2nm以下芯片倒计时！ASML官宣最强光刻机即将出货首批芯片
ASML 公司首席执行官傅恪礼郑重宣布，首批运用新一代高数值孔径（High - NA）EUV 光刻机制造的芯片产品，预计将在未来几个月内正式亮相，这些芯片广泛覆盖逻辑芯片和存储芯...
分类：名企新闻 时间：2026/5/21 阅读：4130 关键词：ASML
近期，韩媒传出一则重要消息，三星电子已正式与 AMD 就半导体代工（晶圆代工）事宜展开了深入的洽谈。 据业内人士 7 日透露，三星电子晶圆代工事业部正与 AMD 围绕 2 纳...
分类：业界动态 时间：2026/5/8 阅读：5625 关键词：三星
小米 18 系列即将登场，骁龙 8 Elite Gen6 规格大揭秘：台积电 2nm 与新架构来袭
小米数字旗舰 17 系列便陆续推出了多款机型，包括小米 17、小米 17 Pro、小米 17 Pro Max 以及年度影像旗舰小米 17 Ultra。其中，首次新增的 Pro Max 机型取得了不错的市场...
分类：新品快报 时间：2026/4/23 阅读：21441 关键词：小米 18
在数字旗舰小米 17 系列成功推出小米 17、小米 17 Pro、小米 17 Pro Max 以及年度影像旗舰小米 17 Ultra 等多款新机，并取得不错市场成绩后，新一代的小米 18 系列开始进入大众视野，引发广泛关注。近日，知名数码博主进一步透露了该系列...
分类：名企新闻 时间：2026/4/22 阅读：2558 关键词：小米18
最新行业数据显示，三星电子在2nm制程工艺方面取得进展，良品率已从去年下半年的不足20%提升至目前的55%左右。然而这一成绩仍较竞争对手台积电落后约一成，后者良品率稳定...
分类：业界要闻 时间：2026/4/15 阅读：50519
当三星电子还在为其2nm制程良率从20%爬升至60%庆贺时，高通已经用订单投票给出了残酷答案——据韩国媒体BusinessKorea最新披露，下一代骁龙旗舰芯片的代工大单将全数交付台积电。这标志着自2022年以来，三星彻底错失重返高通顶级芯片代工...
分类：业界动态 时间：2026/4/14 阅读：3060
台积电再下一城！高通旗舰芯片代工订单全面倒向台积电，三星2nm良率困局难解
半导体行业又迎来一场地震级变局。当三星还在为2nm工艺良率苦苦挣扎时，高通已经做出了一个让整个芯片圈哗然的决定：将下一代骁龙旗舰芯片的代工生产全面转向台积电。这意味着什么？简单来说，从2022年起就再没用过三星代工的高通旗舰芯...
分类：业界动态 时间：2026/4/13 阅读：4104
台积电赢麻了！高通下一代骁龙重心全倾台积电，三星2nm再度折戟
在半导体行业的激烈竞争中，台积电再次成为最大赢家。据最新消息，高通下一代骁龙处理器的代工重心已全面倒向台积电，三星则因良率和产能问题彻底错失重返骁龙旗舰芯片代工...
分类：业界要闻 时间：2026/4/13 阅读：51156
芯片行业的格局正在悄然生变。据韩媒《釜山日报》最新报道，由于三星电子2nm制程工艺良率未达预期，高通可能将其下一代移动AP订单转交给台积电生产。这一决定或将重塑全球半导体代工市场的竞争格局。消息显示，三星电子的2nm工艺目前良率...
分类：业界动态 时间：2026/4/10 阅读：7072
Intel重磅官宣：加入马斯克全球最大2nm晶圆工厂 颠覆芯片制造
半导体行业迎来历史性转折！英特尔（Intel）近日正式宣布加入埃隆·马斯克主导的TERAFAB项目，这项旨在打造全球最大2nm芯片工厂的野心计划，正以"太空算力"为核心重构整个...
分类：业界要闻 时间：2026/4/9 阅读：44607
导读：近日，贸泽电子（以下简称“Mouser”）宣布推出新一代IntelAtom22nmSoC多核处理器，该器件比其他采用平面晶体管工艺的竞争处理器，在性能和能效方面都有很大的提升，具有业界领先的每瓦性能效率。近日，贸泽电子（以下简称“Mouser
新品速递 时间：2013/12/12 阅读：2832
2013秋季英特尔信息技术峰会（IntelDeveloperForum,IDF2013）将于9月10日至12日在美国旧金山举行，消息显示，在本届IDF上，英特尔将正式发布基于英特尔Silvermont微架构的系统芯片,研发代号为BayTrail.此
新品速递 时间：2013/9/5 阅读：1425
9月24日消息，昨天在美国旧金山2009年秋季英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum, IDF）上，英特尔总裁兼首席执行官保罗·欧德宁（Paul Otellini）展示了世界上首款基...
新品速递 时间：2011/9/3 阅读：2411
在近日举办的国际超级计算机的会议中，Intel公司向外展示了其首款超多的商用芯片产品“ Knights Corner”，这款产品借用了Larrabee架构与万亿级计算研究计划的技术，可以将...
新品速递 时间：2011/9/3 阅读：4014
东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值（MLC）NAND闪存的SSD（固态硬盘）。存储容量分别为30GB和62GB。与原来的2.5英寸SSD相比，除了体积缩小至1/7左右、重量减少至1/8左右之外，耗电量也削减了约1/2。预定2009年10月开
设计应用 时间：2009/9/29 阅读：1533
（RenesasTechnologyCorp.）宣布，开发出一种可在32nm（纳米）及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC（系统级芯片）中的片上SRAM。新开发的技术采用SOI（绝缘硅）技术，可独立控制基体电位，也就是构成S
新品速递 时间：2007/10/22 阅读：1249
