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IGBT模块

(共找到“6”条查询结果)
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广州
源头工厂
  • 型号/规格:

    7MBR25SA-120-50

  • 品牌/商标:

    FUJITSU(富士通)

  • 环保类别:

    无铅环保型

型号:7MBR25SA-120 参数:25A 1200V 性能:IGBT 2MBI200S-120 2MBI200U2A060 2MBI200U4B120 2MBI200U4H120 2MBI200VA060-50 2MBI200VB120-50 2MBI200VH120-50 2MBI300N-060 2MBI300P140 2MBI300U2B060-50 2MBI300U4H120 2MBI300U4H-170 2MBI300VB060-50 2MBI...

  • 型号/规格:

    BSM 200GA 120DN2SE3256

  • 品牌/商标:

    西门子

  • *类别:

    无铅*型

广州祥瑞机电设备有限公司长期现货供应西门子IGBT模块,库存*,以备客户急需之用,价格优惠,欢迎来电垂询! :谢先生 : 手机号码 传真号码 欢迎您的来电 产品简介:型号 (1 单元 1200V) IGBT 技术指标 BSM 200GA 120DN2SE3256 BSM 200GA 120DN2(DLC) 200A/1...

    品牌:IR 型号:IRFPS37N50K大量现货库存

    • 品牌:

      FAIRCHILD/*童

    • 型号:

      hgtg11n120cnd

    品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 hgtg11n120cnd 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 800(V) 夹断电压 1200(V) 跨导 0.1(μS) *间电容 0.1(pF) 低频噪声系数 0.1(dB) 漏*电流 43A(mA) 耗散功率 原厂标准...

    • 王欢
    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:广东广州
    • 电话:020-83795647

      品牌:INF 型号:H20T120 封装形式:直插型 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 营销方式:现货 用途:广泛迅丰电子供应场效应IGBT 原装 INF H20T120 有需要欢迎来电咨询 谢谢

      • 型号/规格:

        QC962和QC841

      • 品牌/商标:

        MORNSUN

      • *类别:

        无铅*型

      品牌 MORNSUN 型号 QC962和QC841 应用范围 稳压/恒压 类别名称:混合集成IGBT 驱动器A、QC841 是一种混合集成型IGBT 驱动器,内部集成高共模抑制比和高隔离电压的*光耦,可实现功率半导体器件与控制电路之间的*电气隔离。通过检测IGBT 的集电*欠饱和压降来实现...

      IGBT模块行业资讯

      什么是IGBT模块?

      •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
      • IGBT模块

      IGBT模块技术资料

      • IGBT模块上的续流二极管(续流二极管作用)[2022-12-23]

        IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢?  当 PWM 波输出的时候,它是维持电机内的电流不断用的。  我在说明变频器逆变原理的时候,用的一个电阻做负载。  电阻做负载,它上面的电流随着电压有通断而通断,上图所示的原理没有问题。  但变频器实际是要驱动电机的,接在电...

      • IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]

        IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...

      • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]

        如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...

      • IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]

        由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动

      • Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]

        Littelfuse公司是电路保护领域的企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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