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落木源电子
无铅*型
批号 0820 封装 SIP 特点· 单管大功率IGBT模块驱动器。· 变压器信号耦合，延迟小，工作频率高。· 工作占空比5－95％。· 输入信号幅值4.5－7V，或3－4.5V。· 可按默认值直接使用，也可根据需要调节盲区时间、软...
电话：010-86814513
手机：13717911455
KAT
科安特
无铅*型
类型 直流开关电源 输入电压 单相或三相（V） 输出功率 可*（W） 产品 ISO9001 产品特点: 采用无工频变压器的开关电源技术，因而具备交、直流兼容输入功能，而且输入电压范围宽；采用*的开关电源控制技术和元器件，以及精心的设计，整机体积小、重量轻、效率...
电话：0755-84617484
手机：13027968868
IKW20N60T/IKW50N60T/IKW40T120
INFINEON
无铅*型
现有库存英飞凌大功率IGBT IKW20N60T和IKW50N60T和IKW40T120 TO-*封装．有需求请联系我！ 陆美科技股份有限公司 东莞中铭电子贸易有限公司 业务部／*结阳 M/B: MAIl:jason.
电话：0769-85638990
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KAT
科安特
普通型
品牌 科安特 类型 直流开关电源 型号 KAT 输入电压 单相或三相（V） 输出功率 可*（W） 产品 ISO9001 if(!properExist){ displayOfferProperties("middlePropertyData", "propertyArea"); } 产品特点: 采用无工频变压器...
电话：0755-84617484
SKM100GB128D
西门康
无铅*型
一、主要生产制造销售125度电容、105℃电容、85℃电容、高压电解电容、高频低阻*电解电容、低漏电电解电容、*灯电容、无*性100V47uF、63V100uF、63V220uF电容,5000小时、8000小时、10000小时、20000小时等长寿命电容、储能电容、大容量电解电容、滤波电容、铆...
电话：0769-81559780
手机：13318432736
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...
适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) M...
PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。 特征描述 提高工作结温 Tvj op 高直流电压稳定性 高短路能力，自限制短路电流 低开关损耗...
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？ 当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。 电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。 但变频器实际是要驱动电机的，接在电...
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...
如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动
Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...
