近日,韩国三星技术研究所(SAIT)已经选择Veeco的TurboDiscK465iMOCVD作为其硅基氮化镓功率器件研究的设备。对此,Veeco的化合物半导体业务执行副总裁WilliamJ.Miller表示:“Veeco被选中作为三星SAIT

分类:业界要闻 时间:2011/3/29 阅读:1225 关键词:lead

RFMD开发高效率75W氮化镓功率晶体管

日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球RFMicroDevices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是

分类:新品快报 时间:2010/12/1 阅读:330 关键词:晶体管

氮化镓电源管理芯片市场将快速增长

据iSuppli公司,由于高端服务器、笔记本电脑、手机和有线通讯领域的快速增长,氮化镓(GaN)电源管理半导体市场到2013年预计将达到1.836亿美元,而2010年实际上还几乎一片空白。GaN是面向电源管理芯片的一种新兴工艺技术,最近已从大学实验

分类:业界要闻 时间:2010/3/26 阅读:1084