UnitedSiC推出1200V SiC FET，为IGBT、硅和SiC MOSFET用户提供业界性能升级途径
UJ3C1200系列是一种直接更换的解决方案，无需改变栅极驱动电压 功率因数校正（PFC）、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器的设计人员现在可以通过使用来自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）结型场效应晶体管（JFET）...
分类：新品快报 时间：2018/5/25 阅读：573
Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET
MathWrks 于今日推出了 Release 2018a (R2018a)，其中包含一系列的 MATLAB 和 Simulink 新功能。 R2018a 包括两个新产品：用于设计和测试状态监控和预测性维护算法的 Predictive Maintenance Tlbx，集成了三维虚拟环境的车辆动态性能建模...
分类：新品快报 时间：2018/4/14 阅读：638
大联大品佳集团推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET
2018年4月10日，致力于亚太地区市场的半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人...
分类：新品快报 时间：2018/4/11 阅读：933 关键词：大联大品佳集团
Vishay推出13款200V到600VFRED Pt?超快恢复整流器
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出13款200V到600VFREDPt?超快恢复整流器。均采用eSMP系列SlimDPAK(TO-252AE)封装。每种产品都有级和商用/工业级版本。VishaySemi...
Littelfuse新推新平台开发的首批产品1200V碳化硅肖特基二极管
Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的企业，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管，以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。这种碳化...
分类：新品快报 时间：2017/7/12 阅读：336 关键词：Littelfuse二极管
意法半导体推出的1200V碳化硅二极管，兼备出色的能效和先进的稳健性
2A - 40A 1200V(SiC) JBS (结势垒)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。下面就随小编一起来了解一下相关内容吧。...
2A - 40A V(SiC) JBS (结势垒)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速复和稳定的温度特性。 意法的碳化硅制程可以制造出稳健...
Diodes 公司有源OR’ing控制器提升电压至200V用于高可靠性电源系统
Diodes公司提供ZXGD3111N7有源OR’ingMOSFET控制器，瞄准使用冗余电源系统以实现高可靠性的电信、数据中心和服务器应用，提升200V的漏极电压性能。相比先前发布的40VZXGD3108N8，该器件增加了VDRAIN，能够
Fairchild - 针对高速光伏逆变器和苛刻工业应用发布1200V SiC二极管
全球的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild(NASDAQ:FCS)发布1200V碳化硅(SiC)二极管——FFSH40120ADN，纳入即将推出的SiC解决方案系列。1200V二极管凭借卓越的开关性能、更高的可靠性和较低的电磁干
Littelfuse推出首款能够承受1200V以上电压峰值的离散式晶闸管
Littelfuse公司是全球电路保护领域的企业，日前宣布推出了该公司首款能够承受1,200V以上电压峰值的离散式晶闸管器件。LittelfuseTeccorTM品牌SK225xD/SK255KD/SK625xD/SK655KD系列SCR开关型
分类：名企新闻 时间：2016/3/11 阅读：531 关键词：Littelfuse
Littelfuse - 推出首款能够承受1,200V以上电压峰值的离散式晶闸管
Littelfuse公司是全球电路保护领域的企业，日前宣布推出了该公司首款能够承受1,200V以上电压峰值的离散式晶闸管器件。LittelfuseTeccorTM品牌SK225xD/SK255KD/SK625xD/SK655KD系列SCR开关型
分类：新品快报 时间：2016/3/6 阅读：523 关键词：200VLittelfuse
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出S系列1200VIGBT绝缘栅双极晶体管。当开关频率达到8kHz时，新系列双极器件的导通和关断综合损耗创市场新低，大幅度提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、
Linear Technology Corp-高效率开关浪涌抑制器针对200V及更高瞬态提供保护
加利福尼亚州米尔皮塔斯(MILPITAS,CA)–2015年3月4日–凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高效率开关浪涌抑制器LTC7860，该器件具过压和过流保护，适合高可用性系统。在正常操作时，LTC786
IR推出新一代绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术平台。全新第八代(Gen8)1200VIGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装，并采用IR新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供...
分类：业界动态 时间：2014/11/19 阅读：904 关键词：IGBT
STMicroelectronics-意法半导体(ST)推出先进的1200VIGBT,可实现更长的使用寿命、节省更多能源中国，2014年7月8日——意法半导体的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated-GateBipolarTr
