200V资讯-维库电子市场网【第2页】

EPC推实现超低导通电阻的200V耐辐射晶体管，用于要求严格的航天应用

宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列，新推的200V产品用于要求严格的机载和其他高可靠性环境下的电源转换解决方案，它具备超低的导通电阻和极小型化等优势...

分类：新品快报时间：2022/8/16 阅读：1600

贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET

提供超丰富半导体和电子元器件?的业界知名新品引入(NPI)分销商贸泽电子(MouserElectronics)即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo?收购）的UF4C和UF4SC1200V碳化硅(SiC)FET...

分类：新品快报时间：2022/6/10 阅读：1735

UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V...

分类：名企新闻时间：2022/5/28 阅读：314 关键词：SiC FET

Toshiba东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批...

分类：新品快报时间：2022/2/11 阅读：682 关键词：Toshiba

东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流...

分类：新品快报时间：2022/2/10 阅读：3694

比亚迪自主研发1200V功率器件驱动芯片本月量产

比亚迪半导体宣布，基于先前研发成果的稳固基础上，继续整合自身优势，成功自主研发并量产1200V功率器件驱动芯片——BF1181，并于本月实现向各大厂商批量供货。资料...

分类：新品快报时间：2021/12/16 阅读：1444

Toshiba东芝发布旗下首款200V晶体管输出车载光耦

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出一款高压晶体管输出车载光耦---“TLX9188”，用于包括电动汽车在内的汽车设备的信号隔离通信。该产品于今日开始支持批量出货。 TLX9188的高压光电晶体管提供了200V的集电机-...

分类：新品快报时间：2021/11/30 阅读：826 关键词：Toshiba

东芝发布旗下首款200V晶体管输出车载光耦

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出一款高压晶体管输出车载光耦---“TLX9188”，用于包括电动汽车在内的汽车设备的信号隔离通信。该产品于今日开始...

分类：新品快报时间：2021/11/19 阅读：1736

可编程直流电源系列增加200Vdc 5kW、10kW 和 15kW 型号

TDK公司宣布推出三款0-200V、19"宽、机架安装式可编程直流电源。TDK?Lambda品牌GENESYS+?系列新增的这些产品支持5kW、10kW和15kW的输出功率等级。200V0-25A、0-50A和0-75A...

分类：新品快报时间：2021/5/24 阅读：2660

Microchip 推出一代汽车用700 和 1200V 碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）

汽车电气化浪潮正席卷，电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅（SiC）等创新电源技术。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出通过的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒...

分类：新品快报时间：2020/12/30 阅读：1365 关键词：Microchip

Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内水平，提高系统功率密度且节省能源

TrenchFET器件典型RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN...

分类：新品快报时间：2020/12/14 阅读：1046 关键词：Vishay MOSFET