ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”
ROHM（总部位于日本京都市）开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT（HybridIGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车...
分类：新品快报 时间：2021/7/13 阅读：5801
CREE科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术，高效赋能新型超宽带5G
供应品类 丰富、发货 快速的现货电子元器件分销商 Digi-Key Electronics，日前宣布主办 FastBond 工程大赛，这是一场推动工程创新的全新设计大赛，举办时间为 2021 年 7 月 5 日至 11 月 20 日。参赛者将竞逐多项大奖，奖品丰富，从电子...
分类：名企新闻 时间：2021/7/8 阅读：1456 关键词：CREE科锐
Atmosic 联手 Globalscale发布业界最低功耗的蓝牙低功耗模块
物联网（IoT）超低功耗无线技术的创新者Atmosic?Technologies和领先的物联网解决方案供应商GlobalscaleTechnologies今天宣布推出业界最低功耗的蓝牙低功耗模块RistrettoBin...
分类：新品快报 时间：2021/7/7 阅读：4576
科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术，高效赋能新型超宽带5G
新型GaN-on-SiC线性化解决方案赋能5G基站，支持更多移动通信用户并提供高速数据传输 2021年7月5日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯––全球碳化硅技术领先企业科锐Cree,In...
分类：名企新闻 时间：2021/7/6 阅读：3211
PSiC2021第四届中国国际新能源汽车功率半导体市场与关键技术论坛成功举行
近日，“第四届中国国际新能源汽车功率半导体市场与关键技术论坛（PSiC2021）”在浙江嘉善隆重举行，论坛由PSiC中国技术委员会、中国电力电子产业网、北京电力电子学会、中...
分类：业界动态 时间：2021/7/5 阅读：3683
碳化硅技术企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，与深圳市高斯宝电气技术有限公司（品牌：Gospower）成功合作。 高斯宝电气是一家 从事电力电子变换产品的 公司，属 高新技术企业。高斯宝电气将在其下一代 CRPS（Common Redund...
分类：名企新闻 时间：2021/6/18 阅读：850 关键词：Cree
PSiC2021第四届中国国际新能源汽车功率半导体市场与关键技术论坛即将召开
日前，记者获悉，由中国电力电子产业网等发起主办的，被业界誉为新能源汽车功率半导体技术产业发展风向标的“第四届中国国际新能源汽车功率半导体市场与关键技术论坛（PSiC...
分类：业界动态 时间：2021/6/16 阅读：2991
SiC基器件支持下一代数据中心，设计满足快速演进的存储环境的需求 2021年6月10日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯––全球碳化硅技术领先企业科锐Cree,Inc.(Nasdaq...
分类：名企新闻 时间：2021/6/11 阅读：18198
UnitedSiC宣布推出六款新型D2PAK－7L碳化硅FET
新产品能够为表面贴装型功率系统设计提供性能、可靠性和尺寸等优势 17.png 全球领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布继续扩...
分类：新品快报 时间：2021/5/24 阅读：1408
CISSOID推出适用于航空应用的SiC智能功率模块，以满足其对自然冷却的需求
作为高温半导体器件和功率模块的 ，CISSOID 日前宣布推出了一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM），以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。此项高温芯片...
分类：新品快报 时间：2021/5/18 阅读：299 关键词：CISSOID
新型车用650 V CoolSiC?混合分立器件助力快速开关车载充电器应用实现性能提升
英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）近日推出车用650VCoolSiC?混合分立器件。该器件包含一个50ATRENCHSTOP?5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质与性...
分类：新品快报 时间：2021/4/2 阅读：15433
CREE - 赋能未来，勇往直前---科锐联合创始人发表SiC MOSFET十周年文章
– 碳化硅技术 企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 联合创始人兼 技术官John Palmour 博士发表了以《赋能未来，勇往直前：SiC MOSFET问世10周年的思索》为题的文章。 John Palmour 博士, 科锐联合创始人兼 技术官 近二十年研发...
分类：名企新闻 时间：2021/3/31 阅读：1201 关键词：CREE
Atmosic- 2021年物联网领域趋势预测：无线互联技术需求日益增长
2020年，肆虐 的新冠肺炎疫情迫使各行各业加速数字化转型进程。企业开始探索如何利用新型工作方式简化运营流程，并 终在艰难的经济环境中生存下来。许多企业在大量创新应用中采用了互联设备和物联网技术。2021年，疫情将继续加速物联网...
分类：名企新闻 时间：2021/3/26 阅读：683 关键词：物联网
Atmosic Technologies与E Ink元太科技联合发布电子标牌参考设计
物联网（IoT）超低功耗无线技术的创新者Atmosic? Technologies与电子纸研发与制造厂商E Ink元太科技今日联合推出面向电子标牌（eBadge）应用的参考设计。 据市场研究机构Markets and Markets?预测，未来几年智能标牌（smart badge）市...
分类：名企新闻 时间：2021/3/22 阅读：340
斯达半导体发布2021年度非公开发行A股股票预案（以下简称预案），计划非公开发行股票，募集资金总额不超过35亿元，其中，20亿元用于高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产...
分类：新品快报 时间：2021/3/4 阅读：5109
