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IGBT模块

(共找到“463”条查询结果)
企业类型:不限工厂贸易
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  • 型号/规格:

    PRIME2

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    普通型

  • 单位重量:

    825 g

  • 宽度:

    89 mm

  • 型号/规格:

    IGCM10F60GA

  • 品牌/商标:

    INFINEON

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    7MBR25SA-120-50

  • 品牌/商标:

    FUJITSU(富士通)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    96843LPAB_090901-R6

  • 品牌/商标:

    中兴

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    SEIM352GB128DS

  • 品牌/商标:

    SEMIKRON(西门康)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    FS225R12KE3/AGDR-82C

  • 品牌/商标:

    ABB

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 价格:

    12660.0

  • 型号/规格:

    KGF75N60KDB-U/P

  • 品牌/商标:

    KEC

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 包装方式:

    管带包装

  • 封装:

    TO-247

  • 型号/规格:

    IKCS12G60DA

  • 品牌/商标:

    INFINEON

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 1:

    1

  • 型号/规格:

    7MBR50VW120-51

  • 品牌/商标:

    FUJITSU(富士通)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 规格:

    50A/1200V/IGBT/7U

  • 型号/规格:

    WSS-TLP521

  • 品牌/商标:

    WSS

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    BSM150GX120DN2

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    DD200KB160

  • 品牌/商标:

    SanRex(三社)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    2MBI300P-140-03

  • 品牌/商标:

    FUJITSU(富士通)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 1:

    功率模块

  • 2:

    全新原装

  • 3:

    电源模块

  • 型号/规格:

    FGA25N120ANTDTU IGBT

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 产品族:

    晶体管 - UGBT,MOSFET - 单

  • 型号/规格:

    IXFN50N80Q2

  • 品牌/商标:

    艾赛斯IXYS

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    TM130DZ-24

  • 品牌/商标:

    MITSUBISHI(三菱)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    FGA25N120ANTD

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    SKKT42/16E

  • 品牌/商标:

    sekm

  • 环保类别:

    普通型

  • 封装:

    长条形

  • 型号/规格:

    SKIIP38AC126V2

  • 品牌/商标:

    SEMIKRON(西门康)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 封装:

    IGBT模块

  • 功率特性:

    大功率

  • 应用范围:

    放大

  • 极性:

    NPN型

  • 型号/规格:

    6sy7000-0AD50

  • 品牌/商标:

    西门子

  • 环保类别:

    普通型

IGBT模块行业资讯

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什么是IGBT模块?

  •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
  • IGBT模块

IGBT模块技术资料

  • IGBT模块使用中的注意事项

    由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:   在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先...

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