意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。 新技术不仅满足汽车和工业市场的需求，还特别针对牵引...
分类：新品快报 时间：2024/9/27 阅读：545 关键词：ST
Rohm -罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型
日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称“EV”）品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这...
时间：2024/9/5 阅读：124 关键词：半导体
Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC...
时间：2024/8/21 阅读：129 关键词：IGBT
Infineon - 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用...
时间：2024/8/20 阅读：106 关键词：半导体
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更...
时间：2024/8/20 阅读：101 关键词：半导体
Mouser - 贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章...
时间：2024/8/8 阅读：100 关键词：英飞凌
贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新...
分类：新品快报 时间：2024/7/25 阅读：513
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年...
分类：新品快报 时间：2024/6/26 阅读：466 关键词：英飞凌
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产...
分类：新品快报 时间：2024/6/14 阅读：534 关键词：英飞凌
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英...
分类：新品快报 时间：2024/5/29 阅读：358 关键词： MOSFET系列
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK－7封装
Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底...
分类：新品快报 时间：2024/5/23 阅读：369 关键词：SiC MOSFET
Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性...
时间：2024/3/21 阅读：105 关键词：电子
Infineon - 英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC...
时间：2024/3/21 阅读：133 关键词：电子
英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列...
分类：新品快报 时间：2024/3/18 阅读：513 关键词：电子
英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求...
分类：新品快报 时间：2024/3/14 阅读：573 关键词：电子
