长江存储将发布新一代Xtacking技术 实现NAND闪存超高传输速率
8月初，长江存储CEO杨士宁博士将发表《创新架构，释放3D NAND闪存潜能》的主题演讲。杨士宁博士将会介绍此项技术是如何将NAND传输速率提升至DRAM DDR4相当的水准，同时使存储密度达到行业水平，实现闪存行业的划时代跃进。 Xtacking...
分类：新品快报 时间：2018/7/30 阅读：659 关键词：NAND闪存
东芝与西部数据的合资闪存代工厂已经开始制造96层3D NAND芯片，而两家合作伙伴正在此基础上积极生产四级单元（简称QLC）产品。其中仍在使用TLC的东芝公司发布一款三级单元...
分类：新品快报 时间：2018/7/25 阅读：566 关键词：3D NAND闪存
美光科技有限公司（纳斯达克代码：MU）近日推出 Micron 5200 系列 SATA 固态硬盘 (SSD)，该产品可提供业界的性能、一致性、容量、可靠性和整体基础设施价值。美光 5200 系列固态硬盘基于美光科技业界的全新 64 层 3D NAND 技术构建，对于...
西部数据推出采用64层3D NAND技术移动固态硬盘 推出全新3D NAND SSD展示闪存领域的进步
存储解决方案提供商-西部数据公司(NASDAQ: WDC) 日前宣布推出64层3D NAND技术打造的移动固态硬盘。该技术使西部数据能够提供更低功耗、更高性能、耐用度更高且容量更大的新型移动固态硬盘，这是西部数据公司在闪存行业一标志性产品。西部...
西部数据公司(NASDAQ: WDC) 日前宣布推出64层3D NAND技术打造的移动固态硬盘。该技术使西部数据能够提供更低功耗、更高性能、耐用度更高且容量更大的新型移动固态硬盘，这是西部数据公司在闪存行业一标志性产品。西部数据公司总裁兼首席...
西部数据公司今天宣布，该公司已成功开发用于64层3D NAND (BiCS3)的X4闪存。在西部数据过去成功开发创新和商品化X4 2D NAND技术的基础上， 该公司运用其深厚的重直整合能力...
技术革新日新月异：3D NAND及PCIe NVMe SSD晋升巿场主流
以相同的成本，却能达到倍增的容量，各家内存大厂对3DNAND创新技术的强力投入，预告了2017年将成为3DNAND固态硬盘（SSD）爆发成长的起点。加上Intel制定的Non-VolatileMemoryExpress（NVMe；非挥发性内存高速规
Micron展望存储器芯片市场与技术：DRAM、NAND和RRAM
上月，存储器芯片主要供应商之一美光公司（Micron）在香港举行了2014夏季分析师大会，会上美光的高层管理人员就DRAM、NAND和新型存储器的市场趋势、技术发展以及Micron的公司策略进行了讲解。首先，Micron公司CEOMarkDurca
三星、东芝及美光进入储存型闪存（NANDFlash）三雄争霸战，美光科技与英特尔合资IMFlash（IMF）公司本周四（8日）将在台发表新产品。双方共同开发的技术为128Gb的20nmNAND，规划于于本月投产。法人看好，未来美光可望扩大南科及
8日消息，据外媒报道，三星于今日通过行动解决方案年度论坛(SamsungMobileSolutionsForum)展示了新款处理器、的闪存技术，以及的摄像头技术。但是，三星并没有公布这三个新技术产品的主要客户和订单情况，不过除了三星自身打头
韩国三星电子（SamsungElectronics）在“2011SymposiumonVLSITechnology”上，就1Xnm工艺以后有望实现量产的三维单元NAND闪存以及新型非易失性存储器的概要发表了特邀演讲。据调查公司预测，由于智能手机和平
分类：名企新闻 时间：2011/6/21 阅读：991 关键词：NAND
台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NANDFlash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技术架构下，研
韩国海力士半导体（HynixSemiconductor）面向存储器单元的三维多层积层的NAND闪存（三维NAND），开发出了新型单元技术“DualControl-GatewithSurroundingFloating-Gate（DC-SF）”（演讲
分类：业界要闻 时间：2010/12/15 阅读：1148 关键词：NAND
美光科技(MicronTechnologyInc.)宣布，美光获奖的25nmNAND已获日立LG数据储存公司(Hitachi-LGDataStorageInc.简称HLDS)采用作为其新型混合光驱(ODD)的闪存解决方案。此款采用美光25nmNAN
分类：业界要闻 时间：2010/10/29 阅读：430 关键词：NAND
近期三星（Samsung）和东芝（Toshiba）共同宣布，两家公司将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDRNAND闪存，即toggleDDR2.0规范。最初的SDRNAND闪存架构接口速度仅为40Mbps，现行的DD
