近日，日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出了利用人工智能（AI）的高精度，制造宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）的结晶方法，可以将结晶缺陷数量降至原来的百分之一，提...
分类：业界动态 时间：2021/12/1 阅读：2866
据韩媒报道，DBHiTek将在明年第yi季度开发基于下一代半导体材料的功率半导体。这是其首次进军功率半导体业务。据称，DBHiTek正在开发基于SiC的6-8英寸功率半导体，目标是明...
分类：业界动态 时间：2021/11/29 阅读：1411
据台媒moneyDJ报道哦，因为电动车普及加持，带动车用功率模组(PowerModule、以下简称PM)市场将逐年扩大、2030年市场规模预估将暴增4.6倍，其中2030年采用碳化硅(SiC)制功率...
分类：行业趋势 时间：2021/11/25 阅读：3653
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品
基础半导体元器件领域的ZJNexperia，今天宣布推出650V、10ASiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN)FET的可靠供应商Nexperia而...
分类：新品快报 时间：2021/11/8 阅读：2994
Qorvo收购LX的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的LX供应商Qorvo?,Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，已收购位于新泽西州普林斯顿LX碳化硅（SiC）功率半导体供应商...
分类：名企新闻 时间：2021/11/5 阅读：5031
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)谁是宽禁带(WBG)材料的未来？
到目前为止，半导体材料已经过了三个发展阶段——DY代半导体是硅(Si)，第二代半导体是砷化(GaAs)，第三代半导体又称宽带隙半导体(WBG)则是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。 ...
分类：行业趋势 时间：2021/11/3 阅读：5502
Atmosic 联手 Globalscale发布业界ZD功耗的蓝牙低功耗模块
物联网（IoT）超低功耗无线技术的创新者Atmosic? Technologies和LX的物联网解决方案供应商 Globalscale Technologies今天宣布推出业界ZD功耗的蓝牙低功耗模块RistrettoBin。该模块采用Atmosic的蓝牙LE 5.0射频，发射信号电流仅为2.4mA，...
分类：名企新闻 时间：2021/10/23 阅读：304 关键词：Atmosic
Atmosic Technologies与Energous实现业界首例互操作性能量收集，
物联网（IoT）超低功耗无线技术的创新者Atmosic? Technologies与WattUp无线充电技术的开发商Energous Corporation今日联合宣布，双方已实现业界首例射频（RF）能量收集技术的互操作性。这一互操作性将Atmosic M3系列芯片组（可捕获射频功...
分类：名企新闻 时间：2021/10/23 阅读：418
意法半导体的稳健的隔离式 SiC 栅极驱动器采用窄型 SO－8 封装可节省空间
意法半导体的STGAP2SiCSN是为控制碳化硅MOSFET而优化的单通道栅极驱动器，采用节省空间的窄体SO-8封装，具有稳健的性能和JQ的PWM控制。 SiC功率技术被广泛用于提...
分类：新品快报 时间：2021/10/20 阅读：1378
UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件，从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiCFET的需求。这款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的Si...
分类：新品快报 时间：2021/9/14 阅读：1895
儒卓力提供英飞凌CIPOS Maxi SiC IPM IM828系列1200 V电源模块
英飞凌CIPOSMaxiSiCIPM是一款基于MOSFET的55mΩ三相CoolSiC?发射极开路智能电源模块，采用36x23DDIP封装。该模块具有优良导热性和高开关速率范围(高达80Hz)，提供了功能齐...
分类：新品快报 时间：2021/8/31 阅读：2349
贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN－on－SiC HEMT 赋能4G和5G通信应用
专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子(MouserElectronics)即日起开始备货Qorvo?QPD0011高电子迁移率晶体管(HEMT)。此碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)晶体管...
分类：新品快报 时间：2021/8/24 阅读：1932
日前，泰克在华南地区首台DPT1000A在深圳美浦森半导体正式交付。DPT1000A功率器件动态参数测试系统由泰克科技领先研发，一经推出就受到广大科研和企业用户的强烈关注。 DP...
分类：名企新闻 时间：2021/8/20 阅读：1192
英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUALCoolSiCMOSFET功率模块，助力提升功率密度和实现更紧凑的设计
近日，英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）将EasyDUAL?CoolSiC?MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN）陶瓷。该器件采用半桥配置，EasyDUAL1B封装的导通电阻（RDS（on...
分类：新品快报 时间：2021/8/9 阅读：3552
英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率
近日，英飞凌科技股份有限公司(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出650VCoolSiCHybridIGBT单管产品组合，具有650V阻断电压。新款CoolSiCHybrid产品系列结合了650VTRENCHSTOP5IGBT技...
分类：新品快报 时间：2021/8/9 阅读：1969
