本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：Micro-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：3.6 A
Rds上漏源导通电阻：90毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：20 nC
工作温度：-55°C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.8 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.11毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 P通道
宽度：3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：2.3 S
下降时间：39 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：20 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：43 ns
典型起始延迟时间：13 ns
零件号别名：IRF7606TRPBF SP001563726
单位重量：25.540毫克
特征
•第五代技术
•超低导通电阻
•P沟道MOSFET
•非常小的SOIC封装
•薄型（<1.1mm）
•提供卷带包装
•快速切换
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，可实现每硅面积极低的导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
新的Micro8封装具有标准SO-8占地面积的一半，在SOIC外形中提供了的占位面积。 这使得Micro8成为印刷电路板空间非常宝贵的应用的理想设备。 Micro8的薄型（<1.1mm）将使其易于安装在超薄应用环境中，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。

额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-Source Voltage	-30	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-3.6	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-2.9
IDM	Pulsed Drain CurrentCD	-29
PD @TA = 25°C	Maximum Power Dissipation®	1.8	W
PD @TA = 70°C	Maximum Power Dissipation ®	1.1	W
	Linear Derating Factor	14	mW/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
VGSM	Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10μS	30	V
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt m	-5.0	V/ns
TJ , TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	240 (1.6mm from case)

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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