CMOS 技术

CMOS 技术资讯

以CMOS技术实现的微型化毫米波传感器

大多数商用雷达系统,特别是高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 中的雷达系统,均基于锗硅(SiGe)技术。目前的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达系统。虽然基于SiGe技术的77GHz系统满...

分类:新品快报 时间:2017/5/22 阅读:439 关键词:传感器

ADI推出Drive360 28nm CMOS RADAR技术平台,拓展自动驾驶领域

AnalogDevices,Inc.(ADI)推出Drive36028nmCMOSRADAR技术平台,此平台的构建基于公司已建立的ADAS(高级驾驶辅助系统)、MEMS及RADAR技术组合,这些技术在过去20年间广泛应用于汽车行业。ADI公司是

分类:新品快报 时间:2017/2/22 阅读:563 关键词:ADICMOS

395亿完成收购东芝医疗,佳能对CMOS技术自信从哪来?

日本佳能(CANON)公司12月19日正式宣布完成了对东芝的医疗器械子公司“东芝医疗系统”的收购,总的收购金额达到了惊人的6655亿日元(56亿美金)。虽然富士胶片控股公司等实...

分类:业界动态 时间:2016/12/30 阅读:507 关键词:CMOS

安森美半导体推出下一代120万像素CMOS图像传感器 采用先进的全局快门技术

推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出AR0135全局快门CMOS图像传感器,展示其图像传感技术的又一重大进步。该1/3英寸格式、120万像素成像器件设计用于解决具挑战性的汽车影像和高速条码

分类:名企新闻 时间:2016/3/10 阅读:637 关键词:CMOS图像传感器

欧盟为5G打造III-V族CMOS技术

欧盟(E.U.)最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOSSoC技术整合III-V族纳米半导体”(INSIGHT)研发计划,这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物...

分类:业界要闻 时间:2016/3/9 阅读:698 关键词:CMOS

2024年CMOS半导体技术或将被石墨烯取代

近日消息,据外媒吧的,在美国加州举行的IEEE定制积体电路大会(CICC)一场专题演讲上有这样一种看法:CMOS半导体技术将在2024年7nm制程时代面临窘境,而石墨烯可望脱颖而出,成为用来取代这项技术的选择。美国乔治亚理工学院(Georgia

分类:行业趋势 时间:2011/9/21 阅读:883 关键词:CMOS半导体

瑞萨通过标准CMOS实现28nm工艺DRAM混载技术

瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术。该项技术面向28nm工艺以后的产品,瑞萨电子将把该工艺的SoC(SystemonaChip)生产全面委托给代工企业。瑞萨电子计划通过该项技术,把由外部供应商面向代工企

分类:业界要闻 时间:2011/1/21 阅读:1311 关键词:28nmCMOSDRAM

硅CMOS技术可扩展到10nm以下

“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺,硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。半导体制造技术国际会议“2010IEEEInterna

分类:业界要闻 时间:2010/12/13 阅读:1424 关键词:10nmCMOS

15nm CMOS技术的发展

在半导体制造技术相关国际会议“2010IEEEInternationalElectronDevicesMeeting(IEDM2010)”开幕前一天的2010年12月5日,举行了一场以“15nmCMOSTechnology”为题的短讲座...

分类:业界要闻 时间:2010/12/13 阅读:1427 关键词:CMOS

Avago在40纳米CMOS工艺技术上取得重大突破

作为通信、工业和消费类应用提供模拟接口组件的供应商AvagoTechnologies(Nasdaq:AVGO),今天宣布已在40纳米CMOS工艺技术上取得28Gbps的串化器/并化器(SerDes)性能表现。这一里程碑标志着集成SerDes知识

分类:业界要闻 时间:2010/11/8 阅读:285 关键词:AvagoCMOS

Avago在40纳米CMOS工艺技术上取得突破

AvagoTechnologies宣布已在40纳米CMOS工艺技术上取得28Gbps的串化器/并化器(SerDes)性能表现。这一里程碑标志着集成SerDes知识产权(IP)的专用集成电路(ASIC)可实现更高的带宽应用,从而提高数据在服务器、路由

分类:业界要闻 时间:2010/11/5 阅读:317 关键词:AvagoCMOS

CMOS技术将迎来转折点 开始向立体晶体管过渡

逻辑LSI的基本元件——CMOS晶体管的发展估计将在2013年前后15nm工艺达到量产水平时迎来重大转折点。将由现行的平面型晶体管向具备三维沟道的立体型晶体管过渡。美国英特尔...

分类:业界要闻 时间:2010/9/25 阅读:4328 关键词:CMOS晶体管

Diodes推出首款5V CMOS技术单栅极逻辑产品

Diodes公司推出旗下首款单栅极逻辑产品阵营。其74LVC1Gxx系列采用先进的5VCMOS技术,性能比现有的同类产品更为出色,该系列为用户提供八个的标准逻辑功能并设有SOT25和SOT353两种封装选择。74LVCE1Gxx系列则是提供

分类:新品快报 时间:2010/8/11 阅读:1029 关键词:CMOSDiodes

恩智浦将推出50种采用SiGe:C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品

恩智浦半导体(NXPSemiconductors)近日宣布推出一系列采用SiGe(硅锗)工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品,旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe

分类:名企新闻 时间:2010/5/24 阅读:570 关键词:恩智浦微波产品

安森美推出0.18微米CMOS工艺技术 扩展定制晶圆代工能力

全球的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)扩展定制晶圆代工能力,推出新的具价格竞争力、符合业界标准的0.18微米(μm)CMOS工艺技术。这ONC18工艺是开发低功率及高集成度数字及混合信号专用集成电路(AS

分类:新品快报 时间:2009/10/13 阅读:335 关键词:CMOS