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IGBT模块

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    SKM200GB173DH6

  • 品牌/商标:

    SEMIKRON(西门康)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 订货量:

    5只起订

  • 型号/规格:

    BSM50GB120DN2

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    普通型

  • 参数:

    50A1200V

  • 型号/规格:

    MG50Q6ES40

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 数量:

    220

  • 型号/规格:

    96843LPAB_090901-R6

  • 品牌/商标:

    中兴

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    6sy7000-0AD50

  • 品牌/商标:

    西门子

  • 环保类别:

    普通型

  • 型号/规格:

    IRGB15B60KD

  • 品牌/商标:

    IR

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 电流:

    15A

  • 电压:

    600V

  • 型号:

    GB15B60KD

  • 厂家:

    IR

  • 型号/规格:

    QRF3001

  • 品牌/商标:

    TDK

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 封装:

    BGA

  • 批次:

    1825+

  • 数量:

    9600

  • 型号/规格:

    DD200KB160

  • 品牌/商标:

    SanRex(三社)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    FP40R12KE3

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 封装:

    MODULE

  • 年份:

    新年份

  • 价格:

    面议

  • 型号/规格:

    IGCM20F60GA

  • 品牌/商标:

    NUVOTON

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 封装:

    IGBT

  • 批号:

    17+

  • 价格:

    面议

  • 型号/规格:

    BSM150GX120DN2

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    SKM400GA12T4

  • 品牌/商标:

    SEMIKRON(西门康)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    2MBI50F-050

  • 品牌/商标:

    FUJI

  • 环保类别:

    普通型

  • 型号/规格:

    IGCM10F60GA

  • 品牌/商标:

    INFINEON

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    PRIME2

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    普通型

  • 单位重量:

    825 g

  • 宽度:

    89 mm

  • 型号/规格:

    APT50M50JVR

  • 品牌/商标:

    ROHM(罗姆)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    AP85GT33SW

  • 品牌/商标:

    AP/富鼎

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    FF300R12KT4

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 产品种类::

    IGBT 模块

  • 制造商::

    Infineon

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO::

    1200 V

  • 集电极—射极饱和电压::

    2.1 V

  • 型号/规格:

    F3L150R07W2E3_B11

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 电源电源:

    650V

  • 电源电流:

    150V

  • 品牌:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    IKCS12G60DA

  • 品牌/商标:

    INFINEON

  • 环保类别:

    无铅环保型

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IGBT模块行业资讯

什么是IGBT模块?

  •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
  • IGBT模块

IGBT模块技术资料

  • IGBT模块使用中的注意事项

    由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:   在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先...

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