为因应NANDFlash产业景气寒冬，以及进入传统淡季后价格进一步重挫，日系大厂东芝(Toshiba)计划在2009年第1季前，将制程技术全数转进43纳米，现有56纳米制程将逐步退役，届时东芝将是全球NANDFlash制造商成本结构者，为200
据DigiTimes报道，为因应NANDFlash产业景气寒冬，以及进入传统淡季后价格进一步重挫，日系大厂东芝(Toshiba)计划在2009年第1季前，将制程技术全数转进43纳米，现有56纳米制程将逐步退役，届时东芝将是全球NANDFlash制造
分类：名企新闻 时间：2008/9/25 阅读：536 关键词：东芝
Spansion公司已经扩大了与中芯国际(SemiconductorManufacturingInternationalCorp.)的代工范围，新添了43纳米的生产。作为计划的一部分，NOR型闪存的供应商Spansion公司将现有的与中芯国际达成的
时间：2008/8/25 阅读：428
近日东芝宣布成功开发出专用于16-Gigabit（Gb）NAND闪存芯片的新技术。据悉，此款闪存采用43纳米工艺技术制造，由东芝与美国SanDisk公司共同开发。这种新型芯片技术已于2月6日在旧金山举行的2008年度国际固态电路大会（ISSCC）上
分类：行业趋势 时间：2008/2/20 阅读：891 关键词：NAND
东芝与SanDisk开发采用43纳米工艺的16Gb NAND闪存
东京东芝(Toshiba)株式会社近日宣布成功开发出专用于16GbNAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的。这种新型16Gb产品的芯片大小约为120平方毫米，比
分类：业界要闻 时间：2008/2/20 阅读：207 关键词：NAND
东芝将开发采用43纳米CMOS工艺技术的16Gb NAND闪存
东京东芝株式会社为了巩固其在功能强大、高密度NAND闪存开发和制造领域的地位，于今日宣布成功开发出专用于16GbNAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的...
尽管EUV(超紫外光)、纳米压印等下一代光刻技术的呼声日益增强，东芝(ToshibaCorp.)仍然计划在43纳米NAND闪存生产线上采用光微影(opticallithography)技术。东芝表示，公司准备在43纳米NAND闪存生产线上使用尼康(
据日本经济新闻4月21日报道，东芝最快将在本会计年度开始采用43纳米制程生产闪存芯片，以降低生产成本。东芝为全球第二大闪存芯片制造商，仅次于韩国三星电子。报道指出，由于芯片价格料在2007/08年度挫跌50%，因此该公司急于提高晶片生...
据日本经济新闻4月21日报道，东芝最快将在本会计年度开始采用43纳米制程生产闪存芯片，以降低生产成本。东芝为全球第二大闪存芯片制造商，仅次于韩国三星电子。报道指出，由于芯片价格料在2007/08年度挫跌50%，因此该公司急于提高晶片生...
分类：名企新闻 时间：2007/4/24 阅读：869 关键词：东芝
据日本经济新闻4月21日报道，东芝最快将在本会计年度开始采用43纳米制程生产闪存芯片，以降低生产成本。东芝为全球第二大闪存芯片制造商，仅次于韩国三星电子。报道指出，由于芯片价格料在2007/08年度挫跌50%，因此该公司急于提高晶片生...
分类：名企新闻 时间：2007/4/24 阅读：699 关键词：东芝
