传Toshiba采用12吋晶圆CMOS Sensor生产技术
日经新闻7日报导，为大幅压低制造成本、提高价格竞争力，东芝（Toshiba）将于2009年上半年内，改用端设备生产手机、数字相机等产品之核心零件CMOS传感器（CMOSSensor）。报导指出，东芝在旗下系统整合芯片（SystemLSI）主力生
美通社-PRNewswire法国格勒诺布尔5月13日电全球的半导体公司和全球CMOS影像技术领导商意法半导体和的工程基板供应商Soitec今天公布了两家公司之间一项合作，以便于为消费电子产品的新一代图像传感器开发300mm晶圆级背面
近日消息，半导体产业厂商之一、CMOS影像技术的世界意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）与的工程基板供应商Soitec，宣布两家公司签订一项排他性合作协议。根据此协议，两家公司将合作开发300毫米晶圆级背光（BSI）技术，制
分类：名企新闻 时间：2009/5/27 阅读：263 关键词：CMOS
意法半导体与Soitec合作开发下一代CMOS影像传感器技术
意法半导体与工程基板供应商Soitec，宣布两家公司签订一项排他性合作协议。根据此协议，两家公司将合作开发300毫米晶圆级背光（BSI）技术，制造用于消费电子产品中的下一代影像传感器。当今的前沿影像传感器技术的分辨率正在持续提高，同...
分类：名企新闻 时间：2009/5/27 阅读：309 关键词：CMOS
全球的半导体公司和全球CMOS影像技术领导商意法半导体(STMicroelectronics)(STM)和的工程基板供应商Soitec今天公布了两家公司之间一项合作，以便於为消费电子产品的新一代图像感测器开发300mm晶圆级背面照度
东芝推出用于40nmCMOS工艺的新平台技术功耗降低50%以上
东芝公司（东京证券交易所：6502）近日宣布基于与NECElectronics共同开发的45纳米工艺技术的40纳米CMOS平台技术。新平台用于生产系统芯片以满足功率关键的移动应用，它消耗的功率不足65纳米级的大规模集成电路的一半。该公司还宣布，它预
分类：名企新闻 时间：2008/12/20 阅读：785
Axiom Microdevices推出AX508功率放大器采用CMOS工艺技术
AxiomMicrodevices有限公司日前宣布推出AX508功率放大器(PA)，继续扩大它的产品供应版图,将CMOS的全部优点带给客户。AX508采用主流的CMOS工艺技术，在单一集成电路(IC)上集成了四频GSM/GPRS的功能。相对于该公司
分类：名企新闻 时间：2008/12/3 阅读：343 关键词：功率放大器
的汽车集成电路设计制造商意法半导体推出一款高动态范围的CMOS传感器，新产品专门为基于视觉技术的汽车驾驶辅助市场设计，融合了意法半导体的汽车电子技术和CMOS前沿影像技术。先进驾驶辅助系统（ADAS）用于提高驾驶员对汽车四周环境的了
FSI国际的ZETA系统ViPR工艺被确定为CMOS应用中超高剂量离子注入的一项关键技术
全球IC制造晶圆清洗系统厂商FSI国际有限公司日前发布了一篇由海力士半导体有限公司、Varian半导体设备有限公司、Nanometrics有限公司和FSI联合提交的论文，该论文证实了带有ViPR技术的ZETA喷雾式清洗系统是超高剂量等离子体掺杂（P
分类：名企新闻 时间：2008/6/30 阅读：1026 关键词：CMOS
FSI国际有限公司发布了一篇由海力士半导体有限公司、Varian半导体设备有限公司、Nanometrics有限公司和FSI联合提交的论文，该论文证实了带有ViPR™技术的ZETA®喷雾式清洗系统是超高剂量等离子体掺杂（PLAD）
分类：业界要闻 时间：2008/6/24 阅读：809 关键词：CMOS
东芝采用扭曲硅直接键合技术为下一代CMOS技术实现更高的空穴迁移率
据美国商业资讯网站报道，东芝公司日前宣布，它与IBM公司合作开发出一种更高性能的CMOS场效应晶体管（FET），该技术是先进系统大规模集成电路（LSI）的。新技术能满足别的性能需求，并为工艺技术的进一步发展开辟了道路。东芝和IBM公司是...
分类：业界要闻 时间：2008/6/23 阅读：1184 关键词：CMOS
富士通开发出32nm工艺CMOS技术 nMOS不使用金属栅极降低成本
据日经BP社报道，富士通研究所与富士通微电子联合开发出了能够以低成本制造32nm工艺CMOS的方法。该方法只在pMOS中导入通过完全硅化（FUSI）形成的金属栅极。因追加工序而增加的成本不足1％。与45nm工艺相比，CMOS高速版的耗电量可减少20
OmnVision开发CMOS传感器背面照明技术，有望大幅提升相机性能
OmniVision公司日前发布了OmniBSI架构，这种新型传感器的设计采用了与传统CMOS影像传感器技术截然不同的方法。OmniBSI采用背面照度(BSI)技术，使得OmniVision能够在提供更出色影像质量的同时将其像素尺寸降低到0.9微米
每年生产10多亿部手机的手机市场已成为半导体产业中竞争最激烈的领域。一直有这种说法：诸如砷化镓(GaAs)、横向扩散MOS(LDMOS)或硅锗(SiGe)双极CMOS(BiCMOS)等特殊工艺以不太精尖的几何精度就可提供制造商和设计师所需的短期成本
IBM与特许半导体再展开合作 携手开发22nm CMOS技术
IBM和半导体晶圆代工厂商特许半导体近日宣布双方将再一次展开合作，携手开发22nmCMOS技术。特许已连续6年与IBM合作，共同经历了包括90nm、65nm、45nm、32nm以及目前的22nm的5代先进工艺技术的发展历程。IBM公司半导体研发
