英飞凌新品采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ三电平模块、EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ四单元模块以及EasyPACK? 1C 1200V 13mΩ四单元模块，搭载第二代CoolSiC? MOSFET技术，集成NTC温度传感器，采用大电流PressFIT引脚，并预涂2.0代导热界面材料。 产品型号...
分类：新品快报 时间：2025/11/25 阅读：18844
英特尔第二代CoolSiC MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展
第二代CoolSiC MOSFET 1200VQ-DPAK封装分立器件产品扩展 CoolSiC 1200V MOSFET（顶部散热Q-DPAK单管封装）专为工业应用设计，适用于电动汽车充电、光伏、不间断电源（UP...
分类：新品快报 时间：2025/8/19 阅读：2321 关键词：英特尔
惠海H6253HV 200V高耐压 48V60V100V150V180V转3.3V5V12V降压恒压芯片 低功耗 纹波小 高性能
在恒压供电领域不断发展的进程中，市场对电压的需求正持续走高。目前市场上150V以上的高耐压DCDC电源芯片选择较少，针对这一市场痛点，惠海半导体特推出了高性能低功耗且快...
分类：新品快报 时间：2025/7/24 阅读：2547 关键词：惠海
AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET，专为高功率应用能效优化而生
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出其新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品，旨在为蓬勃发展的工业电源应用市场提供更高能效解决方...
分类：新品快报 时间：2025/5/13 阅读：2198 关键词：AOS
Vishay推出的27款600V标准整流器和60V-200V TMBS整流器，为业内提供超小体积且高效的解决方案
这些器件薄至0.88 mm并采用易于吸附焊锡的侧边焊盘，在节省空间的同时，提供了更高的热性能和效率 日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出27款标准型和沟槽式MOS势垒肖特基（TMBS）表面贴装整流器...
时间：2025/4/29 阅读：202 关键词：Vishay
1200V 碳化硅 MOSFET 经过雪崩测试至 800mJ
SemiQ 致力于针对 1,200V 碳化硅 MOSFET 太阳能逆变器，这些 MOSFET 经过 800mJ 雪崩测试，部分与碳化硅肖特基二极管共封装——所有产品均具有内置反向二极管。 有四种...
分类：新品快报 时间：2025/4/27 阅读：3510 关键词： MOSFET
Littelfuse推出高性能超级结X4－Class 200V功率MOSFET
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Cla...
分类：新品快报 时间：2024/11/26 阅读：457 关键词：MOSFET
Littelfuse推出高性能超级结X4－Class 200V功率MOSFET，提供更高效率和可靠性
提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。 Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发...
分类：新品快报 时间：2024/11/19 阅读：460 关键词：MOSFET
ROHM 开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT ~助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等效率提升~
ROHM（总部位于日本京都市）面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。 此次发售的产品包括4款分立封...
时间：2024/11/13 阅读：245 关键词：ROHM
ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT
ROHM（总部位于日本京都市）面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高...
分类：新品快报 时间：2024/11/8 阅读：457 关键词：ROHM
Vishay 推出 1A 和 3A 1,200V 超快整流器
Vishay 推出 1A 和 3A 1,200V 超快整流器，采用 4.2 x 1.4 x 1.08mm SMF (DO-219AB) 封装，爬电距离最小为 2.2mm。 Vishay 1200V 1A 3A FRED 整流器 四个 FRED（快恢...
分类：新品快报 时间：2024/11/8 阅读：392 关键词：整流器
Chroma - 全新高功率密度的62000E系列直流电源供应器，电压输出达1200V-适用于车用组件测试
近年来，消费者对于新能源车性能要求越来越高的趋势下，车用电子组件厂商纷纷推出高压元器件，其中也包含碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)第三代半导体材料组件的导入。随着元器件操作额定的提升，生产厂商于测试验证上也更为严谨，主要依据车用...
时间：2024/7/31 阅读：198 关键词：半导体
先导中心推出技术“狠活”：1200V 100A 三电平全碳化硅模块新品发布
继首款1200V 100A H桥全碳化硅模块发布后，先导中心又推出1200V 100A 三电平全碳化硅模块新品。 此模块产品的芯片完全国产化，产品功率密度高、性能稳定、损耗更低，可...
分类：新品快报 时间：2024/4/30 阅读：501 关键词：电子
Qorvo 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置...
分类：新品快报 时间：2024/3/1 阅读：472 关键词：SiC模块
东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极...
分类：新品快报 时间：2023/8/30 阅读：561 关键词：MOSFET模块
