IBM公布面向先进IC的全集成铜互连系统10年之后，IC互连领域的研究人员将汇聚一堂，预测接下来的新技术。
10年前，是摩托罗拉和德州仪器公司携手IBM研究更好的互连架构。它们的工作激发了其它芯片制造商的研究热情。第二年，国际互连技术大会(IITC)的创办使研发成果有了相互探讨交流的论坛。今年，800名科学家、工程师和其他互连人员将于6月初参与在加州Burlingham举行的IITC，探讨诸如先进3D结构、模拟和RF功能集成到互连内、使用纳米管作为导体及纳米集群用作绝缘体等领域内的进步。
“为了持续改进性能，未来10年将需要芯片布线稳定发展，”IITC 2007公共主席、IBM系统技术部技术人员Michael Shapiro表示。
比利时IMEC微电子中心和飞思卡尔半导体公司将展示解决与3D电路相关的实际问题的论文。IMEC研究人员将介绍他们如何利用铜铜热压缩与旋压相容介电胶粘层邦定来生成3维系统，热和机械稳定性均得到改进。胶粘层还允许进行分离的裸片(die)堆迭和裸片邦定操作：用快速拾放操作可将一片landing晶圆与dice先连起来，然后可对dice同时进行邦定。
飞思卡尔研究人员与法国LETI研究学院的合作者采用介电到介电直接晶圆邦定工艺和90纳米低K互连研制出3维电路。在IITC上，他们将指出该方法取决于保持相对表面清洁。
意法半导体将介绍革新性的嵌入到铜互连堆迭内的3维金属-绝缘体-金属(MIM)电容结构，据称实现非常高的电容密度(17飞法/平方微米，无须折衷介电质性能)。
索尼和东芝将宣读探讨面向32纳米节点与混合双介电结构集成的自成形壁垒层的论文。为优化性能和可靠性，该混合结构在通孔底部和顶部各采用不同的介电结构。自成形层一步产生壁垒层和铜种子层，减少了加工工艺的复杂性。通孔底部不形成壁垒，因此通孔阻抗低。而且由于这些层非常薄，沟道内有较多铜，减少了铜阻抗。
NXP半导体将介绍据称能令成本、复杂性和与多级气隙方案有关问题化的方法。其团队采用旋压热牺牲聚合物，在老化时留下气隙，而不是通过腐蚀掉材料来生成气隙。
I BM的一个团队将介绍32纳米技术节点大有作为的触点插头铑(rhodium)电镀技术。Rhodium共形性高，不需CVD基加工，可被用于填充甚高纵横比的通孔(40nm x 240nm)，而甚少缺陷。
Sun Microsystems公司研究人员将介绍一款使用三种芯片到芯片互连类型的90纳米测试芯片：用于近距离通信的容性互连；采用外部激光和发光二极管的光互连；以及用于高速操作和光兼容性的采用电流模型逻辑的电气互连。
Sun研究人员在超过2.5Gbps的速度上验证了所有三种接口的互操作性。他们将报告未来的原型将具有更完整的特征矩阵，如功率和延迟，进一步采用裸片封装并推动更有进取心的互连，如硅基光子。
时序是一切
芯片内部操作的时序至关重要，因为一个晶体管的输出是另一个的输入。但当芯片密度越来越高，这种作用也就越来越难以设计和验证，主要原因是互连堆迭的阻容延迟增加。为减轻这种现象，东京技术学院研究小组创建了一种所谓的传输线互连结构，这种结构不把信号作为电流传送，而是作为电磁波，采用片上电感作为收发器。
该小组在90纳米硅CMOS工艺上构建了该结构，并演示了10Gbps的信号传输，功耗仅为2.7mW。据称延迟比传统互连堆迭低89%。
