• IRFB4110PBF标准包装 50
• FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
• FET特点 Logic Level Gate
• 漏极至源极电压（VDSS） 100V
• 电流-连续漏极（编号）@ 25°C 120A
• Rds（）@ ID，VGS 4.5 mOhm @ 75A, 10V
• IRFB4110PBFVGS（TH）（）@ Id 4V @ 250μA
• 栅极电荷（Qg）@ VGS 210nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）@ Vds的 9620pF @ 50V
• 功率 - 370W
• 安装类型 Through Hole
• 包/盒 TO-220-3
• 供应商器件封装 TO-220AB
• 包装材料 Tube
• 包装 3TO-220AB
• 通道模式 Enhancement
• 漏源电压 100 V
• IRFB4110PBF连续漏极电流 180 A
• RDS -于 4.5@10V mOhm
• 门源电压 ±20 V
• 典型导通延迟时间 25 ns
• 典型上升时间 67 ns
• 典型关闭延迟时间 78 ns
• 典型下降时间 88 ns
• 工作温度 -55 to 175 °C
• 安装 Through Hole
• 标准包装 Rail / Tube
• 门源电压 ±20
• 欧盟RoHS指令 Compliant
• 工作温度 175
• 标准包装名称 TO-220
• 工作温度 -55
• 渠道类型 N
• IRFB4110PBF漏源电阻 4.5@10V
• 漏源电压 100
• 每个芯片的元件数 1
• 供应商封装形式 TO-220AB
• 功率耗散 370000
• 连续漏极电流 180
• 引脚数 3
• 铅形状 Through Hole
• FET特点 Logic Level Gate
• 封装 Tube
• 安装类型 Through Hole
• 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 120A (Tc)
• 的Vgs（th ） （）@ Id 4V @ 250μA
• 漏极至源极电压（Vdss） 100V
• 供应商设备封装 TO-220AB
• 开态Rds（）@ Id ，V GS 4.5 mOhm @ 75A, 10V
• FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
• 功率 - 370W
• 输入电容（Ciss ） @ VDS 9620pF @ 50V
• 闸电荷（Qg ） @ VGS 210nC @ 10V

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