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IR推出AUIRS2003S 200V IC适用于汽车动力总成及电池管理应用

国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出AUIRS2003S200VIC,适用于低、中、高压汽车应用,包括汽车预电充开关、步进驱动器和DC-DC转换器。AUIRS2003S符合AEC-Q100标准,是一款坚固耐用

分类:名企新闻 时间:2009/6/10 阅读:1213 关键词:200V

IR推出AUIRS2003S 200V IC适用于汽车动力总成

日前,国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出AUIRS2003S200VIC,适用于低、中、高压汽车应用,包括汽车预电充开关、步进驱动器和DC-DC转换器。AUIRS2003S符合AEC-Q100标准,是一款坚

分类:新品快报 时间:2009/6/10 阅读:1340 关键词:200V

LEM推出用于测量1200-4200VRMS绝缘电压的DV系列电压传感器

的电流与电压测量元器件制造商LEM电子近日宣布,将推出用于测量1200-4200VRMS绝缘电压的DV系列电压传感器。该产品使用LEM专利绝缘技术,体积比当今市场上的其他同类产品都小很多,外形尺寸仅为134x54.22x147.25mm。D

分类:名企新闻 时间:2008/9/26 阅读:593 关键词:电压传感器

ST推出2200V ESBT功率开关STC03DE220HV

ST推出STC03DE220HVESBT(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。STC03DE220HV是额定击穿电压2200V的STESBT新系列的首款产品。在

分类:新品快报 时间:2008/5/27 阅读:976

ST推出新款2200V ESBT功率开关STC03DE220HV

意法半导体(ST)宣布推出STC03DE220HVESBT(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。STC03DE220HV是额定击穿电压2200V的STESBT新

分类:新品快报 时间:2008/5/26 阅读:351

飞兆全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件问世

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新1200VFieldStopTrenchIGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时

分类:新品快报 时间:2008/4/8 阅读:394 关键词:IGBT

飞兆发布全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新1200VFieldStopTrenchIGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时

分类:新品快报 时间:2008/3/25 阅读:1110 关键词:IGBT

Vishay发布新系列半桥IGBT模块,包含八个600V及1200V器件

Vishay宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的

分类:新品快报 时间:2008/3/25 阅读:471 关键词:IGBTVishay

Vishay推出新系列半桥600V及1200V IGBT模块

Vishay宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的

分类:新品快报 时间:2008/3/21 阅读:2244 关键词:IGBTVishay

飞兆推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新1200VFieldStopTrenchIGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时

分类:新品快报 时间:2008/3/21 阅读:309 关键词:IGBT

Vishay推出采用Int-A-Pak封装具有75A~200A高额定电流新系列半桥600V及1200V IGBT模块

日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。

分类:新品快报 时间:2008/3/17 阅读:2258 关键词:IGBTVishay

两款200V音频功率放大器输入级新品(NS)

美国国家半导体公司(NS)的高保真度LME™音频放大器系列再添加两款新品。这两款200V的单声道音频功率放大器输入级新品,不但失真率低于同类竞争产品,而且还为设计者缩短系统设计周期。这两款高度集成的单芯片放大器输入级可以极大的...

分类:新品快报 时间:2008/1/22 阅读:263 关键词:200V音频功率放大器

200V功率放大器输入级具备低失真

美国国家半导体宣布LME™音频放大器系列再添加两款新品。这两款200V的单声道音频功率放大器输入级新品,不但失真率低于同类竞争产品,而且还为设计者缩短系统设计周期。LME49811与LME49830芯片输出功率可以调校。系统设计工程师可

分类:业界要闻 时间:2008/1/21 阅读:168 关键词:200V功率放大器

Vishay推出首款200V、30A双高压TMBS Trench肖特基整流器

Vishay在提供同步整流解决方案的低成本替代产品进程中宣布推出首款200V、30A双高压TMBSTrench肖特基整流器。V30200C具有比平面肖特基整流器更出色的多种优势。当工作电压转向100V及更高时,平面肖特基整流器的高转换速度及低正向压

分类:新品快报 时间:2008/1/10 阅读:502 关键词:200VTMBSVishay

Vishay推出首款200V双高压TMBS Trench肖特基整流器

Vishay在提供同步整流解决方案的低成本替代产品进程中宣布推出首款200V、30A双高压TMBSTrench肖特基整流器。V30200C具有比平面肖特基整流器更出色的多种优势。当工作电压转向100V及更高时,平面肖特基整流器的高转换速度及低正向压

分类:新品快报 时间:2007/12/27 阅读:654 关键词:200VTMBSVishay