场效应晶体管

场效应晶体管资讯

华为公开“集成电路及其制作方法、场效应晶体管”专利

根据天眼查显示华为技术有限公司近日新增多条专利信息,其中一条发明专利名称为“一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管”,公开号为CN116636017A。 专利摘要显示,...

分类:业界动态 时间:2023/8/23 阅读:292 关键词:华为集成电路

KEC为韩国首屈一指的LCD制造商 提供低压场效应晶体管产品

电力芯片专业企业KEC披露正在为韩国首屈一指的LCD产品制造商提供低压场效应晶体管(Low Voltage MOSFET),从2020年下半年开始供货,计划供货至2023年。 供货的低压场效应晶体管产品将用于跨国品牌一体式电脑的LCD所搭载的定时控制...

时间:2022/8/24 阅读:127 关键词:晶体管

EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器

EPC公司和ADI公司推出参考设计,采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaNFET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN?FE...

分类:新品快报 时间:2022/7/25 阅读:1171

EPC新推最小型化的100 V 氮化镓场效应晶体管

宜普电源转换公司(EPC)新推100V、2.2mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。 ...

分类:新品快报 时间:2022/5/18 阅读:4027

EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板

EPC9137是一款两相的48V/12V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5kW功率,效率为97%,适用于轻度混合动力汽车和电池备用装置。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9137,...

分类:新品快报 时间:2021/5/14 阅读:14136

宜普电源转换公司推出170V氮化镓场效应晶体管

宜普电源转换公司(EPC)近日宣布推出170V、6.8m?的EPC2059氮化镓场效应晶体管(eGaN?FET),与目前用于高性能48V同步整流的器件相比,EPC为设计工程师提供更小型化、更高效...

分类:新品快报 时间:2020/12/22 阅读:5696

宜普电源转换公司推出两款新一代200 V 氮化镓场效应晶体管

新一代200 V 氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器,以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。  增强...

分类:新品快报 时间:2020/8/27 阅读:1421 关键词:晶体管

Transphorm的第二款900 V GaN场效应晶体管现已投入生产

Transphorm宣布,该公司的第二款900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧,瞬态峰值额定值为1千伏,现已通过电子设备工程联合委员会(JE...

分类:新品快报 时间:2020/8/20 阅读:1842 关键词:Transphorm场效应晶体管

TI 德州仪器新型即用型600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级产品组合可支持高达10kW的应用

德州仪器(TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓(GaN),50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比,LMG341x系列使设计人员...

分类:新品快报 时间:2018/12/7 阅读:1218 关键词:晶体管

OptiMOS™线性场效应晶体管兼具低RDS(on)值与大安全工作区

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出OptiMOS线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSFET的大安全工作区。这就解决了RDS(on)与线性模式功能之间的平衡问题。OptiMO...

分类:新品快报 时间:2017/8/24 阅读:643

场效应晶体管技术

了解场效应晶体管的原理和操作

了解场效应晶体管的原理和操作。  晶体管是当今电子电路中必不可少的半导体器件。它们可以执行两个主要功能。首先,作为它们的真空管前身,三极管,它们可以放大电信号。...

设计应用 时间:2024/2/26 阅读:270

第 4 代碳化硅场效应晶体管的应用

Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET,扩大了公司的性能领先地位,并扩大了其突破性...

设计应用 时间:2023/7/21 阅读:653

结型场效应晶体管教程

场效应晶体管 (FET) 由称为衬底的 N 型材料棒制成,其中扩散了 P 型结(栅极)。对于漏极上的正电压,相对于源极,电子电流通过 CHANNEL 从源极流向漏极。 如果栅极相对于源极为负,则会产生静电场,挤压沟道并降低电流。如果栅极电压...

基础电子 时间:2023/2/2 阅读:432

EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 场效应晶体管, 可实现最高功率密度

宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN?)...

新品速递 时间:2022/6/1 阅读:599

EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ氮化镓场效应晶体管

quan球行业ling先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN?)功率场效应晶体管和集成电路,zui新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管,为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 E...

新品速递 时间:2022/5/17 阅读:353

晶体管,场效应晶体管工作原理

晶体管工作原理 利用半导体的特性,每个管子工作原理个不同,你可以找机电方面的书看下。下图中的S是指源极(Source),D是指漏极(Drain),G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单,就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。...

基础电子 时间:2021/3/25 阅读:834

六大技巧下手,正确挑选场效应晶体管

沟道类型  挑选好场效应晶体管电子元件的第一步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体管。在典型的功率使用中,当一个场效应晶体管接地,而负载接入到干线电压上时,该场效应晶体管就组成了低压侧开关。在低压侧开关中,应选用N沟道场效...

基础电子 时间:2020/5/13 阅读:613

场效应晶体管应用的四点注意事项!

我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多,根据结构不...

基础电子 时间:2019/1/15 阅读:631

不容错过!场效应晶体管使用详解

我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多,根据结构不...

设计应用 时间:2019/1/3 阅读:514

场效应晶体管的几点使用技巧

我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使...

设计应用 时间:2016/5/20 阅读:760

场效应晶体管产品