CMOS 技术

CMOS 技术资讯

东芝将开发采用43纳米CMOS工艺技术的16Gb NAND闪存

东京东芝株式会社为了巩固其在功能强大、高密度NAND闪存开发和制造领域的地位,于今日宣布成功开发出专用于16GbNAND闪存芯片的技术,这款闪存采用43纳米工艺技术制造,这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的...

分类:行业趋势 时间:2008/2/19 阅读:306 关键词:CMOSNAND

纳米技术有望成为CMOS的替代技术

目前半导体技术的发展趋于极限——正在寻找下一代技术的研究人员一致持此观点。但下一代技术究竟是什么?争论仍在进行中。“半导体技术产业的发展现状表明,现在正是我们需要努力工作以便在下个10年超越摩尔定律的时候。”IBM公司副总裁...

分类:行业趋势 时间:2008/1/28 阅读:136 关键词:CMOS

IBM将向中芯国际授权45纳米大批量CMOS技术

昨日,中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”)与国际商业机器公司(以下简称“IBM”)联合宣布,双方已签署了一项技术授权协议。根据协议,IBM将向中芯国际授权45纳米大批量CMOS技术,主要用于300毫米晶圆代工服务。而中芯国...

分类:业界要闻 时间:2007/12/29 阅读:664 关键词:CMOSIBM

IBM授权中芯国际45nm bulk CMOS 技术

中芯国际以及IBM12月26日联合宣布:中芯国际与IBM已签订45纳米bulkCMOS技术许可协议。这项技术将用于中芯国际的300mm晶圆代工服务。根据该协议,IBM将把45纳米低功耗以及高速bulkCMOS技术转移给中芯国际。其中,45纳米低功耗

分类:业界要闻 时间:2007/12/27 阅读:801 关键词:CMOSIBM

国外CMOS图像传感打破汽车测距技术瓶颈

根据abiresearch的研究,目前的汽车传感器市场已经达到了25亿美元的规模。而根据frost&sullivan、自动成像协会和piperjaffray的数据则表明,安全、工业自动化和视频游戏等领域的传感器市场总额也达到了7.5亿美元。

分类:业界要闻 时间:2007/12/22 阅读:667 关键词:CMOS

半导体巨头发布45nm高性能CMOS技术 与英特尔不同台积电未采用高k金属栅

据日经BP社报道,目前正在举行的IEDM大会上,备受关注的美国英特尔45nm工艺CMOS的发表在“AdvancedCMOSLogicandSoCPlatforms”会场举行。与此同时,台积电(TSMC)进行了45nm工艺CMOS的发表,均面向HP(

分类:名企新闻 时间:2007/12/19 阅读:229 关键词:CMOS半导体高性能英特尔

台积电开发出32nm工艺低功耗SoC的CMOS技术 证实2Mbit SRAM可正常工作

据日经BP社报道,台积电(TSMC)开发成功了面向32nm工艺低功耗SoC(系统级芯片)的CMOS技术,并在半导体制造技术国际学会“2007InternationalElectronDevicesMeeting(2007IEDM)”上进行了发布。试

分类:名企新闻 时间:2007/12/18 阅读:821 关键词:SoCSRAM

台积电开发出32nm工艺低功耗SoC的CMOS技术 已确认2Mbit SRAM可正常工作

积电(TSMC)开发成功了面向32nm工艺低功耗SoC(系统级芯片)的CMOS技术,并在半导体制造技术国际学会“2007InternationalElectronDevicesMeeting(2007IEDM)”上进行了发布。试制了2MbitSRA

分类:名企新闻 时间:2007/12/17 阅读:654 关键词:SoCSRAM

意法半导体系统级芯片向45nm CMOS射频技术升级

半导体制造商和无线通信芯片供应商的意法半导体(ST)日前宣布该公司成功地制造出了批采用CMOS45nm射频(RF)制造技术的功能芯片。这项技术对于下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。这些系统级芯片(SoC)是在ST的法国Crolles

分类:名企新闻 时间:2007/12/14 阅读:703 关键词:CMOS半导体

ST新款SoC采用CMOS 45nm射频技术

意法半导体近日宣布该公司成功地制造出了批采用CMOS45nm射频(RF)制造技术的功能芯片。这项先端技术对于下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。这些系统级芯片(SoC)是在ST的法国Crolles300mm晶圆生产线制造的,原型产品集

分类:名企新闻 时间:2007/12/13 阅读:644 关键词:CMOSSoC

ST成功制造出首批采用CMOS 45nm RF技术功能芯片

据电子工程世界网站报道,意法半导体日前宣布该公司成功地制造出了批采用CMOS45nm射频(RF)制造技术的功能芯片。这项技术对于下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。这些系统级芯片(SoC)是在ST的法国Crolles300mm晶圆

分类:新品快报 时间:2007/12/13 阅读:543 关键词:CMOS

IMEC 32nm研发成员齐努力 平面CMOS及FinFET技术取得新突破

在日前举行的2007年IEEE国际电子器件会议(2007IEDM)上,欧洲微电子研究机构IMEC公布了平面CMOS及FinFET器件研究进展。IMEC表示,在32nm节点中,铪基高k介质及TaC金属栅极的应用显著提高了平面CMOS的性能;通过在

分类:业界要闻 时间:2007/12/12 阅读:760 关键词:CMOSFinFET

ST芯片向先进的45nm CMOS射频技术升级

意法半导体宣布该公司成功地制造出了批采用CMOS45nm射频(RF)制造技术的功能芯片。这项先端技术对于下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。这些系统级芯片(SoC)是在ST的法国Crolles300mm晶圆生产线制造的,原型产品集成了

分类:名企新闻 时间:2007/12/12 阅读:552 关键词:CMOS

冲电气开始批量生产世界首款采用SOI-CMOS技术的UV传感器IC ML8511

冲电气工业(OKI)宣布,将于本月开始,批量供应能感知紫外线(UV)的传感器ICML8511。同时还计划今年面向香港及中国大陆市场销售10万个以上该商品。近年来,随着人们对健康关心程度的增长及抗衰老意识的不断提高,以根据每天受到的UV辐射...

分类:名企新闻 时间:2007/12/3 阅读:886 关键词:CMOSSOI传感器

IMEC扩展32纳米CMOS器件研究范围,纳入DRAM MIMCAP工艺技术研究

比利时研究组织IMEC已扩展其32纳米CMOS器件微缩(scaling)研究工作的范围,纳入了一个关于DRAMMIMCAP(金属-绝缘体-金属电容器)工艺技术的研究项目。IMEC表示,这将使它以及32纳米计划中的许多伙伴能够解决未来节点上DRAMM

分类:业界要闻 时间:2007/10/30 阅读:769 关键词:CMOS