2SK3565高压场效应管

封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
型号/规格：
2SK3565
材料：
N-FET硅N沟道
用途：
SW-REG/开关电源
品牌/商标：
TOSHIBA/东芝
沟道类型：
N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
导电方式：
增强型

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产品分类

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二极管(398)
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电感器(1)
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新品上架

商品信息

TOSHIBA东芝*原装集成电路 2SK3565 K3565

2SK3565 K3565产品规格参数

数据列表 2SK3565
Mosfets Prod Guide

产品相片 2SK3565(Q,M)

产品目录绘图 TO-220SIS Side 3
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1

标准包装 500
类别分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点标准型

漏*至源*电压(Vdss) 900V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 5A

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 2.5 欧姆 @ 3A, 10V

Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs 28nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1150pF @ 25V

功率 - *大 45W

安装类型通孔

封装/外壳 TO-220-3 整包

供应商设备封装 TO-220SIS

包装管件

产品目录页面 1654 (CN2011-ZH PDF)

其它名称 2SK3565(Q)
2SK3565(Q)-ND
2SK3565Q
2SK3565Q-ND
2SK3565QM