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美光12亿美元并恒忆 坐拥DRAM、NAND、NOR三大技术

美光科技(MicronTechnologyInc.)7日宣布完成收购NORFlash大厂恒忆(NumonyxB.V.)的所有程序。依据协议,美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Fran

分类:名企新闻 时间:2010/5/11 阅读:1187 关键词:DRAMNAND

IEEE:NAND闪存技术将在十年之内遭遇技术极限

《IEEETransactionsonMagnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授MarkKryder、博士生ChangSookim的一篇研究文章.师徒俩研究了13种非易失性存储技术,看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘,

分类:业界要闻 时间:2009/11/6 阅读:939 关键词:NAND

NAND闪存技术将在十年之内遭遇技术极限

《IEEETransactionsonMagnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授MarkKryder、博士生ChangSookim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术,看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘,

分类:业界要闻 时间:2009/11/6 阅读:799 关键词:NAND

英特尔、美光推出采用3-Bit-Per-Cell技术业界效率的NAND产品

由英特尔、美光共同设立的NAND合资企业IMFlashTechnologies,以34奈米NAND制程,开发了3-bit-per-cell新技术,生产出目前市场上尺寸最小、性价比的32Gb晶片。该晶片因具有高密度和高性价比的特性,因此适用于快闪

分类:新品快报 时间:2009/8/31 阅读:734 关键词:NAND英特尔

Micron采用34nm工艺技术NAND闪存芯片实现量产

近日,MicronTechnology宣布NAND闪存芯片实现量产采用34nm工艺技术。还称其子公司LexarMedia将推出34nm闪存卡和USB闪盘。Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IMFlash推出34nm芯片。Micron

分类:名企新闻 时间:2009/7/2 阅读:882 关键词:NAND

美光公司因其DRAM和NAND闪存技术创新获半导体Insight奖

美光科技股份有限公司宣布,SemiconductorInsights选择美光公司两项业内的DRAM和NAND创新作为其第八届Insight年度大奖的获胜者。美光公司的32Gb、34纳米的NAND闪存获得“创新性工艺技术”奖,其1Gb、50纳

分类:名企新闻 时间:2009/4/7 阅读:1078 关键词:DRAMNAND半导体

FSI将ViPR全湿法无灰化清洗技术扩展到NAND闪存生产中

半导体制造晶圆加工、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司宣布:一家主要的存储器制造商将FSI带有独特ViPR全湿法无灰化清洗技术的ZETA清洗系统扩展到NAND闪存生产中。许多器件制造商对采用FSI的ZETAViPR技术在自对准多晶硅化物形成

分类:名企新闻 时间:2009/4/2 阅读:774 关键词:NAND

美光公司的NAND闪存和DRAM技术创新获Semiconductor Insights认可

美光科技有限公司(MicronTechnology,Inc.,纽约证券交易所:MU)近日宣布,美光的32Gb、34纳米NAND闪存和1Gb、50纳米DRAM创新技术获得SemiconductorInsights公司(简称SI公司)认可,进入SI第八

分类:名企新闻 时间:2009/3/27 阅读:921 关键词:NANDSemiconductor

FSI将ViPR全湿法去除技术扩展到NANDD闪存制造

FSI国际有限公司近日宣布:一家主要的存储器制造商将FSI带有独特ViPR全湿法无灰化清洗技术的ZETA清洗系统扩展到NAND闪存生产中。许多器件制造商对采用FSI的ZETAViPR技术在自对准多晶硅化物形成过程所带来的益处非常了解。该IC制造商就

分类:名企新闻 时间:2009/3/27 阅读:209

FSI国际宣布将ViPR全湿法去除技术扩展到NAND存储器制造

全球的半导体制造晶圆加工、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司日前宣布:一家主要的存储器制造商将FSI带有独特ViPR全湿法无灰化清洗技术的ZETA清洗系统扩展到NAND闪存生产中。许多器件制造商对采用FSI的ZETAViPR技术在自对准

分类:名企新闻 时间:2009/3/26 阅读:847 关键词:NAND存储器

美光科技NAND闪存和DRAM创新技术获得SI认可

美光科技有限公司日前宣布,美光的32Gb、34纳米NAND闪存和1Gb、50纳米DRAM创新技术获得SemiconductorInsights公司(简称SI公司)认可,进入SI第八届Insight年度大奖的最终评选。美光的32Gb、34纳米NAND

分类:名企新闻 时间:2009/3/20 阅读:718 关键词:DRAMNAND

SanDisk开发出32纳米NAND闪存技术是世界上体积最小的闪存芯片

全球闪存供货商SanDisk(NASDAQ:SNDK)和东芝公司日前宣布,两公司使用32纳米(nm)处理技术生产出32GB3bits/单元(3-bits-per-cell)(X3)存储芯片,共同开发出多层式芯片(MLC)NAND快闪存储器。该项

分类:名企新闻 时间:2009/2/16 阅读:313 关键词:NAND

海力士美光献NAND Flash技术台厂不领情解决DRAM困境先

据digitimes网站报道,随着美、日大厂与台湾DRAM厂整合计划如火如荼展开,韩国大厂海力士(Hynix)眼看屈居下风,合作伙伴茂德恐将琵琶别抱,决定双手奉上NANDFlash制程技术,希望争取台湾政府金援机会,并让茂德回心转意。茂德董事长陈民

分类:名企新闻 时间:2009/1/5 阅读:263 关键词:DRAMFlashNAND

海力士、美光献上NANDFlash技术台厂更重DRAM

据DigiTimes网站报道,随著美、日系大厂与台系DRAM厂整合计画如火如荼展开,韩系大厂海力士(Hynix)眼看屈居下风,合作伙伴茂德恐将琵琶别抱,决定双手奉上NANDFlash制程技术,希望争取台湾政府金援机会,并让茂德回心转意。茂德董事长陈

分类:名企新闻 时间:2008/12/31 阅读:909 关键词:DRAM

美光串行NAND闪存技术灵活升级嵌入式产品存储容量

美光科技有限公司(MicronTechnology,Inc.)日前推出一项串行NAND闪存技术,使嵌入式应用产品能够灵活方便地升级存储容量。美光串行NAND闪存的芯片密度为1Gb,这样一来,客户就能够轻松地在串行NOR闪存现有存储能力之外,以高

分类:名企新闻 时间:2008/12/12 阅读:782 关键词:NAND