全球半导体行业正迎来历史性拐点！三星电子近日宣布其2nm制程良率已突破60%大关，相比半年前仅20%的惨淡数据实现三倍跃升，与龙头台积电60%-70%的良率区间仅一步之遥。这场...
分类：业界动态 时间：2026/3/25 阅读：4246
近期，三星电子在半导体制造领域取得重大突破，其2纳米制程工艺良率已突破60%，与行业龙头台积电的良率水平基本持平。这一里程碑式的进展标志着全球高端芯片代工市场即将迎...
分类：业界要闻 时间：2026/3/25 阅读：15093
瞄准2nm先进制程：特斯拉全球招募资深芯片工程师，剑指半导体产业新格局
2026年3月，全球科技圈被一则重磅消息引爆——特斯拉正式启动全球范围内的资深芯片工程师招募计划，CEO埃隆·马斯克亲自下场推动，目标直指2纳米先进制程芯片制造。这一举动不仅标志着特斯拉在半导体领域的战略布局全面升级，更可能重塑...
分类：业界动态 时间：2026/3/24 阅读：4124
全球半导体龙头台积电的2nm制程技术正面临前所未有的产能紧缺局面。最新消息显示，台积电2nm家族产能严重供不应求，其中A16制程连最大客户英伟达的订单都难以满足。这一局...
分类：业界要闻 时间：2026/3/23 阅读：19682
三星电子：2026年出货由HBM4主导 HBM5将采用2nm制程
三星电子正加速推进高带宽内存（HBM）技术的迭代升级。2026年，HBM4将成为三星出货主力，预计占全年HBM总出货量的50%以上。与此同时，三星已启动下一代HBM5的研发，其基片...
分类：业界要闻 时间：2026/3/19 阅读：29175
特斯拉AI6芯片测试延期波及三星2nm进程，韩国AI厂商量产
全球半导体行业正因特斯拉的一次战略调整掀起连锁反应。据韩媒TheElec独家披露，特斯拉突然推迟原定于今年4月进行的AI6自动驾驶芯片2nm制程测试，导致三星电子不得不将多项...
分类：业界动态 时间：2026/3/11 阅读：5253
半导体行业再传捷报！三星电子近日在摩根大通投资者会议上透露，其2nm先进制程技术的良率爬坡进度超出预期。这一消息无疑给全球芯片市场注入了一剂强心针，意味着更强大、更节能的芯片即将面世。据三星高管披露，目前位于美国得克萨斯州...
分类：业界动态 时间：2026/3/9 阅读：3356
日本2nm晶圆代工厂Rapidus获私营投资超10亿美元，IBM或成为其股东
日本半导体新锐企业Rapidus近期获得超过10亿美元的私营投资，这标志着其在2纳米制程技术领域的雄心壮志得到了资本市场的强力支持。值得关注的是，科技巨头IBM可能成为其战略股东，这将为Rapidus的技术路线注入新的活力。 Rapidus成立...
分类：业界动态 时间：2026/2/5 阅读：34630
Nuvoton-小型高功率1.7W紫色（402nm）半导体激光器开始量产
Nuvoton Technology将开始量产一款采用行业标准TO-56 CAN封装[1]，并实现了业界顶级水平的光功率输出(*)的“小型高功率1.7W紫色（402nm）半导体激光器[2]”。本产品通过公司独创的芯片设计技术和散热设计技术，成功实现了以往难以兼顾的...
时间：2026/2/4 阅读：82 关键词：Nuvoton
近年来，全球半导体行业的竞争愈发激烈，尤其是在先进制程领域的角逐。最新消息显示，高通计划重新与三星合作，将其旗舰骁龙8系芯片的部分订单交由三星代工，采用后者最新...
分类：业界动态 时间：2026/1/28 阅读：4602
导读：近日，贸泽电子（以下简称“Mouser”）宣布推出新一代IntelAtom22nmSoC多核处理器，该器件比其他采用平面晶体管工艺的竞争处理器，在性能和能效方面都有很大的提升，具有业界领先的每瓦性能效率。近日，贸泽电子（以下简称“Mouser
新品速递 时间：2013/12/12 阅读：2809
2013秋季英特尔信息技术峰会（IntelDeveloperForum,IDF2013）将于9月10日至12日在美国旧金山举行，消息显示，在本届IDF上，英特尔将正式发布基于英特尔Silvermont微架构的系统芯片,研发代号为BayTrail.此
新品速递 时间：2013/9/5 阅读：1395
9月24日消息，昨天在美国旧金山2009年秋季英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum, IDF）上，英特尔总裁兼首席执行官保罗·欧德宁（Paul Otellini）展示了世界上首款基...
新品速递 时间：2011/9/3 阅读：2386
在近日举办的国际超级计算机的会议中，Intel公司向外展示了其首款超多的商用芯片产品“ Knights Corner”，这款产品借用了Larrabee架构与万亿级计算研究计划的技术，可以将...
新品速递 时间：2011/9/3 阅读：3974
东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值（MLC）NAND闪存的SSD（固态硬盘）。存储容量分别为30GB和62GB。与原来的2.5英寸SSD相比，除了体积缩小至1/7左右、重量减少至1/8左右之外，耗电量也削减了约1/2。预定2009年10月开
设计应用 时间：2009/9/29 阅读：1502
（RenesasTechnologyCorp.）宣布，开发出一种可在32nm（纳米）及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC（系统级芯片）中的片上SRAM。新开发的技术采用SOI（绝缘硅）技术，可独立控制基体电位，也就是构成S
新品速递 时间：2007/10/22 阅读：1234
