日本2nm晶圆代工厂Rapidus获私营投资超10亿美元，IBM或成为其股东
日本半导体新锐企业Rapidus近期获得超过10亿美元的私营投资，这标志着其在2纳米制程技术领域的雄心壮志得到了资本市场的强力支持。值得关注的是，科技巨头IBM可能成为其战略股东，这将为Rapidus的技术路线注入新的活力。 Rapidus成立...
分类：业界动态 时间：2026/2/5 阅读：26908
Nuvoton-小型高功率1.7W紫色（402nm）半导体激光器开始量产
Nuvoton Technology将开始量产一款采用行业标准TO-56 CAN封装[1]，并实现了业界顶级水平的光功率输出(*)的“小型高功率1.7W紫色（402nm）半导体激光器[2]”。本产品通过公司独创的芯片设计技术和散热设计技术，成功实现了以往难以兼顾的...
时间：2026/2/4 阅读：60 关键词：Nuvoton
近年来，全球半导体行业的竞争愈发激烈，尤其是在先进制程领域的角逐。最新消息显示，高通计划重新与三星合作，将其旗舰骁龙8系芯片的部分订单交由三星代工，采用后者最新...
分类：业界动态 时间：2026/1/28 阅读：4552
当苹果还在打磨3nm芯片时，三星已经悄悄亮出了王炸。据最新爆料，三星Galaxy S26系列将首发搭载Exynos 2600芯片，这款采用2nm GAA工艺的处理器不仅是全球首款2nm手机芯片，...
分类：行业访谈 时间：2026/1/22 阅读：819
在CES2026展会上，高通首席执行官克里斯蒂亚诺·阿蒙宣布了一项重大合作动向：高通正与三星电子就2纳米（2nm）芯片代工展开深入洽谈。这一合作标志着高通时隔五年重新启用"双供应商"策略，或将终结台积电在先进制程代工领域的独家垄断地...
分类：业界要闻 时间：2026/1/9 阅读：40957
台积电2nm流片量激增1.5倍 或将垄断全球95% AI加速器市场
当全球科技巨头还在为争夺台积电3nm产能打得头破血流时，这家芯片代工霸主已经悄然开启新一轮技术霸权。摩根大通最新数据显示，台积电2nm制程流片量已达3nm同期的1.5倍，这...
分类：业界动态 时间：2026/1/8 阅读：9833
当全球芯片产业还在为3nm工艺争得头破血流时，台积电已经悄然跨入2nm时代。这个半导体霸主再次用实力证明：在制程工艺的赛道上，它依然是无人能敌的领跑者。据最新消息，台...
分类：业界动态 时间：2026/1/5 阅读：4641
半导体行业近期迎来两大标志性事件：英伟达50亿美元战略入股英特尔，以及台积电率先启动2nm芯片量产。这两大动向正在重塑全球晶圆代工产业的竞争格局，预示着技术路线与商...
分类：业界要闻 时间：2026/1/4 阅读：36236
三星发布全球首款2nm智能手机芯片 预计将搭载于Galaxy S26系列
2025年12月22日，三星电子正式发布全球首款2纳米制程智能手机处理器Exynos2600，这项突破性技术预计将搭载于2026年初上市的Galaxy S26系列旗舰手机，标志着移动芯片工艺正...
分类：业界动态 时间：2025/12/22 阅读：5150 关键词：三星
台积电2nm芯片时代来临：苹果A系列领衔，GAA架构引领性能革命
2026年，全球半导体行业即将迎来历史性跨越——2nm工艺芯片时代正式启幕。在这场技术革命中，台积电凭借突破性的GAA架构和领先的量产能力，与苹果A20系列处理器共同谱写着...
分类：业界要闻 时间：2025/12/18 阅读：45345 关键词：2nm芯片
导读：近日，贸泽电子（以下简称“Mouser”）宣布推出新一代IntelAtom22nmSoC多核处理器，该器件比其他采用平面晶体管工艺的竞争处理器，在性能和能效方面都有很大的提升，具有业界领先的每瓦性能效率。近日，贸泽电子（以下简称“Mouser
新品速递 时间：2013/12/12 阅读：2798
2013秋季英特尔信息技术峰会（IntelDeveloperForum,IDF2013）将于9月10日至12日在美国旧金山举行，消息显示，在本届IDF上，英特尔将正式发布基于英特尔Silvermont微架构的系统芯片,研发代号为BayTrail.此
新品速递 时间：2013/9/5 阅读：1384
9月24日消息，昨天在美国旧金山2009年秋季英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum, IDF）上，英特尔总裁兼首席执行官保罗·欧德宁（Paul Otellini）展示了世界上首款基...
新品速递 时间：2011/9/3 阅读：2369
在近日举办的国际超级计算机的会议中，Intel公司向外展示了其首款超多的商用芯片产品“ Knights Corner”，这款产品借用了Larrabee架构与万亿级计算研究计划的技术，可以将...
新品速递 时间：2011/9/3 阅读：3959
东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值（MLC）NAND闪存的SSD（固态硬盘）。存储容量分别为30GB和62GB。与原来的2.5英寸SSD相比，除了体积缩小至1/7左右、重量减少至1/8左右之外，耗电量也削减了约1/2。预定2009年10月开
设计应用 时间：2009/9/29 阅读：1491
（RenesasTechnologyCorp.）宣布，开发出一种可在32nm（纳米）及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC（系统级芯片）中的片上SRAM。新开发的技术采用SOI（绝缘硅）技术，可独立控制基体电位，也就是构成S
新品速递 时间：2007/10/22 阅读：1225
