Nvidia、台积电、Synopsys 和 ASML 已同意合作开发 2 纳米芯片技术。
3月25日，据外媒报道，台湾台积电正与Nvidia、Synopsys、ASML合作，加速开发2纳米或更先进的先进代工工艺技术。这些公司决定加强合作在光刻领域，是在硅片上雕刻电路图案的工艺。
总部位于美国的 Synopsis 将作为一家电子设计自动化 (EDA) 公司，通过提供软件程序来支持该项目。总部位于荷兰的 ASML 将负责制造和供应价格在 300 至 5000 亿韩元（230 至 3.85 亿美元）之间的极紫外 (EUV) 光刻设备。
尤其是GPU芯片设计公司Nvidia将提供的技术备受关注。据评估，英伟达的加速计算技术对台积电2纳米技术发展至关重要。当地时间3月21日，英伟达在其主页上公布了与台积电、ASML、Synopsys合作支持2nm技术开发的消息。Nvidia 解释说，一种名为“cuLitho”的库技术可以执行相关工作，性能比传统光刻技术高出 40 倍。
“半导体光刻技术在物理上已经达到了极限，”Nvidia 执行官黄仁勋说。“这种伙伴关系将使半导体制造厂（晶圆厂）能够增加产量，同时减少碳排放。同时，也将为发展2纳米或更小的先进技术奠定基础。”
外媒报道称，这些半导体行业公司的合作，将有助于台积电2纳米或更小制程的发展。台积电总裁魏哲嘉表示：“这一发展将为半导体稳步小型化做出重要贡献。”
台积电不仅在加速2纳米技术的发展，也在加速2纳米芯片的直接生产。日本经济新闻（Nikkei）近日报道称，台积电已开始在被称为“台湾硅谷”的新竹建设新工厂，生产2纳米芯片。
新竹位于台湾省会台北西南约60公里处。台积电和许多其他半导体公司的总部都位于新竹。据日经新闻报道，建造一座 2 纳米工厂至少需要 150 亿美元。台积电决定建造四个这样的工厂。这意味着至少要投资600亿美元。这将成为台积电历史上的单一项目。这些工厂早将于 2025 年开始量产芯片。
台积电去年12月开始量产3奈米产品，并已规划早2026年在台湾北部地区桃园龙潭科技园动土1奈米厂，试产于2027年，2028年量产。
表示，在这一发展过程中，三星电子需要建立合作伙伴关系，并应给予三星电子支持，以便三星电子能够保持其在开发先进芯片技术方面的优势。三星电子制定了与台积电一样在 2025 年量产 2 纳米芯片的计划。此外，它宣布也将于2027年开始量产1.4纳米半导体，继续证明其相对于台积电的技术优势。
事实上，去年 6 月，三星就成功量产了基于下一代晶体管结构的全环栅 (GAA) 工艺的 3 纳米芯片。六个月后，台积电在 12 月才开始量产。这家台湾晶圆代工巨头目前正在量产采用 FinFET 晶体管结构的芯片。表示，台积电在晶体管技术方面落后于三星。
