在CES2026展会上，高通首席执行官克里斯蒂亚诺·阿蒙宣布了一项重大合作动向：高通正与三星电子就2纳米（2nm）芯片代工展开深入洽谈。这一合作标志着高通时隔五年重新启用"双供应商"策略，或将终结台积电在先进制程代工领域的独家垄断地...
分类：业界要闻 时间：2026/1/9 阅读：9591
台积电2nm流片量激增1.5倍 或将垄断全球95% AI加速器市场
当全球科技巨头还在为争夺台积电3nm产能打得头破血流时，这家芯片代工霸主已经悄然开启新一轮技术霸权。摩根大通最新数据显示，台积电2nm制程流片量已达3nm同期的1.5倍，这...
分类：业界动态 时间：2026/1/8 阅读：9357
当全球芯片产业还在为3nm工艺争得头破血流时，台积电已经悄然跨入2nm时代。这个半导体霸主再次用实力证明：在制程工艺的赛道上，它依然是无人能敌的领跑者。据最新消息，台...
分类：业界动态 时间：2026/1/5 阅读：4622
半导体行业近期迎来两大标志性事件：英伟达50亿美元战略入股英特尔，以及台积电率先启动2nm芯片量产。这两大动向正在重塑全球晶圆代工产业的竞争格局，预示着技术路线与商...
分类：业界要闻 时间：2026/1/4 阅读：21724
三星发布全球首款2nm智能手机芯片 预计将搭载于Galaxy S26系列
2025年12月22日，三星电子正式发布全球首款2纳米制程智能手机处理器Exynos2600，这项突破性技术预计将搭载于2026年初上市的Galaxy S26系列旗舰手机，标志着移动芯片工艺正...
分类：业界动态 时间：2025/12/22 阅读：5122 关键词：三星
台积电2nm芯片时代来临：苹果A系列领衔，GAA架构引领性能革命
2026年，全球半导体行业即将迎来历史性跨越——2nm工艺芯片时代正式启幕。在这场技术革命中，台积电凭借突破性的GAA架构和领先的量产能力，与苹果A20系列处理器共同谱写着...
分类：业界要闻 时间：2025/12/18 阅读：45203 关键词：2nm芯片
三星晶圆代工市场份额跌破7% 积极与AMD洽谈2nm订单寻突破
全球晶圆代工市场的竞争格局正在发生微妙变化。集邦科技最新数据显示，台积电第三季度市场份额飙升至71%的历史新高，而三星电子却遭遇滑铁卢，市占率下降0.5个百分点至6.8%，双方差距进一步拉大。这一数据背后，隐藏着怎样的产业变局？市...
分类：业界动态 时间：2025/12/16 阅读：6316
根据最新市场调查数据显示，三星晶圆代工市场份额已跌破7%，目前仅为6.8%，与行业龙头台积电71%的市场份额差距进一步扩大。在这一严峻形势下，三星正积极寻求突破，据报道...
分类：业界要闻 时间：2025/12/16 阅读：32941
日本三大银行拟向Rapidus提供2万亿日元贷款，支持2nm芯片生产
日本半导体产业正迎来历史性转折点。据最新消息，该国三大商业银行计划联合向芯片制造新锐企业Rapidus提供高达2万亿日元（约合人民币1042亿元）的巨额贷款，全力支持其2纳米制程芯片的研发与量产。这一举措标志着日本政企界对重振半导体...
分类：业界动态 时间：2025/12/12 阅读：12247
台积电2nm技术泄密风波：功勋老臣涉密跳槽英特尔引爆行业地震
2025年11月27日，全球半导体行业爆出惊天大案——台积电前资深副总经理罗唯仁因涉嫌携带2nm制程机密跳槽英特尔，被老东家紧急向中国台湾智慧财产及商业法院申请"定暂时状态...
分类：业界要闻 时间：2025/11/28 阅读：32422 关键词：台积电
导读：近日，贸泽电子（以下简称“Mouser”）宣布推出新一代IntelAtom22nmSoC多核处理器，该器件比其他采用平面晶体管工艺的竞争处理器，在性能和能效方面都有很大的提升，具有业界领先的每瓦性能效率。近日，贸泽电子（以下简称“Mouser
新品速递 时间：2013/12/12 阅读：2780
2013秋季英特尔信息技术峰会（IntelDeveloperForum,IDF2013）将于9月10日至12日在美国旧金山举行，消息显示，在本届IDF上，英特尔将正式发布基于英特尔Silvermont微架构的系统芯片,研发代号为BayTrail.此
新品速递 时间：2013/9/5 阅读：1373
9月24日消息，昨天在美国旧金山2009年秋季英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum, IDF）上，英特尔总裁兼首席执行官保罗·欧德宁（Paul Otellini）展示了世界上首款基...
新品速递 时间：2011/9/3 阅读：2350
在近日举办的国际超级计算机的会议中，Intel公司向外展示了其首款超多的商用芯片产品“ Knights Corner”，这款产品借用了Larrabee架构与万亿级计算研究计划的技术，可以将...
新品速递 时间：2011/9/3 阅读：3941
东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值（MLC）NAND闪存的SSD（固态硬盘）。存储容量分别为30GB和62GB。与原来的2.5英寸SSD相比，除了体积缩小至1/7左右、重量减少至1/8左右之外，耗电量也削减了约1/2。预定2009年10月开
设计应用 时间：2009/9/29 阅读：1466
（RenesasTechnologyCorp.）宣布，开发出一种可在32nm（纳米）及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC（系统级芯片）中的片上SRAM。新开发的技术采用SOI（绝缘硅）技术，可独立控制基体电位，也就是构成S
新品速递 时间：2007/10/22 阅读：1212
