快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运...
ADI 旗下凌力尔特推出高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC700
电子网消息，亚德诺半导体 ( ) 旗下尔特公司 ( Linear ) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部...
快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器,提供 100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器，该用高达 60V 的电源电压运...
分类：新品快报 时间：2017/9/8 阅读：699 关键词： ADIMOSFET 驱动器
Allegro MicroSystems 推出全新汽车级半桥MOSFET驱动器IC
Allegro MicroSystems，LLC宣布推出两款全新N沟道功率MOSFET驱动器IC，能够控制以半桥配置连接的MOSFET。Allegro的A4926和A4927专为具有高功率电感性负载的汽车应用而设计，可适用于直流泵（制动、油、水和燃料）、空调系统（HVAC）、螺...
分类：新品快报 时间：2017/8/23 阅读：424
Allegro MicroSystems，LLC推出两款全新N沟道功率MOSFET驱动器IC，能够控制以半桥配置连接的MOSFET。Allegro的A4926和A4927专为具有高功率电感性负载的汽车应用而设计，可...
Linear 推出快速 60V 保护的高压侧 N 沟道，MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7003，该器件可采用高达 60V 的电源电压工作。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开...
分类：新品快报 时间：2017/7/24 阅读：358
美高森美和Analog Devices公司在可扩展碳化硅MOSFET驱动器解决方案领域展开合作
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 和全球的高性能模拟技术提供商Analog Devices公司宣布推出可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计...
分类：新品快报 时间：2017/7/13 阅读：855 关键词：美高森美
Linear 推出快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7001，该器件以高达 150V 电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，...
分类：新品快报 时间：2017/7/12 阅读：366 关键词：Linear
Linear推出150V快速高压侧受保护的N沟道MOSFET驱动器提供100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达 150V 的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一个外部 N 沟道 MOS...
分类：新品快报 时间：2017/7/12 阅读：331 关键词：Linear
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年7月6日 – 亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear...
分类：新品快报 时间：2017/7/7 阅读：216 关键词：驱动器
凌力尔特推出150V快速高压侧受保护的N沟道MOSFET驱动器
ADI旗下凌力尔特公司 (LinearTechnology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道MOSFET驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达 150V 的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一个...
凌力尔特推出150V快速高压侧受保护的N沟道MOSFET驱动器，提供100%占空比能力
ADI旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达 150V 的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一...
分类：新品快报 时间：2017/6/8 阅读：401 关键词：凌力尔特
TI推出用于电机控制的业界最小栅极驱动器和功率MOSFET解决方案
德州仪器 (TI) 推出两款新型器件，有助于减小电机驱动应用的尺寸和重量。当两者结合使用时，DRV832x无刷直流（BLDC）栅极驱动器和CSD88584/99 NexFET电源模块只需占用511 mm2的电路板空间，仅为其他同类解决方案的一半。 DRV832x BL...
Diodes 推出闸极驱动器 简化马达和电源供应器中 MOSFET 与 IGBT 的切换
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动...
Diodes推出闸极驱动器，简化马达和电源供应器中 MOSFET 与 IGBT 的切换
Diodes公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动化...
