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日经新闻未援引消息来源称，富士胶片将在截至2024年3月的三年内对其半导体材料业务投资700亿日元（6.38亿美元）。报道称，大部分投资将用于制造基于5纳米或更先进技...

分类：名企新闻时间：2021/8/23 阅读：1128

全球科技产业频频陷入乱局，国际间更形成一股“禁运制裁”风潮。中美争端才刚缓和，日本和韩国却擦枪走火，日本宣布对出口韩国的三种半导体材料将采取更为严格的规范，首当...

分类：行业趋势时间：2019/7/8 阅读：1493 关键词：芯片存储

经过60年的发展，计算机已变得更小更快，价格也越来越便宜。但硅基晶体管的尺寸和运算速度已接近极限的边缘，如何使传统计算机突破上述极限，研究人员似乎已计穷智竭。 ...

分类：业界动态时间：2017/5/23 阅读：576 关键词：芯片材料

1、LPE：LiquidPhaseEpitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP2、VPE：VaporPhaseEpitaxy(气相磊晶法)GaAsP/GaAs3、MOVPE：MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy(有机金属气相磊晶

时间：2008/8/8 阅读：378 关键词：二极管

日前，德州仪器(TI)宣布计划在其的高性能45纳米芯片产品的晶体管中采用高k材料。多年以来，人们一直考虑用高k介电层来解决漏电或耗用功率问题，随着晶体管日趋小型化，这一问题已变得日益严重。与通常采用的硅氧化层(SiO2)栅介电层相比，...

分类：业界要闻时间：2007/6/29 阅读：260 关键词：德州仪器

日前，德州仪器(TI)宣布计划在其的高性能45纳米芯片产品的晶体管中采用高k材料。多年以来，人们一直考虑用高k介电层来解决漏电或耗用功率问题，随着晶体管日趋小型化，这一问题已变得日益严重。与通常采用的硅氧化层(SiO2)栅介电层相比，...

分类：新品快报时间：2007/6/27 阅读：276

日前，德州仪器(TI)宣布计划在其的高性能45纳米芯片产品的晶体管中采用高k材料。多年以来，人们一直考虑用高k介电层来解决漏电或耗用功率问题，随着晶体管日趋小型化，这一问题已变得日益严重。与通常采用的硅氧化层(SiO2)栅介电层相比，...

分类：业界要闻时间：2007/6/27 阅读：255

1月29日消息，IBM称，它已经开发出了人们期待已久的晶体管技术：用于逻辑芯片的高k栅介质和金属栅。据EETimes报道，IBM与AMD和索尼、东芝等合作伙伴合作，发现了一种使用一种新的高k栅介质和金属栅材料制作晶体管的一种重要元件，从而为...

分类：新品快报时间：2007/1/29 阅读：764 关键词：AMD IBM

据国外媒体报道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇梦达(Qimonda)等企业组成的研发团队近日表示，已开发出能制造高速“相变(phase-change)”内存的材料；与当前常用的闪存相比，相变内存运行速度高于前者500~1000倍，能耗也将大

分类：新品快报时间：2006/12/13 阅读：340

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