Infineon - 英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC...
时间：2024/3/21 阅读：140 关键词：电子
英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列...
分类：新品快报 时间：2024/3/18 阅读：523 关键词：电子
英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求...
分类：新品快报 时间：2024/3/14 阅读：583 关键词：电子
Infineon - 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性...
时间：2024/3/12 阅读：339 关键词：电子
Nexperia与三菱电机就SiC MOSFET分立产品达成战略合作伙伴关系
Nexperia今天宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率...
时间：2024/1/22 阅读：139 关键词：电子
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247...
分类：新品快报 时间：2023/11/30 阅读：603 关键词：SiC MOSFET
IDC 栅极驱动单元“VLB512-01R”“VLB519-01R” 配套使用三菱内置RTC电路SiC MOSFET模块
配合模块自身输出的RTC信号实现短路保护！ ISAHAYA ELECTRONICS制造的栅极驱动单元"VLB512-01R" "VLB519-01R" 目前，为了提高设备的效率和小型化，SiC MOSFET模块在工业设备领域的采用也正在加速。 三菱电机正在陆续推出内置原...
时间：2023/8/30 阅读：227
东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极...
分类：新品快报 时间：2023/8/30 阅读：484 关键词：MOSFET模块
Infineon - 采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。 相比第一代产品，1200 V Co...
时间：2023/7/7 阅读：236 关键词：TO263-7封装
Onsemi -安森美领先的EliteSiC MOSFET和二极管技术将是Kempower的电动汽车快充方案的关键
智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号： ON），宣布与Kempower达成战略协议，将为Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二极管，用于可扩展的电...
时间：2023/6/19 阅读：350 关键词：电子
三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms。将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流...
分类：新品快报 时间：2023/5/15 阅读：327 关键词：MOSFET
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常...
时间：2023/4/6 阅读：532 关键词：电子
Renesas - 瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。 栅极驱动IC作为电动汽车逆变...
分类：新品快报 时间：2023/2/10 阅读：334 关键词：电子
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车...
分类：新品快报 时间：2023/2/1 阅读：374 关键词：IGBT
ROHM - 罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器
从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”...
时间：2023/1/9 阅读：202 关键词：MOSFET
