本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：门驱动器
RoHS：详细信息
产品：半桥驱动器
类型：高边，低边
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOIC-16
激励器数量：2驱动程序
输出端数量：2输出
输出电流：2.5 A
上升时间：35 ns
下降时间：25 ns
电源电压-：10 V
电源电压-：20 V
传播延迟—延迟：160 ns
工作电源电流：340 uA
Pd-功率耗散：1.25 W
门驱动器工作温度：-40 C
门驱动器工作温度：+ 125 C
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
特点：独立
高度：2.35毫米
长度：10.5毫米
技术：Si
宽度：7.6毫米
商标：Infineon / IR
逻辑类型：CMOS，TTL
关闭延迟时间：120 ns
开启延迟时间：130 ns
湿度敏感性：是
产品类型：门驱动器
工厂包装数量：1000
子类别：PMIC-电源管理IC
零件号别名：IRS2113STRPBF SP001534598
单位重量：666毫克

特征
·浮动通道设计用于自举操作
·完全可在+500 V或+600 V的电压下工作
·耐受负瞬态电压，dV / dt抗扰
·栅极驱动电源范围为10 V至20 V
·两个通道均欠压锁定
·3.3 V逻辑兼容
·单独的逻辑电源范围为3.3 V至20 V
·逻辑和电源地±5V失调
·具有下拉功能的CMOS施密特触发输入
·逐周期触发边沿关闭逻辑
·两个通道的匹配传播延迟
·输出与输入同相
·符合RoHS
描述
高低侧驱动器
产品摘要
  VOFFSET（IRS2110）500 V
  （IRS2113）600 V
IO +/- 2安/ 2 A
VOUT 10 V-20 V
吨/关（典型值）130 ns和120 ns
延迟匹配（IRS2110）长10 ns
  （IRS2113）20 ns
IRS2110 / IRS2113具有高电压，高速度
具有独立功能的功率MOSFET和IGBT驱动器
高端和低端参考输出通道。 专有HVIC和锁存免疫CMOS技术
使坚固耐用的整体结构成为可能。 逻辑输入与标准CMOS或

LSTTL输出兼容，逻辑电压低至3.3V。 输出驱动器具有
高脉冲电流缓冲级设计为
驱动器交叉传导。 传播延迟是
匹配以简化在高频应用中的使用。
浮动通道可用于驱动N通道
高端配置中的功率MOSFET或IGBT
其工作电压为500 V或600V。

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