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SiC/GaN专利大战打响!Wolfspeed起诉Navitas

Wolfspeed向美国特拉华联邦地区法院递交诉状,指控无晶圆功率半导体厂商Navitas Semiconductor旗下全系列氮化镓、碳化硅功率器件侵犯自身5项底层基础发明专利,一场覆盖消...

分类:业界动态 时间:2026/7/8 阅读:6888 关键词:SiCGaN

Silex宣布,收购安森美晶圆厂

近日,Silex Microsystems(以下简称 “Silex”)与半导体元件工业有限公司(以下简称 “Onsemi”)达成最终协议,以 4000 万美元的价格收购位于美国宾夕法尼亚州的一座 20...

分类:名企新闻 时间:2026/7/8 阅读:2025 关键词:安森美

英飞凌扩展750V CoolSiC产品组合,推出顶部散热型H-DPAK半桥器件,进一步提升系统功率密度与可靠性

汽车和工业应用中的功率转换架构正在快速演进,对开关拓扑、热管理和系统集成提出了新的要求。为满足这些要求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司...

分类:新品快报 时间:2026/6/17 阅读:20900 关键词:英飞凌

Infineon-英飞凌推出超低噪声XENSIV TLE4978,混合霍尔与线圈电流传感器,为新一代电力系统提供助力

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出TLE4978系列无芯隔离式磁电流传感器,进一步扩展其XENSIV 传感器产品组合。该系列传感器兼具超低噪声、高带宽和高精度特性,可提高电力...

时间:2026/6/16 阅读:351 关键词:Infineon

英飞凌推出业界首款基于CoolSiCG2技术的双向开关碳化硅

物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出基于成熟可靠750V CoolSiC? G2技术平台打造的碳化硅(SiC)双向开关(BDS)。该产品...

分类:新品快报 时间:2026/6/16 阅读:20937 关键词:英飞凌

ASIC将放缓,联发科出招

据知名分析师郭明錤的最新行业调研显示,联发科已将其AI业务的战略定位从“IC / ASIC设计”升级为“系统级设计”,初期目标锁定谷歌TPU的PCBA(L6)以及与埃隆·马斯克相关...

分类:业界动态 时间:2026/6/16 阅读:9310 关键词:ASIC联发科

20亿建厂计划紧急叫停!安森美欧洲大规模裁员,SiC产业规则改写

2026年6月,安森美宣布裁减捷克厂区200至300名碳化硅晶圆制造岗位员工。这不是一次普通裁员,更像是这家美国半导体大厂对碳化硅上游自研自产路线的一次明确“刹车”。早在2...

分类:名企新闻 时间:2026/6/12 阅读:5034

苹果WWDC发布全生态AI战略,新一代SiriAI登场

苹果公司一年一度的全球开发者大会(WWDC)开幕。按照此前公布的交接班计划,本届WWDC是现任CEO蒂姆·库克最后一次以CEO身份主持,今年秋季库克将转任苹果董事长,CEO由公...

分类:名企新闻 时间:2026/6/9 阅读:4088 关键词:苹果

ASMPT推出ALSI LASER1206激光切割与开槽设备

助力先进封装与车用功率器件制造  半导体与电子制造软硬件领军企业ASMPT与其子品牌奥芯明于2026年中国半导体展会(SEMICON China 2026)N4451展位,推出全新裸晶圆处理系统ALSI LASER1206。本次展会主题为“智创‘芯’纪元”,ALSI LAS...

时间:2026/5/28 阅读:101 关键词:ASMPT

onsemi-碳化硅赋能浪潮教程:SiC JFET驱动工业与服务器电源革新

摘要  碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。本文为第一部分,将重...

时间:2026/5/27 阅读:99 关键词:onsemi

Si技术

集成 Silent Switcher 与输入断开功能,升压转换器展现卓越性能与可靠防护

本文聚焦于一款小尺寸、功能强大且低噪声的单芯片同步升压转换器,详细剖析其多个特性,这些特性不仅能显著增强电路性能,还支持定制化,以满足多样化的应用需求。  传统...

设计应用 时间:2026/7/1 阅读:318

高功率密度车载充电器的理想之选:紧凑型 SiC 模块

在当今追求零碳社会的大背景下,交通工具的电动化进程至关重要。在这一进程中,更轻、更高效的电子元器件发挥着不可或缺的作用,车载充电器(OBC)便是其中的典型代表。那...

设计应用 时间:2026/6/30 阅读:430

EliteSiC 栅极驱动器匹配秘籍:关键设计要点深度剖析

本指南聚焦于各类高功率主流应用,旨在为 SiC MOSFET 匹配栅极驱动器提供专业且深入的指导。同时,积极探索减少导通损耗与功率损耗的有效策略,以最大化提升 SiC 器件在导...

设计应用 时间:2026/6/11 阅读:805

几十纳米栅氧化层如何制约 SiC MOSFET 可靠性

在功率半导体器件 MOSFET 中,栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层,其核心材质多为二氧化硅(SiO),堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重...

设计应用 时间:2026/5/22 阅读:636

高速PCB信号完整性(SI)设计核心实操规范

随着电子设备向高频化、高传输速率升级,DDR5(4800Mbps)、PCIe4.0(16Gbps)、USB3.2(10Gbps)等高速接口已成为主流配置,信号完整性(SignalIntegrity,SI)已从“优化项”成为“必选项”。低速PCB设计中“能连通即可”的思路,在高速...

基础电子 时间:2026/4/10 阅读:511

5G MassiveMIMO系统中的滤波器挑战与创新解决方案

作为5G通信的核心关键技术,MassiveMIMO(大规模多输入多输出)通过在基站端部署数十至数百根天线阵列,大幅提升系统频谱效率、信道容量与连接密度,为高清视频、车联网、工业互联等高频场景提供核心支撑。滤波器作为MassiveMIMO系统射频...

基础电子 时间:2026/3/6 阅读:356

一文看懂eSIM到底是什么 有啥好处

当你还在为换手机时抠取 SIM 卡的繁琐操作烦恼,为出国旅行时找不到当地电话卡而焦虑,一种名为 eSIM 的技术已悄然改变着我们的通信方式。2025 年,国内三大运营商正式开启 eSIM 手机商用试验,标志着通信业迈入 “无卡化” 时代的关键一...

基础电子 时间:2025/10/20 阅读:1373

SiPM 测试板偏置电压源的选择与考量

在电力电子领域,RC 缓冲器作为一种至关重要的电路元件,在开关应用中发挥着控制电压尖峰、降低电路噪声的关键作用。近期,在浏览谷歌时,发现各大电商平台上充斥着各种超...

设计应用 时间:2025/9/2 阅读:561

揭秘 PCI - SIG:PCIe 信号设计的关键指南与要点

在高速数据传输领域,PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)技术至关重要。本文介绍的是 2019 年 PCI - SIG(PCI Special Interest Group)发布的关于 PCIe 信号设计过程中使用中继器(Redriver&Retimer)的资料,即便...

基础电子 时间:2025/8/26 阅读:482

纳芯微 NSI7258 固态继电器:助力 BMS 系统实现高可靠绝缘监测

在当今的电子设备应用中,BMS(电池管理系统)发挥着至关重要的作用。然而,BMS 系统的工作电压普遍高于人体所能承受的安全电压。一旦其绝缘性能出现下降,漏电流就会显著...

设计应用 时间:2025/7/17 阅读:681

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