三星完成20纳米Mobile DRAM量产 2015年迈向10奈米级时代
三星电子（SamsungElectronics）在稍早正式量产20奈米MobileDRAM,将有望帮助三星提高生产力以及成本竞争力。尤其在竞争对手们仍停留在20奈米中段制程的情况下，随着三星在20奈米时代下画上句点，分析认为，三星将有望可以在201
新品速递 时间：2014/9/24 阅读：1310
Intel与Micron推出世界首款20纳米128Gb多层单元（MLC）器件
Intel公司和MicronTechnology公司宣布推出NAND闪存技术新基准flashtechnology–-世界第一款20纳米、128Gb的多层单元(MLC)器件。这两家公司还宣布其64Gb、20纳米NAND器件已...
新品速递 时间：2011/12/7 阅读：2734
近日，三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界20纳米级(nm)NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32Gb MLC NAND产品采用技术，扩展三星电子公司的存...
新品速递 时间：2010/5/18 阅读：3415
