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AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET，专为高功率应用能效优化而生

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出其新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品，旨在为蓬勃发展的工业电源应用市场提供更高能效解决方...

分类：新品快报时间：2025/5/13 阅读：1903 关键词：AOS

Vishay推出的27款600V标准整流器和60V-200V TMBS整流器，为业内提供超小体积且高效的解决方案

这些器件薄至0.88 mm并采用易于吸附焊锡的侧边焊盘，在节省空间的同时，提供了更高的热性能和效率　　日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出27款标准型和沟槽式MOS势垒肖特基（TMBS）表面贴装整流器...

时间：2025/4/29 阅读：69 关键词：Vishay

1200V 碳化硅 MOSFET 经过雪崩测试至 800mJ

SemiQ 致力于针对 1,200V 碳化硅 MOSFET 太阳能逆变器，这些 MOSFET 经过 800mJ 雪崩测试，部分与碳化硅肖特基二极管共封装——所有产品均具有内置反向二极管。　　有四种...

分类：新品快报时间：2025/4/27 阅读：3318 关键词： MOSFET

Littelfuse推出高性能超级结X4－Class 200V功率MOSFET

Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Cla...

分类：新品快报时间：2024/11/26 阅读：330 关键词：MOSFET

Littelfuse推出高性能超级结X4－Class 200V功率MOSFET，提供更高效率和可靠性

提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。　　Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发...

分类：新品快报时间：2024/11/19 阅读：347 关键词：MOSFET

ROHM 开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT ~助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等效率提升~

ROHM（总部位于日本京都市）面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。　　此次发售的产品包括4款分立封...

时间：2024/11/13 阅读：130 关键词：ROHM

ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

ROHM（总部位于日本京都市）面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高...

分类：新品快报时间：2024/11/8 阅读：315 关键词：ROHM

Vishay 推出 1A 和 3A 1,200V 超快整流器

Vishay 推出 1A 和 3A 1,200V 超快整流器，采用 4.2 x 1.4 x 1.08mm SMF (DO-219AB) 封装，爬电距离最小为 2.2mm。　　Vishay 1200V 1A 3A FRED 整流器　　四个 FRED（快恢...

分类：新品快报时间：2024/11/8 阅读：302 关键词：整流器

Chroma - 全新高功率密度的62000E系列直流电源供应器，电压输出达1200V-适用于车用组件测试

近年来，消费者对于新能源车性能要求越来越高的趋势下，车用电子组件厂商纷纷推出高压元器件，其中也包含碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)第三代半导体材料组件的导入。随着元器件操作额定的提升，生产厂商于测试验证上也更为严谨，主要依据车用...

时间：2024/7/31 阅读：81 关键词：半导体

先导中心推出技术“狠活”：1200V 100A 三电平全碳化硅模块新品发布

继首款1200V 100A H桥全碳化硅模块发布后，先导中心又推出1200V 100A 三电平全碳化硅模块新品。　　此模块产品的芯片完全国产化，产品功率密度高、性能稳定、损耗更低，可...

分类：新品快报时间：2024/4/30 阅读：456 关键词：电子

200V技术

1200V超快二极管及其应用

在电能传输中众所周知的事实是，低压系统中的欧姆损耗对效率的影响比高压系统中的更大。正是出于这个原因，手机和平板电脑充电的新标准已经制定（USB-PD），允许这些设备通过 9V、12V 甚至 20V 电源充电，而早期的标准是 5V。当然，手机...

设计应用时间：2025/1/14 阅读：552

新型200V预稳压器可简化故障容受型电源的设计

讨论几种设计故障容受型电源的方法，其中包括新的预稳压器拓扑结构，该结构可简化电路设计及元件选择。对抗相位故障如果交流电源到电表之间出现错误连接故障，或是...

设计应用时间：2022/5/27 阅读：225

UnitedSiC（现名Qorvo）推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

Qorvo推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电...

新品速递时间：2022/5/12 阅读：491

ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特基势垒二极管“RBxx8BM/NS200”

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），面向包括xEV在内的动力传动系统等车载系统，开发出200V耐压的超低IR※1肖特基势垒二极管※2（以下简称“SBD”）“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。　　ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特...

新品速递时间：2019/8/27 阅读：1590

ROHM开发出满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1）的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。该系列产品非常适用于电动压缩机※2）的逆变器电路和PTC加热器※3）的开关电路，而且传导损耗更低※4），...

新品速递时间：2019/5/13 阅读：957

Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

电路保护领域的企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结...

新品速递时间：2018/3/16 阅读：1332