NAND闪存芯片-维库电子市场网

NAND闪存芯片

2023 年对三星来说是糟糕的一年，因为芯片的需求随着芯片价格的下降而下降。该公司的摇钱树历史上首次出现亏损。受此影响，三星电子的利润创下近年来最低水平。不过，预计...

分类：业界动态时间：2024/3/14 阅读：463 关键词：NAND闪存芯片

根据外媒消息，NAND价格已触底，知名分析师分析师郭明錤日前发文，三星8月涨价，美光9月调涨NAND Flash晶圆合约价，将在10%左右。据CFM闪存市场数据显示，近一周512Gb TL...

分类：业界动态时间：2023/9/7 阅读：256 关键词：NAND闪存

第三季度全球NAND闪存市场明显复苏，三星、铠侠(原东芝存储)、美光等主要存储厂商的出货量均有较大幅度增长。在此情况下，各大厂商之间加紧了竞争卡位，以期在新一轮市场竞...

分类：业界动态时间：2019/12/5 阅读：1011 关键词：三星 SK海力士

近日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首...

分类：业界要闻时间：2019/9/17 阅读：1522 关键词：3D NAND 闪存芯片

紫光集团董事长赵伟国近日在出席首届中国国际智能产业博览会时透露，紫光旗下长江存储的1000人团队耗资10亿美元，历时2年研发成功了国内颗32层3DNAND闪存芯片，将在2018年...

分类：名企新闻时间：2018/8/27 阅读：686 关键词：NAND 闪存芯片紫光

记者获悉，8月23日，首届中国国际智能产业博览会重庆开幕。会上，紫光集团遴选出近百枚芯片，组成一面"紫光芯片大观"墙，涵盖从手机各类SoC到物联网芯片、FPGA等多个领域。其中32层3D NAND闪存芯片备受瞩目，这是紫光集团旗下长江存储耗...

分类：名企新闻时间：2018/8/24 阅读：595 关键词：NAND闪存芯片

近日，紫光集团联席总裁刁石京透露，中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。　　刁石京表示，中国芯片技术落后于世界，但自主研发的脚步始终没有停止，两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国...

分类：业界要闻时间：2018/8/7 阅读：797 关键词： NAND闪存芯片中国造

据外媒7月10日报道，NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。　　三星第五代V-NAND内存芯片是业内个利用Toggle DDR 4.0接口的产品。该接口被称为数据传输的高速公路，在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。...

分类：名企新闻时间：2018/7/12 阅读：482 关键词：三星闪存芯片

位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。...

分类：业界动态时间：2018/4/13 阅读：546 关键词：NAND 闪存芯片

内存/SSD齐涨价模式还没有叫停，供求还在不断地增加，三星计划增产内存来解决明年内存市场短缺的问题。据报道，受内存/SSD齐涨价影响，三星Q4利润预计暴涨77％。　　DRAM内...

分类：业界动态时间：2017/12/8 阅读：406 关键词：DRAM NAND 三星

CNET科技资讯网10月24日国际报道本周二，三星表示已经开发了一种更先进的闪存芯片。该芯片将能够提高MP3播放机等数码产品的存储容量。三星公布了采用30纳米工艺的64G位NAND闪存芯片。三星在一份声明中说，这种闪存芯片是提高闪存芯片存储...

新品速递时间：2007/12/15 阅读：1731

东芝公司(ToshibaCorp.)近日与其美洲子公司东芝美国电子元件公司(ToshibaAmericaElectronicComponents,Inc.)联合宣布，该公司已经推广了一种新型嵌入式NAND闪存系列产品，这一系列产品遵从了eMMC标准

新品速递时间：2007/12/12 阅读：2025