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ST - 意法半导体突破20纳米技术节点,提升新一代微控制器的成本竞争力

中国-- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布了一项基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI) 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM)的先进制造工艺,支持下一代...

时间:2024/4/29 阅读:40 关键词:电子

中国工程院院士吴汉明:20纳米以上节点我国有巨大创新空间

由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办的第三届全球IC企业家大会暨第十八届中国国际半导体博览会(ICChina2020)在上海开幕。中国工程院院士、浙江大学微纳...

分类:行业访谈 时间:2020/10/15 阅读:4571

南亚科开始量产20纳米DRAM,10nm提上日程

DRAM厂南亚科( 2408-TW )今(1)日举行总部落成典礼,总经理李培瑛指出,新厂将开始生产20纳米,同时也让南亚科10纳米奠定研发基础,李培瑛会后指出,南亚科针对10纳米已有研发计划,有两套方案进行中,一是自主研发,另一个则是取得美光技...

分类:业界动态 时间:2017/8/2 阅读:274 关键词:10nm20纳米DRAM南亚科

英特尔新FPGA 台积电20纳米代工

因应快速成长的物联网应用市场,英特尔宣布推出IntelCyclone10可编程逻辑闸阵列(FPGAs)系列产品,均采用台积电20纳米先进制程生产。这款FPGA的设计是要提供快速、省电的...

分类:业界动态 时间:2017/3/1 阅读:320 关键词:FPGA英特尔

2016年DRAM市场比拼20纳米产能

2015年受到需求面不振、持续供过于求的影响,DRAM价格呈现显著衰退,尤其以标准型内存最为明显。TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示,在寡占市场型态下,虽然小...

分类:业界要闻 时间:2015/12/18 阅读:468 关键词:DRAM

20纳米制程难转换 DRAM次级品流窜市场

DRAM芯片转进20纳米制程难度高,市场供需失衡蔓延到各个应用领域。三星官网全球DRAM产业进入20纳米制程世代后,进入门槛非常高。一方面是设备投资变大,需求的机台设备多很...

分类:业界要闻 时间:2015/6/26 阅读:8421 关键词:DRAM

DRAM厂引爆20纳米战火 砸大钱扩产

全球DRAM大厂三星电子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)、美光(Micron)纷抢进20纳米制程世代,南亚科在美光协助下亦全力转进20纳米制程,并计划投资新台币400亿元。半导体业者指出,DRAM制程转进20纳

分类:行业趋势 时间:2015/3/17 阅读:606 关键词:DRAM

存储器市场再下一城 三星量产20纳米GDDR5

三星(Samsung)宣布将以该公司20纳米(nm)先进制程,量产业界首款8Gb第五代绘图双倍资料率(GDDR5)动态随机存储器(DRAM)。GDDR5为目前市场上被广泛采用的独立型(Discrete)绘图存储器。三星电子存储器销售与行销执行副总裁

分类:名企新闻 时间:2015/1/19 阅读:374 关键词:存储器

三星完成20纳米Mobile DRAM量产

三星电子(SamsungElectronics)在稍早正式量产20奈米MobileDRAM,将有望帮助三星提高生产力以及成本竞争力。尤其在竞争对手们仍停留在20奈米中段制程的情况下,随着三星在20奈米时代下画上句点,分析认为,三星将有望可以在201

分类:名企新闻 时间:2014/9/25 阅读:559 关键词:DRAM

三星计划年内量产14、20纳米晶圆代工产品

三星电子(SamsungElectronics)将于11月推出先进代工制程14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)样品,而此次应用14纳米制程的应用处理器(AP)试制品,也传出将先提供给高通(Qualcomm)、苹果(Apple)、超微(AMD)等主

分类:名企新闻 时间:2014/8/15 阅读:366 关键词:三星

20纳米技术

三星完成20纳米Mobile DRAM量产 2015年迈向10奈米级时代

三星电子(SamsungElectronics)在稍早正式量产20奈米MobileDRAM,将有望帮助三星提高生产力以及成本竞争力。尤其在竞争对手们仍停留在20奈米中段制程的情况下,随着三星在20奈米时代下画上句点,分析认为,三星将有望可以在201

新品速递 时间:2014/9/24 阅读:1264

Intel与Micron推出世界首款20纳米128Gb多层单元(MLC)器件

Intel公司和MicronTechnology公司宣布推出NAND闪存技术新基准flashtechnology–-世界第一款20纳米、128Gb的多层单元(MLC)器件。这两家公司还宣布其64Gb、20纳米NAND器件已...

新品速递 时间:2011/12/7 阅读:2678

三星电子推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器

近日,三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界20纳米级(nm)NAND芯片,用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32Gb MLC NAND产品采用技术,扩展三星电子公司的存...

新品速递 时间:2010/5/18 阅读:3337