在近日落幕的2024(第十八届)北京国际汽车展览会上,琳琅满目的新车、令人意想不到的智能化设计,让近90万到场观众留下了深刻印象。诸多新颖功能的实现,都离不开作为核心...
分类:名企新闻 时间:2024/5/15 阅读:441 关键词:SOI技术
ST- CEA、Soitec、格芯和意法半导体合力推进下一代 FD-SOI技术发展规划
CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半导体宣布一项新的合作协议,四家公司计划联合制定行业的下一代 FD-SOI(全耗尽型绝缘体上硅)技术发展规划。半导体器件和 FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有战略价值。FD-SOI 能够...
分类:名企新闻 时间:2022/6/7 阅读:393 关键词:半导体
CEA、Soitec、格芯和意法半导体合力推进下一代 FD-SOI技术发展规划, 瞄准汽车、物联网和移动应用
CEA、Soitec、格芯(GlobalFoundries)和意法半导体宣布一项新的合作协议,四家公司计划联合制定行业的下一代FD-SOI(全耗尽型绝缘体上硅)技术发展规划。半导体器件和FD-SOI技...
分类:业界动态 时间:2022/4/24 阅读:1072
格芯采用Qorvo®芯片的8SW RF SOI技术实现设计中标逾10亿美元
移动应用、基础设施与航空航天应用中 RF 解决方案的供应商 Qorvo(纳斯达克代码:QRVO)宣布,使用其芯片的格芯公司8SW RF SOI技术平台,在客户端设计中标收入已逾 10 亿美元。采用Qorvo芯片的格芯8SW自 2017 年 9 月推出,针对移动应用...
分类:名企新闻 时间:2019/3/12 阅读:511
8月底,全球第二大晶圆代工厂格芯(Globalfoundries,“GF”)宣布退出7纳米及以下先进制程的研发与投资,这是继联电之后,第二家宣布放弃10纳米以下制程的半导体公司。 虽然放弃7纳米及以下先进制程的研发令人有些惋惜,不过格芯倒...
ST为其新一代工业和消费应用的处理器选择格芯22纳米FD-SOI技术平台
意法半导体公司选定格芯22纳米FD-SOI(22FDX)技术平台,为其新一代工业和消费应用的处理器解决方案提供支持。 在部署了业界28纳米 FD-SOI技术平台之后,意法半导体公司采用格芯可量产的22FDX工艺和生态系统,为未来智能系统提供第二...
格芯发布基于的FDX FD-SOI技术平台的毫米波和射频/模拟解决方案
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK(22FDX-rfa)解决方案,以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信以及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK(22FDX-mmWave)解决方案。该两种解决方案都基于...
分类:新品快报 时间:2017/9/27 阅读:463 关键词:FDX FD-SOI技术格芯
凭借FD-SOI的特性,对于广泛的市场领域,半导体生态系统的主要参与者对该技术越来越感兴趣。全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)是将CMOS晶体管的两个实质特性汇集在一起的独特技...
虽然曾在激烈竞争中于关键性技术节点28nm和14nm落后于人,但作为目前全球第二大半导体代工厂,Globalfoundries(格罗方德)毫无疑问在技术方面仍有其独到之处。随着摩尔定律...
分类:业界要闻 时间:2016/6/14 阅读:269 关键词:SOI
Soitec其300mm超薄SOI技术可支持22nm全耗尽器件
法国SOI技术供应商Soitec宣布其300mm超薄SOI(UTSOI)晶圆平台可支持22nm及以下节点全耗尽器件的应用。Soitec称有能力制造超薄顶层硅(20nm)SOI晶圆,均匀性可达小于5angstroms,且可实现大批量高成品率生产。So
分类:业界要闻 时间:2009/6/18 阅读:307 关键词:SOI
据EETimes网站报道,为了在SOI(绝缘体上的硅)这一新兴技术上确立优势,IBM日前宣布推出业界45nmSOI代工服务。据悉,IBM将在自己的晶圆厂中提供45nmSOI代工服务。此外新加坡特许半导体将作为该服务的“第二来源”。ARM则宣布向
分类:名企新闻 时间:2008/11/12 阅读:802 关键词:IBM
爱特梅尔公司(AtmelCorporation)宣布推出全新高温六路半桥驱动器芯片ATA6837和ATA6839。这两款产品采用爱特梅尔的0.8um高压BCD-on-SOI技术(SMART-I.S.)制造,可采用尺寸更小的低成本QFN封装。新推器件
爱特梅尔推出采用BCD-on-SOI技术的高温驱动器IC 打开了通向150℃应用之门
爱特梅尔公司宣布推出全新高温六路半桥驱动器芯片ATA6837和ATA6839。这两款产品采用爱特梅尔的0.8um高压BCD-on-SOI技术(SMART-I.S.®)制造,可采用尺寸更小的低成本QFN封装。新推器件具有高承压能力(高达40V
Atmel发布BCD-on-SOI技术的高温驱动器集成电路ATA6837和ATA6839
Atmel(R)Corporation宣布推出新型高温六边形半桥驱动器集成电路(IC)ATA6837和ATA6839。ATA6837和ATA6839采用Atmel的高压0.8umBCD-on-SOI技术(SMART-I.S.(R))制造,该技术使得
Atmel采用BCD-on-SOI技术的高温驱动器集成电路为150摄氏度应用创造机会
Atmel推出新型高温六边形半桥驱动器集成电路(IC)ATA6837和ATA6839。ATA6837和ATA6839采用Atmel的高压0.8umBCD-on-SOI技术(SMART-I.S.(R))制造,该技术使得采用更小、成本更低的QFN封装成