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：IR：场效应管:IRLML2502TRPBF 【优势代理】

供应：IR：场效应管:IRLML2502TRPBF 【优势代理】

供应：IR：场效应管:IRLML2502TRPBF 【优势代理】

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IRLML2502TRPBF 场效应管
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
L/功率放大
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
N-FET硅N沟道
功耗：
1.25W
电压：
20V
电流：
4.2A

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

类型：

电话：

联系人：马加鹏

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区新亚洲二期N1A048

产品分类

二极管(54)
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
三极管(36)
∟ 功率三极管(11)∟ 开关三极管(1)∟ 复合(达林顿)三极管(12)∟ 其他三极管(12)
场效应管MOSFET(110)
∟ MOSFET(102)∟ 结型场效应管(8)
可控硅IGBT(2)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(1)∟ 双向可控硅(晶闸管)(1)
连接器/接插件(7)
继电器(2)
∟ 电磁继电器(1)∟ 差动继电器(1)
光电子/光纤/激光(1)
∟ 光电光耦合器(光耦)(1)

新品上架

商品信息

IRLML2502TRPBF

场效应管MOSFET N沟道20V 4.2A
晶体管*性: N沟道
电流, Id连续: 4.2A
电压, Vds*大: 20V
在电阻RDS（上）: 45mohm
电压@ Rds测量: 4.5V
阈值电压, Vgs th典型值: 1.2V
功耗, Pd: 1.25W
工作温度范围: -55°C到 150°C
封装类型: ??SOIC
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
封装类型: Micro3
漏*电流, Id*大值: 4.2A
电压Vgs @ Rds on测量: 4.5V
电压, Vds典型值: 20V
电压, Vgs*高: 1.2V
表面安装器件: SMD

联系方式

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

类型：

电话：

联系人：马加鹏

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区新亚洲二期N1A048

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