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Qorvo 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置...

分类：新品快报时间：2024/3/1 阅读：308 关键词：SiC模块

东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极...

分类：新品快报时间：2023/8/30 阅读：381 关键词：MOSFET模块

ROHM - 赛米控丹佛斯推出配备罗姆 1200V IGBT的功率模块

赛米控丹佛斯（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）在开发SiC（碳化硅）功率模块方面，已有十多年的良好合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGB...

时间：2023/5/16 阅读：112 关键词：电子

Pan Jit 强茂推出用于功率转换系统的新型650V和1200V碳化硅肖特基势垒二极管 TO-247AD Lineup

新型碳化硅肖特基势垒二极管将以零反向恢复电流实现卓越性能，从而确保在严苛的工作条件下降低系统温度强茂半导体推出了最新的650V和1200V 碳化硅肖特基势垒二极管系列，与硅基础的组件相比，它们提供了出色的开关性能和更高的可...

时间：2022/9/20 阅读：113 关键词：电子

TDK Lambda - 可编程直流电源GENESYS+™系列5kW,10kW,15kW 增加50Vdc,200Vdc,400Vdc和500Vdc输出型号

TDK公司宣布TDK Lambda 品牌可编程直流电源GENESYS+ 系列5kW、10kW 和 15kW增加50Vdc,200Vdc,400Vdc和500Vdc输出型号，适用于汽车行业（组件和子系统），航空航天系统和可...

分类：新品快报时间：2022/9/15 阅读：493 关键词：电子

EPC推实现超低导通电阻的200V耐辐射晶体管，用于要求严格的航天应用

宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列，新推的200V产品用于要求严格的机载和其他高可靠性环境下的电源转换解决方案，它具备超低的导通电阻和极小型化等优势...

分类：新品快报时间：2022/8/16 阅读：1547

贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET

提供超丰富半导体和电子元器件?的业界知名新品引入(NPI)分销商贸泽电子(MouserElectronics)即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo?收购）的UF4C和UF4SC1200V碳化硅(SiC)FET...

分类：新品快报时间：2022/6/10 阅读：1691

UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V...

分类：名企新闻时间：2022/5/28 阅读：196 关键词：SiC FET

Toshiba东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批...

分类：新品快报时间：2022/2/11 阅读：560 关键词：Toshiba

东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流...

分类：新品快报时间：2022/2/10 阅读：3627

200V技术

新型200V预稳压器可简化故障容受型电源的设计

讨论几种设计故障容受型电源的方法，其中包括新的预稳压器拓扑结构，该结构可简化电路设计及元件选择。对抗相位故障如果交流电源到电表之间出现错误连接故障，或是...

设计应用时间：2022/5/27 阅读：175

UnitedSiC（现名Qorvo）推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

Qorvo推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电...

新品速递时间：2022/5/12 阅读：393

ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特基势垒二极管“RBxx8BM/NS200”

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），面向包括xEV在内的动力传动系统等车载系统，开发出200V耐压的超低IR※1肖特基势垒二极管※2（以下简称“SBD”）“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。　　ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特...

新品速递时间：2019/8/27 阅读：1528

ROHM开发出满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1）的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。该系列产品非常适用于电动压缩机※2）的逆变器电路和PTC加热器※3）的开关电路，而且传导损耗更低※4），...

新品速递时间：2019/5/13 阅读：906

Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

电路保护领域的企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结...

新品速递时间：2018/3/16 阅读：1234