IR/国际整流器
IRFB4229PBF
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
CHIP/小型片状
GaAS-FET砷化镓
类型:经销商
电话:
联系人:苏志远
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 深圳福田区华强北振华路航苑大厦东座902
∟ 结型场效应管(63)
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 46A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 46 毫欧 @ 26A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4560pF @ 25V
功率 - *大 330W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司